電子信息前沿技術叢書：模擬CMOS集成電路設計（第2版） epub pdf mobi txt 電子書 下載 2024

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編輯推薦

　　

廣泛采用的模擬電路設計教材（第2版）

“模擬ＣＭＯＳ集成電路設計”提供瞭模擬ＣＭＯＳ集成電路分析與設計的新視角。這本教材既強調基本原理，也強調對現代模擬電路設計至關重要的新範式。拉紮維教授用清晰而又直觀的語言讓讀者逐漸理解模擬和混閤信號集成電路中的重要概念。

拉紮維教授編著的這本教材提供瞭許多新的內容來增強讀者的學習體驗：

鰭式晶體管；

增加瞭一章來討論低壓納米CMOS電路設計；

增加瞭邊欄突齣納米CMOS電路設計的重要知識點；

基於波特圖和Middlebrook技術的反饋係統分析；

增加瞭奈奎斯特穩定性判據及其應用的章節；

低壓能隙基準源；

100多個新的例題。

　　

內容簡介

　　

拉紮維教授編著的《模擬CMOS集成電路設計》一書齣版於2001年。由於其內容編排閤理，講述方式由淺入深，注重電路直觀分析能力的培養，並安排瞭大量的例題及課後習題，該書一經麵世，即在世界範圍內引起瞭強烈反響，迅速被國內外各大高校采用為微電子、電子工程等專業的本科生或研究生教材，成為與P.R.Gray等編著的Analysis and Design of Analog Integrated Circuits齊名的模擬集成電路經典教材。
　　 但是，從2001年至今，CMOS工藝已經發生瞭巨大變化，晶體管特徵尺寸不斷縮小，導緻衡量晶體管性能的電路參數（跨導效率、特徵頻率和本徵增益）發生瞭很大變化，加之電源電壓不斷下降導緻傳統電路拓撲結構的應用受到限製，期間也齣現瞭新的模擬集成電路分析與設計方法，以上的這些因素都要求對原來的教材內容進行改寫。本書第二版正是在此背景下編寫的。該版在保留第一版編寫特色的前提下，大幅增加瞭電路設計的敘述篇幅，如第11章專門討論瞭納米CMOS工藝下的電路設計策略和循序漸進的運算放大器設計方法，有利於培養讀者的電路設計能力。該版本還引入瞭波特圖和MiddleBrook分析法來分析反饋網絡的特性，增加瞭奈奎斯特穩定性判據、鰭式晶體管（FinFET）、新偏置電路技術及低壓能隙基準源等內容，有利於讀者跟蹤*新的模擬集成電路設計技術。該版本還增加瞭很多新的例題，並更新瞭課後習題。我相信改版後的這本教材更加適閤於現階段相關專業本科生和研究生課程教學的需要，也適閤作為一綫工作的集成電路設計工程師的常用參數書。
　　 由McGraw-Hill齣版社齣版的《模擬CMOS集成電路設計（第2版）》共包含19章內容。清華大學齣版社在引進影印版本時，根據國內教育教學情況進行瞭刪減：（1）考慮到振蕩器和鎖相環屬於高頻電路內容，專門的通信電路或射頻電路教材均會對其進行詳細介紹，將原版本中的第15章“振蕩器”和第16章“鎖相環”相關內容刪除；（2）考慮到國內相關專業普遍開設瞭專門的“半導體器件物理”“集成電路工藝”等課程，將原版本中的第16章“MOS器件與模型”和第17章“CMOS製造工藝”相關內容刪除。

作者簡介

畢查德·拉紮維(Behzad Razavi)，1985年在謝裏夫理工大學取得電子工程學士學位，1988年和1992年在斯坦福大學取得電子工程碩士學位和電子工程博士學位。畢業後至1996年期間，他在AT&T;貝爾實驗室和惠普實驗室工作。從1996年開始，他先後以副教授和教授身份在加州大學洛杉磯分校工作。他當前的研究領域包括無綫收發機、頻率閤成器、應用於高速數據通信的鎖相環、時鍾恢復電路和數據變換器。
拉紮維教授在1992—1994年擔任普林斯頓大學的兼職教授，在1995年擔任斯坦福大學的兼職教授。1993—2002年，他擔任國際固態電路會議（ISSCC）的技術程序委員會委員，1998—2002年，他擔任超大規模集成電路會議（VLSI）的技術程序委員會委員。他也曾擔任IEEE固態電路雜誌（JSSC）、IEEE電路和係統匯刊、國際高速電子學雜誌的客座編輯和副主編。
拉紮維教授獲得過1994年ISSCC會議Beatrice卓越編輯奬、1994年歐洲固態電路會議上*佳論文奬、1995年和1997年ISSCC會議*佳專題研討會奬、1997年TRW創新教學奬、1998年IEEE定製集成電路會議*佳論文奬、2001年McGraw-Hill年度*佳新書奬。他是2001年ISSCC Jack Kilby優秀學生論文奬和Beatrice卓越編輯奬的共同獲奬人。他獲得過2006年Lockheed Martin卓越教學奬、2007年UCLA教員Senate教學奬、2009年和2012年CICC*佳邀請論文奬。他是2012年VLSI電路會議*佳學生論文奬和2013年CICC*佳論文奬的共同獲奬人。他還是ISSCC 50年曆史上發錶論文*多的10個作者之一。他獲得過2012年固態電路Donald Pederson奬和2014年美國工程教育協會PSW教學奬。
拉紮維教授是IEEE傑齣講演人，IEEE院士。他是Principles of Data Conversion System Design、RF Microelectronics、Design of Analog CMOS Integrated Circuits、Design of Integrated Circuits for Optical Communications和Fundamentals of Microelectronics的作者以及Monolithic Phase-Locked Loops and Clock Recovery Circuits和Phase-Locking in High-Performance Systems的主編。

前言/序言

　　第2版前言　　當我將這本書第1版的齣版提案交給齣版商時，他們嚮我提齣瞭兩個問題： ①在數字化世界中，模擬電路書籍有什麼樣的未來需求？②齣版一本僅介紹CMOS工藝的電路設計書籍是否明智？這本書標題中的關鍵詞“模擬”和CMOS正好反映瞭他們的問題。　　幸運的是，這本書齣版後受到瞭學生、教師和工程師的熱烈歡迎，已經被世界範圍內的數百所高校采用為教材或參考書，翻譯成五種語言，並被引用6500餘次。　　從這本書的第1版齣版至今，盡管模擬電路設計的許多基本原理沒有變化，但由於下麵的這些原因，需要對這本書進行改版： CMOS工藝嚮更小尺寸、更低電源電壓的技術遷移，新的分析與設計方法以及某些內容需要更詳細的闡述。這次改版主要體現在如下方麵：　　更加強調現代CMOS工藝，並匯聚成新增加的一章(第11章)，該章討論瞭納米CMOS工藝下的設計策略和循序漸進的運算放大器設計方法；　　通過引入波特圖和Middlebrook分析法，擴展瞭反饋內容；　　考慮到通常使用的波特圖判據無法用來判斷某些通用係統的穩定性，增加瞭使用奈奎斯特判據進行穩定性分析的新章節；　　增加瞭鰭式晶體管(FinFET)的內容；　　增加瞭邊欄突齣納米CMOS電路設計的重要知識點；　　增加瞭偏置電路技術的新章節；　　增加瞭介紹低壓能隙基準源的內容；　　新增加瞭100多個例題。　　一些任課教師問我們為何仍以平方率器件來開始講解。這主要有兩個原因： ① 這樣的安排作為一個直觀的切入點，為分析放大器的可允許電壓擺幅等性能提供瞭特彆的價值； ②盡管16nm及更先進工藝的FinFET器件具有非常短的溝道長度，這些器件仍近似錶現齣平方率器件特性。　　本書附有課後習題解答和一套新的課件，可以從www.mhhe.com/razavi下載。　　畢查德·拉紮維　　2015年7月　　第1版前言　　在過去的20年中，CMOS工藝在模擬集成電路領域得到廣泛應用，提供瞭低成本、高性能的實現方案，並逐漸占據主流市場位置。雖然矽基雙極型工藝和Ⅲ�並踝迤骷�仍能發現應用商機，但對於目前復雜的混閤信號係統集成來說，隻有CMOS工藝是一種可行的實現方案。隨著溝道長度逐步縮小到0.05μm，CMOS工藝將在未來的20年中繼續在電路設計中得到廣泛應用。　　模擬電路設計技術也隨著工藝技術的發展而發展。包含幾十個晶體管、處理微弱連續時間信號的高壓、高功耗模擬電路已經逐漸被包含數韆個器件、以處理強離散時間信號為主的低壓、低功耗係統所代替。舉例來說，10年前使用的許多模擬電路技術由於無法適應在低壓下工作而不再被采用。　　本書講述模擬CMOS集成電路的分析與設計方法，重點闡述當前産業背景下學生和一綫工作的工程師需要掌握的基本原理和新理念新方法。由於模擬電路設計同時強調直觀認識和嚴密分析，每一個概念都先從直觀認識的角度引入，然後進行仔細的分析。目標是打下堅固的基礎，並培養通過審視來分析電路的方法，從而使讀者能瞭解在哪些電路中可以做何種簡化，並預期每一步簡化中引入的誤差大小。這種處理方式也使讀者不需花費額外的精力就可以用這本書中學到的概念來分析雙極型電路。　　我已經在UCLA和工業界講授過這本書中的絕大部分內容，每一次授課時都會對講授的順序、方式和內容進行重新梳理。就像讀者能從此書中看到的那樣，我在編著或講授時遵從瞭四條黃金法則： ①我會就讀者為什麼需要瞭解即將要學習的概念進行解釋； ②我將自己放在讀者的位置，預測他/她在第一次閱讀各部分內容時可能會遇到的問題； ③考慮到第二條規則，我假設自己隻掌握瞭讀者第一次閱讀時所擁有的知識，並盡力和讀者一起成長，因此會經曆與讀者同樣的思索過程； ④我先以簡單但可能不太精確的語言來介紹核心概念，並逐漸增加必要的修正來達到最終精確的想法。最後一條規則在講授電路課時尤為重要，因為它允許讀者觀察拓撲的演變，從而能夠同時學會電路的分析與綜閤。　　這本教材包含有16章，每章內容和章節順序都經過仔細衡量，從而為無論是自學還是3個月或6個月的學期課程學習提供自然的流程。與一些其他的模擬電路設計教科書不同，我們在開始時僅介紹最少量的MOS器件物理的內容，而將更深入的器件特性和製造工藝細節分配到瞭後麵的各章中。對於一個專傢來說，這本書介紹的初級器件物理內容可能顯得過度簡化瞭，但是我的經驗錶明： ①初次接觸本書內容的讀者在他們學習電路知識前並不能領會高階器件效應和製造工藝，因為他們不明白其中的相關性； ②如果錶達閤適，這種簡單闡述也包含瞭學習基本電路所需要的足夠知識； ③在讀者進行瞭大量的電路分析和設計之後，能夠更加有針對性地學習先進的器件機理和工藝步驟。　　第1章為讀者提供瞭學習這本書的背景。　　第2章講述瞭MOS器件的基本物理知識和工作原理。　　第3~5章分彆講述單級放大器、差分放大器和電流鏡，介紹瞭通過有效的分析工具來審視定量分析基本電路的行為。　　第6~7章介紹瞭噪聲和頻率響應這兩個電路的非理想特性。比較早地介紹噪聲有利於讀者領會在後續電路分析時考慮其影響。　　第8~10章分彆講述瞭反饋、運算放大器和反饋係統中的穩定性。通過對反饋特性的分析，激勵讀者去設計高性能、穩定的運算放大器並理解在速度、精度和功耗等方麵的摺中考慮。　　第11~13章涵蓋瞭更深入的內容： 能隙基準源、基本的開關電容電路、非綫性和失配效應。這些內容在目前絕大多數的模擬和混閤信號係統中非常重要，因此被納入本書中。　　第14章涉及高階MOS器件效應和模型，重點在電路設計方麵的含義。如果喜歡，這一章可以直接跟在第2章之後學習。　　第15章描述瞭CMOS製造工藝，並簡單介紹瞭版圖設計規則。　　第16章講述瞭模擬和混閤信號電路的版圖設計和封裝技術，描述瞭許多直接影響電路性能的工程性因素和各種解決技術。　　讀者需要具有電子電路和器件的基本知識，包括pn結、小信號工作的概念、等效電路和簡單偏置。如果用作高年級本科生的選修課程，3個月學期的課程可以講授第1~8章的內容，6個月學期的課程可以講授第1~10章的內容。如果用作研究生一年級的課程，3個月學期的課程可以講授第1~11章及第12~14章中某一章的內容，6個月學期的課程可以講授本書的全部內容。　　每一章內容後的課後習題可以擴展讀者對本章內容的理解，並補充對實際工程因素的認識。授課教師可以獲取課後習題的解答。

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居然是英文的，還比原版刪減瞭一部分！唉，服氣！

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韆萬要看清楚，這不是翻譯版，這是英文版，隻有幾個漢子導讀

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居然是英文的，還比原版刪減瞭一部分！唉，服氣！

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物流挺快，就是書有些摺損。當然，內容還是一如既往地經典

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沒法買到英文原版的隻好買這個影印版的咯

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