电子信息前沿技术丛书：模拟CMOS集成电路设计（第2版） epub pdf mobi txt 电子书 下载 2024

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编辑推荐

　　

广泛采用的模拟电路设计教材（第2版）

“模拟ＣＭＯＳ集成电路设计”提供了模拟ＣＭＯＳ集成电路分析与设计的新视角。这本教材既强调基本原理，也强调对现代模拟电路设计至关重要的新范式。拉扎维教授用清晰而又直观的语言让读者逐渐理解模拟和混合信号集成电路中的重要概念。

拉扎维教授编著的这本教材提供了许多新的内容来增强读者的学习体验：

鳍式晶体管；

增加了一章来讨论低压纳米CMOS电路设计；

增加了边栏突出纳米CMOS电路设计的重要知识点；

基于波特图和Middlebrook技术的反馈系统分析；

增加了奈奎斯特稳定性判据及其应用的章节；

低压能隙基准源；

100多个新的例题。

　　

内容简介

　　

拉扎维教授编著的《模拟CMOS集成电路设计》一书出版于2001年。由于其内容编排合理，讲述方式由浅入深，注重电路直观分析能力的培养，并安排了大量的例题及课后习题，该书一经面世，即在世界范围内引起了强烈反响，迅速被国内外各大高校采用为微电子、电子工程等专业的本科生或研究生教材，成为与P.R.Gray等编著的Analysis and Design of Analog Integrated Circuits齐名的模拟集成电路经典教材。
　　 但是，从2001年至今，CMOS工艺已经发生了巨大变化，晶体管特征尺寸不断缩小，导致衡量晶体管性能的电路参数（跨导效率、特征频率和本征增益）发生了很大变化，加之电源电压不断下降导致传统电路拓扑结构的应用受到限制，期间也出现了新的模拟集成电路分析与设计方法，以上的这些因素都要求对原来的教材内容进行改写。本书第二版正是在此背景下编写的。该版在保留第一版编写特色的前提下，大幅增加了电路设计的叙述篇幅，如第11章专门讨论了纳米CMOS工艺下的电路设计策略和循序渐进的运算放大器设计方法，有利于培养读者的电路设计能力。该版本还引入了波特图和MiddleBrook分析法来分析反馈网络的特性，增加了奈奎斯特稳定性判据、鳍式晶体管（FinFET）、新偏置电路技术及低压能隙基准源等内容，有利于读者跟踪*新的模拟集成电路设计技术。该版本还增加了很多新的例题，并更新了课后习题。我相信改版后的这本教材更加适合于现阶段相关专业本科生和研究生课程教学的需要，也适合作为一线工作的集成电路设计工程师的常用参数书。
　　 由McGraw-Hill出版社出版的《模拟CMOS集成电路设计（第2版）》共包含19章内容。清华大学出版社在引进影印版本时，根据国内教育教学情况进行了删减：（1）考虑到振荡器和锁相环属于高频电路内容，专门的通信电路或射频电路教材均会对其进行详细介绍，将原版本中的第15章“振荡器”和第16章“锁相环”相关内容删除；（2）考虑到国内相关专业普遍开设了专门的“半导体器件物理”“集成电路工艺”等课程，将原版本中的第16章“MOS器件与模型”和第17章“CMOS制造工艺”相关内容删除。

作者简介

毕查德·拉扎维(Behzad Razavi)，1985年在谢里夫理工大学取得电子工程学士学位，1988年和1992年在斯坦福大学取得电子工程硕士学位和电子工程博士学位。毕业后至1996年期间，他在AT&T;贝尔实验室和惠普实验室工作。从1996年开始，他先后以副教授和教授身份在加州大学洛杉矶分校工作。他当前的研究领域包括无线收发机、频率合成器、应用于高速数据通信的锁相环、时钟恢复电路和数据变换器。
拉扎维教授在1992—1994年担任普林斯顿大学的兼职教授，在1995年担任斯坦福大学的兼职教授。1993—2002年，他担任国际固态电路会议（ISSCC）的技术程序委员会委员，1998—2002年，他担任超大规模集成电路会议（VLSI）的技术程序委员会委员。他也曾担任IEEE固态电路杂志（JSSC）、IEEE电路和系统汇刊、国际高速电子学杂志的客座编辑和副主编。
拉扎维教授获得过1994年ISSCC会议Beatrice卓越编辑奖、1994年欧洲固态电路会议上*佳论文奖、1995年和1997年ISSCC会议*佳专题研讨会奖、1997年TRW创新教学奖、1998年IEEE定制集成电路会议*佳论文奖、2001年McGraw-Hill年度*佳新书奖。他是2001年ISSCC Jack Kilby优秀学生论文奖和Beatrice卓越编辑奖的共同获奖人。他获得过2006年Lockheed Martin卓越教学奖、2007年UCLA教员Senate教学奖、2009年和2012年CICC*佳邀请论文奖。他是2012年VLSI电路会议*佳学生论文奖和2013年CICC*佳论文奖的共同获奖人。他还是ISSCC 50年历史上发表论文*多的10个作者之一。他获得过2012年固态电路Donald Pederson奖和2014年美国工程教育协会PSW教学奖。
拉扎维教授是IEEE杰出讲演人，IEEE院士。他是Principles of Data Conversion System Design、RF Microelectronics、Design of Analog CMOS Integrated Circuits、Design of Integrated Circuits for Optical Communications和Fundamentals of Microelectronics的作者以及Monolithic Phase-Locked Loops and Clock Recovery Circuits和Phase-Locking in High-Performance Systems的主编。

前言/序言

　　第2版前言　　当我将这本书第1版的出版提案交给出版商时，他们向我提出了两个问题： ①在数字化世界中，模拟电路书籍有什么样的未来需求？②出版一本仅介绍CMOS工艺的电路设计书籍是否明智？这本书标题中的关键词“模拟”和CMOS正好反映了他们的问题。　　幸运的是，这本书出版后受到了学生、教师和工程师的热烈欢迎，已经被世界范围内的数百所高校采用为教材或参考书，翻译成五种语言，并被引用6500余次。　　从这本书的第1版出版至今，尽管模拟电路设计的许多基本原理没有变化，但由于下面的这些原因，需要对这本书进行改版： CMOS工艺向更小尺寸、更低电源电压的技术迁移，新的分析与设计方法以及某些内容需要更详细的阐述。这次改版主要体现在如下方面：　　更加强调现代CMOS工艺，并汇聚成新增加的一章(第11章)，该章讨论了纳米CMOS工艺下的设计策略和循序渐进的运算放大器设计方法；　　通过引入波特图和Middlebrook分析法，扩展了反馈内容；　　考虑到通常使用的波特图判据无法用来判断某些通用系统的稳定性，增加了使用奈奎斯特判据进行稳定性分析的新章节；　　增加了鳍式晶体管(FinFET)的内容；　　增加了边栏突出纳米CMOS电路设计的重要知识点；　　增加了偏置电路技术的新章节；　　增加了介绍低压能隙基准源的内容；　　新增加了100多个例题。　　一些任课教师问我们为何仍以平方率器件来开始讲解。这主要有两个原因： ① 这样的安排作为一个直观的切入点，为分析放大器的可允许电压摆幅等性能提供了特别的价值； ②尽管16nm及更先进工艺的FinFET器件具有非常短的沟道长度，这些器件仍近似表现出平方率器件特性。　　本书附有课后习题解答和一套新的课件，可以从www.mhhe.com/razavi下载。　　毕查德·拉扎维　　2015年7月　　第1版前言　　在过去的20年中，CMOS工艺在模拟集成电路领域得到广泛应用，提供了低成本、高性能的实现方案，并逐渐占据主流市场位置。虽然硅基双极型工艺和Ⅲ�并踝迤骷�仍能发现应用商机，但对于目前复杂的混合信号系统集成来说，只有CMOS工艺是一种可行的实现方案。随着沟道长度逐步缩小到0.05μm，CMOS工艺将在未来的20年中继续在电路设计中得到广泛应用。　　模拟电路设计技术也随着工艺技术的发展而发展。包含几十个晶体管、处理微弱连续时间信号的高压、高功耗模拟电路已经逐渐被包含数千个器件、以处理强离散时间信号为主的低压、低功耗系统所代替。举例来说，10年前使用的许多模拟电路技术由于无法适应在低压下工作而不再被采用。　　本书讲述模拟CMOS集成电路的分析与设计方法，重点阐述当前产业背景下学生和一线工作的工程师需要掌握的基本原理和新理念新方法。由于模拟电路设计同时强调直观认识和严密分析，每一个概念都先从直观认识的角度引入，然后进行仔细的分析。目标是打下坚固的基础，并培养通过审视来分析电路的方法，从而使读者能了解在哪些电路中可以做何种简化，并预期每一步简化中引入的误差大小。这种处理方式也使读者不需花费额外的精力就可以用这本书中学到的概念来分析双极型电路。　　我已经在UCLA和工业界讲授过这本书中的绝大部分内容，每一次授课时都会对讲授的顺序、方式和内容进行重新梳理。就像读者能从此书中看到的那样，我在编著或讲授时遵从了四条黄金法则： ①我会就读者为什么需要了解即将要学习的概念进行解释； ②我将自己放在读者的位置，预测他/她在第一次阅读各部分内容时可能会遇到的问题； ③考虑到第二条规则，我假设自己只掌握了读者第一次阅读时所拥有的知识，并尽力和读者一起成长，因此会经历与读者同样的思索过程； ④我先以简单但可能不太精确的语言来介绍核心概念，并逐渐增加必要的修正来达到最终精确的想法。最后一条规则在讲授电路课时尤为重要，因为它允许读者观察拓扑的演变，从而能够同时学会电路的分析与综合。　　这本教材包含有16章，每章内容和章节顺序都经过仔细衡量，从而为无论是自学还是3个月或6个月的学期课程学习提供自然的流程。与一些其他的模拟电路设计教科书不同，我们在开始时仅介绍最少量的MOS器件物理的内容，而将更深入的器件特性和制造工艺细节分配到了后面的各章中。对于一个专家来说，这本书介绍的初级器件物理内容可能显得过度简化了，但是我的经验表明： ①初次接触本书内容的读者在他们学习电路知识前并不能领会高阶器件效应和制造工艺，因为他们不明白其中的相关性； ②如果表达合适，这种简单阐述也包含了学习基本电路所需要的足够知识； ③在读者进行了大量的电路分析和设计之后，能够更加有针对性地学习先进的器件机理和工艺步骤。　　第1章为读者提供了学习这本书的背景。　　第2章讲述了MOS器件的基本物理知识和工作原理。　　第3~5章分别讲述单级放大器、差分放大器和电流镜，介绍了通过有效的分析工具来审视定量分析基本电路的行为。　　第6~7章介绍了噪声和频率响应这两个电路的非理想特性。比较早地介绍噪声有利于读者领会在后续电路分析时考虑其影响。　　第8~10章分别讲述了反馈、运算放大器和反馈系统中的稳定性。通过对反馈特性的分析，激励读者去设计高性能、稳定的运算放大器并理解在速度、精度和功耗等方面的折中考虑。　　第11~13章涵盖了更深入的内容： 能隙基准源、基本的开关电容电路、非线性和失配效应。这些内容在目前绝大多数的模拟和混合信号系统中非常重要，因此被纳入本书中。　　第14章涉及高阶MOS器件效应和模型，重点在电路设计方面的含义。如果喜欢，这一章可以直接跟在第2章之后学习。　　第15章描述了CMOS制造工艺，并简单介绍了版图设计规则。　　第16章讲述了模拟和混合信号电路的版图设计和封装技术，描述了许多直接影响电路性能的工程性因素和各种解决技术。　　读者需要具有电子电路和器件的基本知识，包括pn结、小信号工作的概念、等效电路和简单偏置。如果用作高年级本科生的选修课程，3个月学期的课程可以讲授第1~8章的内容，6个月学期的课程可以讲授第1~10章的内容。如果用作研究生一年级的课程，3个月学期的课程可以讲授第1~11章及第12~14章中某一章的内容，6个月学期的课程可以讲授本书的全部内容。　　每一章内容后的课后习题可以扩展读者对本章内容的理解，并补充对实际工程因素的认识。授课教师可以获取课后习题的解答。

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千万要看清楚，这不是翻译版，这是英文版，只有几个汉子导读

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第二版的纸张不如第一版好，太薄了；内容上比原版少了后面几章内容。

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经典教材，买来看看，更新了一点点内容

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还不错

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居然是英文的，还比原版删减了一部分！唉，服气！

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还可以吧，凑单一起买的，搞活动，挺便宜的～～～～

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