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发表于2020-10-21

商品介绍



店铺: 读买天下图书专营店
出版社: 电子工业出版社
ISBN:9787121315657
商品编码:29885657997

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书籍描述

  商品基本信息,请以下列介绍为准
商品名称:固态电子器件
作者:(美)Ben G. Streetman(本 · G. 斯特里特曼) Sanjay K. Banerjee(桑贾伊 · K. 班纳吉)
定价:109.0
出版社:电子工业出版社
出版日期:2018-03-01
ISBN:9787121315657
印次:
版次:7
装帧:平装-胶订
开本:16开

  内容简介
本书是固态电子器件的教材,全书分为固体物理基础和半导体器件物理两大部分,共10章。第1章至第4章介绍半导体材料及其生长技术、量子力学基础、半导体能带以及过剩载流子。第5章至第10章介绍各种电子器件和集成电路的结构、工作原理以及制造工艺等,包括:p-n结、金属-半导体结、异质结;场效应晶体管;双极结型晶体管;光电子器件;高频、大功率及纳电子器件。第9章使用较大篇幅介绍CMOS制造工艺,从器件物理角度介绍SRAM、DRAM、CCD、闪存等集成器件的结构和工作原理。本书的器件种类基本涵盖了所有的器件大类,反映了现代电子器件的基础理论、工作原理、二级效应以及发展趋势。各章均给出小结,并附有习题、参考读物和自测题。

  目录
目 录
第1章 晶体性质和半导体生长1
1.1 半导体材料1
1.2 晶格2
1.2.1 周期结构2
1.2.2 立方晶格4
1.2.3 晶面与晶向5
1.2.4 金刚石晶格7
1.3 大块晶体生长9
1.3.1 原材料的制备9
1.3.2 单晶的生长9
1.3.3 晶片加工11
1.3.4 晶体掺杂11
1.4 薄层晶体的外延生长12
1.4.1 外延生长的晶格匹配13
1.4.2 气相外延14
1.4.3 分子束外延16
1.5 周期性结构中波的传播17
小结18
习题19
参考读物20
自测题20
第2章 原子和电子22
2.1 关于物理模型22
2.2 重要实验及其结果23
2.2.1 光电效应23
2.2.2 原子光谱25
2.3 玻尔模型26
2.4 量子力学基础知识28
2.4.1 几率和不确定性原理29
2.4.2 薛定谔波动方程30
2.4.3 势阱问题32
2.4.4 量子隧穿33
2.5 原子结构和元素周期表34
2.5.1 氢原子34
2.5.2 元素周期表36
小结39
习题40
参考读物41
自测题41
第3章 半导体的能带和载流子43
3.1 固体结合性质与能带43
3.1.1 固体的结合性质43
3.1.2 能带45
3.1.3 金属、半导体和绝缘体47
3.1.4 直接禁带半导体和间接禁带半导体48
3.1.5 化合物半导体能带结构随组分的变化49
3.2 半导体中的载流子50
3.2.1 电子和空穴51
3.2.2 有效质量54
3.2.3 本征半导体56
3.2.4 非本征半导体57
3.2.5 量子阱中的电子和空穴60
3.3 载流子浓度60
3.3.1 费米能级61
3.3.2 平衡态电子和空穴浓度62
3.3.3 载流子浓度对温度的依赖关系66
3.3.4 杂质补偿和空间电荷中性67
3.4 载流子在电场和磁场中的运动68
3.4.1 电导率和迁移率68
3.4.2 电阻率71
3.4.3 迁移率对温度和掺杂浓度的依赖关系72
3.4.4 高场效应74
3.4.5 霍尔效应74
3.5 平衡态费米能级的不变性76
小结77
习题78
参考读物80
自测题81
第4章 半导体中的过剩载流子83
4.1 半导体对光的吸收特性83
4.2 半导体发光85
4.2.1 光致发光85
4.2.2 电致发光87
4.3 载流子寿命和光电导87
4.3.1 电子和空穴的直接复合87
4.3.2 间接复合;载流子俘获89
4.3.3 稳态载流子浓度;准费米能级91
4.3.4 光电导93
4.4 载流子在半导体中的扩散93
4.4.1 扩散机制94
4.4.2 载流子的扩散和漂移;自建电场96
4.4.3 扩散和复合;连续性方程98
4.4.4 稳态注入;扩散长度99
4.4.5 Haynes-Shockley实验101
4.4.6 准费米能级的空间梯度103
小结104
习题104
参考读物107
自测题107
第5章 半导体p-n结和金属-半导体结109
5.1 p-n结的制造109
5.1.1 热氧化109
5.1.2 扩散111
5.1.3 快速热处理112
5.1.4 离子注入113
5.1.5 化学气相淀积114
5.1.6 光刻115
5.1.7 腐蚀(刻蚀)117
5.1.8 金属化118
5.2 平衡态p-n结120
5.2.1 接触电势120
5.2.2 平衡态费米能级123
5.2.3 结的空间电荷124
5.3 结的正偏和反偏;稳态特性127
5.3.1 结电流的定性分析127
5.3.2 载流子的注入130
5.3.3 反向偏置136
5.4 反向击

  编辑
本书反映了现代电子器件的基础理论、工作原理、二级效应以及发展趋势。各章均给出小结,并附有习题、参考读物和自测题。 


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