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作  者:余金中 主编 著作 定  价:178 出 版 社:科学出版社 出版日期:2011年03月01日 页  数:448 装  帧:精装 ISBN:9787030304797 ●序
●前言
●第1章引言
●1.1信息时代的前沿学科——光子学
●1.2硅电子学的发展和硅光子学的诞生
●1.3硅光子学——高科技的焦点
●1.4本书的内容
●参考文献
●第2章硅锗的材料性质
●2.1引言
●2.2Si、Ge的晶体性质
●2.2.2晶格常数
●2.2.3Si1-xGex的晶格失配和临界厚度
●2.3能带结构
●2.3.1Si的能带结构
●2.3.2Si1-xGex的能带结构
●2.3.3Si1-xGex量子结构和超晶格
●2.4Si1-xGex的电学性质
●2.4.1Si1-xGex的载流子迁移率
●2.4.2Si1-xGex/Si和Si1-xGex/Ge中的二维载流子
●部分目录

内容简介

光子学是一门研究光子的产生和运动特性、光子同物质的相互作用及其应用的前沿学科，硅光子学专门研究硅以及硅基异质结材料(诸如SiGe/Si、SOI等)等介质材料中光子的行为和规律，着重研究硅基光子器件的工作原理、结构设计与制造以及在光通信、光计算等领域中的实际应用。《硅光子学(精)》共19章，分别介绍硅基光子学基础、应用和发展趋势；硅基异质结构和量子结构的物理性质、制备方法；硅基光子器件，包括硅基发光器件、探测器、光波导器件；硅基光子晶体、硅基光电子集成、硅基光互连以及硅基太阳能电池。《硅光子学(精)》可以作为高等院校高年级本科生和研究生的教材和参考书，也可作为半导体光子学、光电集成、光电子器件、信息网络系统、计算机光互连及相关技术领域的科研人员、工程技术人员的参考书。 余金中 主编 著作 余金中，湖北鄂州人，1965年中国科学技术大学物理系毕业，在日本大阪大学获工学博士学位。作为访问学者，先后在日本、美国、德国工作过。现为中国科学院半导体研究所研究员、博士生导师，中国科学院研究生院和华中科技大学兼职教授。长期从事半导体光电子学研究，包括研究AIGaAs、InGaAsP激光器和低能等离子体刻蚀微细加工等，目前主要从事硅基光子学的研究。先后获得国家、中国科学院、北京市等各种奖励十多次，其中中国科学院科技进步二等奖和国家科技进步二等奖各两次，1992年起享受特殊津贴。2010年担任Group Four Photonics 2010靠前会议。在靠前外先后发等

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