微電子器件與IC設計基礎（第二版） epub pdf mobi txt 電子書 下載 2024

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編輯推薦

適讀人群 ：本書主要作為高等院校通信，計算機、自控、光電等專業本科生學習微電子及IC方麵知識的技術基礎課教材。
　　《微電子器件與IC設計基礎（第二版）》特點：
　　係統論述微電子器件理論基礎
　　重點論述集成電路設計的軟件、硬件及設計的方法與流程
　　以CMOS電路為對象，講述現代新EDA軟件的應用及版圖設計
　　將物理、器件和集成電路的理論．技術綜閤貫通，融為一體

內容簡介

　　《微電子器件與IC設計基礎（第二版）》主要講述微電子器件和集成電路的基礎理論。內容包括：微電子器件物理基礎；PN結；雙極晶體管及MOSFET結構、工作原理和特性；JFET及MES-FET概要；集成電路基本概念及集成電路設計方法。共計7章。
　　《微電子器件與IC設計基礎（第二版）》可作為高等院校通信、計算機、自動化、光電等專業本科生學習微電子及IC方麵知識的技術基礎課教材。由於采用“積木式”結構，也可作為電子科學與技術及相關專業的本、專科高年級學生及研究生的專業課教材，又可作為從事微電子科學、電子器件、集成電路等工程研究和應用的有關人員的自學教材與參考書。

內頁插圖

目錄

第二版前言
第一版前言
符號錶

第1章 半導體物理基礎
1．1 半導體材料
1．1．1 半導體材料的原子構成
1．1．2 半導體材料的晶體結構
1．2 半導體中的電子
1．2．1 量子力學簡介
1．2．2 半導體中電子的特性與能帶
1．2．3 載流子
1．3 熱平衡狀態下載流子的濃度
1．3．1 電子的統計分布規律
1．3．2 載流子濃度與費米能級的關係
1．3．3 本徵半導體與雜質半導體
1．4 載流子的輸運
1．4．1 載流子的散射
1．4．2 載流子的漂移運動與遷移率
1．4．3 漂移電流與電導率
1．4．4 擴散運動與擴散係數
1．4．5 電流密度方程與愛因斯坦關係式
1．5 非平衡載流子
1．5．1 非平衡載流子的復閤與壽命
1．5．2 準費米能級
1．6 連續性方程與擴散方程
1．6．1 連續性方程
1．6．2 擴散方程
思考題1
習題1

第2章 PN結
2．1 平衡PN結能帶圖及空間電荷區
2．1．1 平衡PN結能帶圖
2．1．2 PN結的形成過程
2．1．3 平衡PN結的載流子濃度分布
2．2 理想PN結的伏安特性
2．2．1 PN結的正嚮特性
2．2．2 PN結的反嚮特性
2．2．3 理想PN結的伏安特性
2．3 實際PN結的特性
2．3．1 PN結空間電荷區中的復閤電流
2．3．2 PN結空間電荷區中的産生電流
2．3．3 PN結錶麵漏電流與錶麵復閤、産生電流
2．3．4 PN結的溫度特性
2．4 PN結的擊穿
2．4．1 PN結空間電荷區中的電場
2．4．2 PN結的雪崩擊穿和隧道擊穿
2．5 PN結的電容
2．5．1 PN結的勢壘電容
2．5．2 PN結的擴散電容
思考題2
習題2

第3章 雙極晶體管
3．1 雙極晶體管的結構
3．1．1 基本結構
3．1．2 晶體管的雜質分布
3．1．3 晶體管的實際結構
3．1．4 晶體管的結構特點
3．1．5 集成電路中的晶體管
3．2 雙極晶體管的放大原理
3．2．1 晶體管直流短路電流放大係數
3．2．2 晶體管內載流子的傳輸
3．2．3 發射效率和基區輸運係數
3．2．4 共基極直流電流放大係數
3．2．5 共射極直流電流放大係數島
3．3 雙極晶體管電流增益
3．3．1 均勻基區晶體管直流電流增益
3．3．2 緩變基區晶體管直流電流增益
3．3．3 影響電流放大係數的因素
3．3．4 大電流下晶體管放大係數的下降
3．4 雙極晶體管常用直流參數
3．4．1 反嚮截止電流
3．4．2 擊穿電壓
3．4．3 集電極最大電流
3．4．4 基極電阻
3．5 雙極晶體管盲流伏安特性
3．5．1 均勻基區晶體管直流伏安特性
3．5．2 雙極晶體管的特性麯綫
3．5．3 Ebers-Moll模型
3．6 交流小信號電流增益及頻率特性參數
3．6．1 交流小信號電流傳輸
3．6．2 BJT交流小信號模型
3．6．3 交流小信號傳輸延遲時間
3．6．4 交流小信號電流增益
3．6．5 頻率特性參數
3．7 雙極晶體管的開關特性
3．7．1 晶體管的開關作用
3．7．2 正嚮壓降和飽和壓降
3．7．3 晶體管的開關過程
3．7．4 雙極晶體管的開關時間
思考題3
習題3

第4章 結型場效應晶體管
4．1 JFET結構與工作原理
4．1．1 PNJFET基本結構
4．1．2 JFET工作原理
4．1．3 JFET特性麯綫
4．1．4 夾斷電壓及飽和漏源電壓
4．2 MESFET
4．2．1 金屬與半導體接觸
4．2．2 MESFET基本結構
4．2．3 MESFET工作原理
4．3 JFET直流特性
4．4 直流特性的非理想效應
4．4．1 溝道長度調製效應
4．4．2 速度飽和效應
4．4．3 亞閾值電流
4．5 JFET的交流小信號特性
4．5．1 JFET的低頻交流小信號參數
4．5．2 JFET本徵電容
4．5．3 交流小信號等效電路
4．5．4 JFET的頻率參數
思考題4
習題4

第5章 MOSFET
5．1 MOS結構及其特性
5．2 MOSFET的結構及工作原理
5．2．1 MOSFET基本結構
5．2．2 MOSFET基本類型
5．2．3 MOSFET基本工作原理
5．2．4 MOSFET轉移特性
5．2．5 MOSFET輸齣特性
5．3 MOSFET的閾值電壓
5．3．1 閾值電壓的含義
5．3．2 平帶電壓
5．3．3 實際MOS結構的電荷分布
5．3．4 閾值電壓錶示式
5．3．5 VBS≠O時的閾值電壓
5．3．6 影響閾值電壓的因素
5．4 MOSFET直流特性
5．4．1 薩支唐方程
5．4．2 影響直流特性的因素
5．4．3 擊穿特性
5．4．4 亞閾特性
5．5 MOSFET小信號特性
5．5．1交流小信號參數
5．5．2本徵電容
5．5．3交流小信號等效電路
5．5．4 截止頻率
5．6 MOSFET開關特性
5．6．1 開關原理
5．6．2 開關時間
5．7 短溝道效應及按比例縮小規則
5．7．1 短溝道效應的含義
5．7．2 短溝道對閾值電壓的影響
5．7．3 窄溝道對閾值電壓的影響
5．7．4 按比例縮小規則
思考題5
習題5

第6章 集成電路概論
6．1 什麼是集成電路
6．2 集成電路的發展曆史
6．3 集成電路相關産業及發展概況
6．4 集成電路分類
6．5 集成電路工藝概述
6．5．1 外延生長
6．5．2 氧化
6．5．3 摻雜
6．5．4 光刻
6．5．5 刻蝕
6．5．6 澱積
6．5．7 鈍化
6．6 CMOS工藝中的無源器件及版圖
6．6．1 電阻
6．6．2 電容
6．6．3 電感
6．7 CMOS工藝中的有源器件及版圖
6．7．1 NMOS
6．7．2 PMOS
6．7．3 NPN
6．7．4 PNI
6．8 CMOS反相器
6．8．1 CMOS反相器的直流特性
6．8．2 CMOS反相器的瞬態特性
6．8．3 CMOS反相器的功耗與設計
6．8．4 CMOS反相器的製作工藝及版圖
6．9 CMOS傳輸門
6．9．1 NMOS傳輸門的特性
6．9．2 PMOS傳輸門的特性
6．9．3 CMOS傳輸門的特性
6．10 CMOS放大器
6．10．1 共源放大器
6．10．2 源極跟隨器
6．10．3 共柵放大器
思考題6
習題6

第7章 集成電路設計基礎
7．1 模擬集成電路設計概述
7．2 模擬集成電路的設計流程及EDA
7．2．1 模擬集成電路設計一般流程
7．2．2 模擬集成電路設計相關EDA
7．2．3 模擬集成電路設計實例
7．3 數字集成電路設計流程及EDA
7．3．1 數字集成電路設計一般流程
7．3．2 數字集成電路設計相關EDA
7．3．3 Vetiog HDL及數字電路設計
7．4 集成電路版圖設計
7．4．1 集成電路版圖設計基本理論
7．4．2 版圖設計的方式
7．4．3 半定製數字集成電路版圖設計
7．4．4 全定製模擬集成電路版圖設計
思考題7
習題7
參考文獻

附錄
附錄A 矽電阻率與雜質濃度關係
附錄B 矽中載流子遷移率與雜質濃度關係
附錄C Si和GaAs在300K的性質
附錄D 常用元素、二元及三元半導體性質
附錄E 常用物理常數
附錄F 國際單位製（SI單位）
附錄G 單位詞頭

前言/序言

　　《微電子器件與IC設計》一書自2003年齣版發行以來，得到瞭廣大讀者的大力支持和廣泛使用，在此錶示衷心感謝！隨著時光的推移，微電子領域的新技術、新理論碩果纍纍，應對飛速發展的形勢，根據教學實踐需要，修改並更新該教材一些較為陳舊的內容已勢在必行。為此，我們編寫瞭《微電子器件與IC設計基礎》第一新教材，作為原書的第二版，奉獻給廣大讀者。
　　本書的內容主要包括：微電子器件物理基礎；PN結；雙極晶體管及MOSFET結構、工作原理和特性；JFET及MESFET概要；集成電路的含義、類型、結構及工藝等基本概念，並重點論述瞭集成電路設計的軟件、硬件及設計的方法與流程。共計7章。
　　本書主要供計算機、通信、自動化及光電等IT類專業的本科生及研究生使用。由於他們缺乏固體物理及半導體物理等理論物理基礎，也不具備微電子器件方麵的必要知識，我們特將有關的物理、器件及集成電路的理論、技術綜閤貫通，融為一體，使學生們在不多的學時內能較為全麵係統地掌握IC設計的理論基礎與方法，以滿足他們對IC及其設計知識日益迫切的渴求。
　　微電子與集成電路是一門理論性和實踐性都很強的學科，要完全掌握IC設計的技術需要多學科知識的綜閤運用。為瞭使讀者對微電子器件的理論有一個初步的理解，我們較為係統地論述瞭微電子器件理論基礎，並盡可能簡化其繁雜的數學推導。在眾多的電路設計軟件與方法中，打破瞭雙極、MOS或模擬、數字的分類範疇，而以應用最為廣泛的CMOS電路為對象，講述瞭現代最新EDA軟件的應用及版圖設計，以期使本書具有“簡明、易讀、新穎、實用”的特點。事實證明，在筆者所瞭解的非微電子專業的學生中，由於學習瞭本書的課程，畢業後同樣能較好地從事他們所喜愛的IC設計工作。
　　本書第1章由高俊雄老師編寫；第2章由陳濤副教授編寫；第3、4、5章及符號錶等由劉剛教授編寫；第6、7章由雷縊銘副教授編寫。本書由劉剛教授任主編，負責編寫大綱的製定，全書結構、風格的協調及統稿、審閱等工作。
　　在編寫過程中，我們參考瞭大量國內有關電子器件、晶體管原理、集成電路等方麵的傳統教材，同時也參考瞭國際上在該領域內的許多新教材，其中主要的文獻資料已詳細列於書後，但難免會有未顧及到的，在此一並錶示衷心感謝。
　　在本書成書過程中，得到瞭多位同行、學生及傢人的大力支持，限於篇幅，不能將他們的名字一一列舉，謹此錶示深深的謝意。
　　迫於時間倉促，書中疏漏及不妥之處在所難免，敬請廣大讀者一如既往地給予支持、鼓勵和指正。

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