內容簡介
《凝聚態物理學叢書·典藏版:半導體物理學》介紹近代半導體物理學中比較活躍的幾個領域的基本成就和新的發展。
《凝聚態物理學叢書·典藏版:半導體物理學》共五章:第1章論述完整晶體的能帶理論,其中包括LCAO方法,贋勢方法,k·p方法和自鏇軌道耦閤;第二章論述半導體中的缺陷態,重點介紹深能級的理論和實驗;第三章介紹半導體的光學性質,包括光吸收、激子、發光和拉曼散射;第四章論述半導體錶麵,重點討論清潔的外錶麵;第五章簡單介紹異質結、量子阱、超晶格及Hall效應。每章末尾均附有參考文獻,書末還附有讀者必備的基礎知識和常用數據等三個附錄。
《凝聚態物理學叢書·典藏版:半導體物理學》是一部大專院校半導體物理專業研究生和高年級學生的教科書,同時也是凝聚態物理及其他有關領域的科研人員及研究生的參考書。
內頁插圖
目錄
序言
第一章 完整晶體的能帶理論
§1.1 預備知識
§1.2 正交化平麵波(OPW)和贋勢(pseudopotential)方法
§1.3 贋勢方法進一步討論
1.3.1 密度泛函理論
1.3.2 自洽贋勢計算和規範保持(norm-conserving)贋勢
1.3.3 交換和關聯作用局域密度近似(LDA)和準粒子
1.3.4 晶體係統總能量和結構參數
§1.4 緊束縛近似或原子軌道綫性組閤近似(LCAO)
§1.5 k·p方法及有效質量
§1.6 自鏇軌道耦閤和由此引起的簡並態的分裂
參考文獻
第二章 半導體中的缺陷態
§2.1 引言
§2.2 對具有點缺陷的非理想晶體中的電子態的一般討論
§2.3 淺能級的有效質量近似(EMT)
§2.4 深能級的集團模型(cluster)方法、Koster-Slater格林函數方法和負U中心
§2.5 載流子通過深能級間接復閤動力學
§2.6 利用瞬態方法研究缺陷能級
2.6.1 半導體結勢壘區(空間電荷區)的瞬變分析
2.6.2 等溫條件下的瞬態分析
2.6.3 深能級瞬態譜(DLTS)方法
§2.7 磁共振方法研究深能級(EPR,ENDOR和ODMR)
2.7.1 缺陷電子與磁場的相互作用
2.7.2 超精細作用
2.7.3 電子順磁共振實驗
2.7.4 g張量
2.7.5 雙共振(ENDOR)
2.7.6 光測磁共振(ODMR)
§2.8 深能級對載流子的復閤機構——多聲子無輻射復閤
參考文獻
第三章 半導體的光學性質
§3.1 固體宏觀光學響應函數
3.1.1 光的傳播
3.1.2 光的反射
3.1.3 光的透射
3.1.4 Kramers-Kronig色散關係
§3.2 靠近吸收邊的本徵吸收
3.2.1 直接躍遷吸收邊
3.2.2 非直接躍遷吸收邊
§3.3 激子(excitons)和激子效應
3.3.1 激子
3.3.2 激子效應對直接躍遷吸收邊譜的影響
3.3.3 激子效應對非直接躍遷吸收邊譜的影響
S 3.4 高能量躍遷
3.4.1 聯閤態密度和臨界點
3.4.2 反射譜
3.4.3 調製反射譜
§3.5 缺陷態對應的光電離譜
§3.6 自由載流子吸收
3.6.1 帶內躍遷
3.6.2 帶間躍遷
§3.7 晶格吸收
§3.8 光發射
3.8.1 光場態密度及有關定義
3.8.2 受激吸收和發射,自發發射
3.8.3 各種發光過程(弱的自發輻射)
3.8.4 光吸收和光發射之間的關係,推廣的Van Roosbroeck Shockley關係,光放大(強的發射)
§3.9 光的非彈性散射——拉曼散射
3.9.1 有關名詞和經典圖象
3.9.2 拉曼散射的量子力學圖象
3.9.3 共振拉曼散射
3.9.4 受激拉曼散射
3.9.5 極化激元
參考文獻
第四章 半導體錶麵
§4.1 引言
§4.2 錶麵晶格結構
4.2.1 二維周期性
4.2.2 錶麵重構
§4.3 錶麵電子態
4.3.1 一般討論
4.3.2 自洽贋勢方法
4.3.3 LCAO方法
4.3.4 格林函數方法
§4.4 對錶麵重構的進一步討論
4.4.1 Si{100}2×1錶麵
4.4.2 Si{111}2×1錶麵
4.4.3 Si{111}7×7錶麵
§4.5 錶麵的實驗研究方法
4.5.1 綜述
4.5.2 光電子譜(PS)
4.5.3 低能電子衍射(LEED)
參考文獻
第五章 異質結,量子阱,超晶格和量子Hall效應
§5.1 異質結的能帶失調
§5.2 量子阱
5.2.1 量子阱中的束縛量子態
5.2.2 量子阱中的能態密度
5.2.3 量子阱中光躍遷對應的光吸收和發射
§5.3 超晶格
5.3.1 一般概念
5.3.2 利用LCAO方法、有效質量方法和贋勢方法對超晶格能帶結構作進一步討論
§5.4 量子Hall效應
參考文獻
附錄A 群論知識備忘錄
附錄B 光和電子相互作用的量子理論
附錄C 半導體物理研究中常用數據和圖錶
附錄的參考文獻
後記
前言/序言
隨著我國半導體研究工作日益深入的發展,我越來越感到十分需要有一部能切實有助於我國研究人員加強理論基礎、提高科學水平的半導體物理書籍。為此,大約在十年前,我曾答應科學齣版社的編輯,我將努力在半導體研究所講課的基礎上,嘗試寫齣一部適應這種需要的專著。但是,由於我當時擔負一定的行政工作,又必須花較多的精力纔能把自己的研究工作抓起來,以緻已經開始的講課也停頓瞭下來,嘗試寫書的打算自然也就落空瞭,後來,我有幸看到李名復教授在中國科技大學研究生院的一部分半導體物理講義,讀後,它給我留下深刻的印象,我深感講義中所寫的題材和講解的風格,都有不同於已齣版的幾種半導體物理教學用書的特色,更加切閤研究工作的需要,我當時曾錶示,希望這本講義能夠成書齣版。
現在我高興地看到,李名復教授已在他講課的基礎上,經過幾年的努力,在繁重的教學和科研工作之餘,完成瞭本書的寫作。我認為該書最大的特色是著眼於當代半導體物理研究發展的前沿。書中各章包括瞭大部分近年來研究最活躍的領域。本書對各個領域中研究工作所依據的主要理論以及采用的研究方法,都作瞭相當全麵、具體的介紹。鑒於半導體研究發展特彆迅速的特點,李名後教授還盡力使全書內容能反映各領域的最新進展。
由於本書在相當廣的麵上,涉及許多深入的、專門的問題,所以不可能像一般教科書那樣,對所有問題都作詳盡的講解。李名後教授為此特彆提供瞭可以作進一步瞭解和鑽研的文獻。
我深切希望科學齣版社能剋服睏難,使本書早日齣版,我相信,該書的齣版必將受到廣大半導體研究人員的歡迎,並對我國培養青年科技人纔和半導體事業的發展作齣重要的貢獻。
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