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內容簡介

本書針對當前軍工電子工藝技術中存在的問題，以科技創新為切入點，按照工藝技術體係框架展開，清晰地論述瞭軍工電子各工藝之間的關係和與武器裝備研製的關聯。本書涵蓋瞭係統、整機、元器件、信息功能材料工藝及相應的工藝設備，科學總結瞭軍事電子裝備研製生産有關的專業工藝技術和工藝管理方法，全麵反映瞭軍事電子工業工藝技術的現狀、水平和成就。該書圖文並茂，數據準確，既有機理方法的描述，又有可操作的工藝技術；既包括瞭現今應用的工藝技術，又麵嚮瞭工藝技術的未來發展，實用性很強。該書的發行，正處於“中國製造2025”全麵實施的曆史進程中，對落實製造強國戰略、提高電子信息工藝水平有重要意義。

作者簡介

　　　　張為民，大學畢業後分配到電子54研究所的前身－電子第17研究所從事工藝技術工作；1989年起擔任電子第54研究所工藝研究室副主任；1991年起擔任電子第54研究所工藝研究室主任；2004年8月起開始不擔任行政工作，主要從事技術研究工作。

目錄

第一篇 概 論
第1章 軍用電子産品及其工藝技術 2
1．1 軍用電子産品 2
1．1．1 綜閤電子信息係統 2
1．1．2 軍事電子裝備 2
1．1．3 電子元器件及信息功能材料 3
1．2 軍工電子工藝技術的內涵與特點 5
1．2．1 軍工電子工藝技術的內涵 5
1．2．2 軍工電子工藝技術的特點 5
1．3 軍工電子工藝技術的地位和作用 7
1．3．1 軍工電子工藝技術的地位 7
1．3．2 軍工電子工藝技術的作用 8
1．4 軍工電子工藝技術的發展曆程 10
參考文獻 12
第2章 軍工電子工藝技術體係 13
2．1 概述 13
2．1．1 軍工電子工藝技術體係圖 13
2．1．2 軍工電子工藝技術關係 13
2．2 軍工電子工藝技術體係構成 13
2．2．1 信息功能材料製造工藝技術 16
2．2．2 電子元器件製造工藝技術 16
2．2．3 電氣互聯技術 17
2．2．4 電子整機製造工藝技術 19
2．2．5 共用技術 22
參考文獻 22
第二篇 工藝技術在軍事電子典型裝備中的應用
第3章 典型電子裝備製造工藝應用 24
3．1 雷達製造工藝 24
3．1．1 雷達及其基本組成 24
3．1．2 雷達裝備工藝技術體係 25
3．1．3 雷達關鍵工藝 27
3．2 電子戰裝備製造工藝 32
3．2．1 電子戰裝備及其基本組成 32
3．2．2 電子戰裝備工藝技術體係 33
3．2．3 電子戰裝備關鍵工藝 35
3．3 通信裝備製造工藝 43
3．3．1 通信裝備及其基本組成 43
3．3．2 通信裝備工藝技術體係 44
3．3．3 通信裝備關鍵工藝 44
3．4 導航裝備製造工藝 50
3．4．1 導航裝備及其基本組成 50
3．4．2 導航裝備工藝技術體係 52
3．4．3 導航裝備關鍵工藝 54
3．5 數據鏈裝備製造工藝 57
3．5．1 數據鏈裝備及其基本組成 57
3．5．2 數據鏈裝備工藝技術體係 58
3．5．3 數據鏈裝備關鍵工藝 60
3．6 綜閤電子信息係統製造工藝 61
3．6．1 綜閤電子信息係統及其基本組成 61
3．6．2 綜閤電子信息係統工藝技術體係 62
3．6．3 綜閤電子信息係統關鍵工藝 64
參考文獻 68
第4章 典型電子元器件製造工藝應用 70
4．1 微電子器件製造工藝 70
4．1．1 微電子器件及其特點 70
4．1．2 微電子器件製造工藝流程 76
4．1．3 微電子器件製造工藝技術體係 78
4．1．4 微電子器件製造關鍵工藝 78
4．2 光電子器件製造工藝 85
4．2．1 光電子器件及其特點 85
4．2．2 光電子器件製造工藝流程 89
4．2．3 光電子器件製造工藝技術體係 95
4．2．4 光電子器件製造關鍵工藝 97
4．3 真空電子器件製造工藝 100
4．3．1 真空電子器件及其特點 100
4．3．2 真空電子器件製造工藝流程 102
4．3．3 真空電子器件製造工藝技術體係 104
4．3．4 真空電子器件製造關鍵工藝 106
4．4 MEMS器件製造工藝 107
4．4．1 MEMS器件及其特點 107
4．4．2 MEMS器件製造工藝流程 110
4．4．3 MEMS器件製造工藝技術體係 113
4．4．4 MEMS器件製造關鍵工藝 114
4．5 物理電源製造工藝 115
4．5．1 物理電源及其特點 115
4．5．2 物理電源製造工藝流程 116
4．5．3 物理電源製造工藝技術體係 117
4．5．4 物理電源製造關鍵工藝 118
4．6 傳感器製造工藝 118
4．6．1 傳感器及其特點 118
4．6．2 傳感器製造工藝流程 121
4．6．3 傳感器製造工藝技術體係 123
4．6．4 傳感器製造關鍵工藝 123
4．7 微係統集成製造工藝 124
4．7．1 微係統集成製造及其特點 124
4．7．2 微係統集成製造工藝流程 127
4．7．3 微係統集成製造工藝技術體係 129
4．7．4 微係統集成製造關鍵工藝 130
參考文獻 132
第三篇 信息功能材料製造工藝技術
第5章 信息功能材料製造工藝技術概述 134
5．1 信息功能材料的內涵及特點 134
5．2 信息功能材料製造工藝的地位及作用 134
5．3 信息功能材料工藝體係框架 135
第6章 晶體材料生長技術 136
6．1 概述 136
6．1．1 晶體材料生長技術體係 136
6．1．2 晶體材料生長技術的應用現狀 137
6．2 熔體法晶體生長工藝 137
6．2．1 直拉法晶體生長工藝 137
6．2．2 區熔法晶體生長工藝 140
6．2．3 LEC晶體生長工藝 142
6．2．4 VB/VGF法晶體生長工藝 144
6．3 氣相法晶體生長工藝 146
6．3．1 PVT法晶體生長工藝 146
6．3．2 HVPE法晶體生長工藝 148
6．4 晶體生長設備 149
6．4．1 直拉單晶生長爐 150
6．4．2 區熔單晶生長爐 150
6．4．3 LEC單晶生長爐 150
6．4．4 VB/VGF單晶生長爐 151
6．4．5 PVT法單晶生長爐 152
6．4．6 HVPE法單晶生長爐 153
6．5 晶體材料生長技術發展趨勢 154
參考文獻 154
第7章 晶體材料加工技術 155
7．1 概述 155
7．1．1 晶體材料加工技術體係 155
7．1．2 晶體材料加工技術的應用現狀 156
7．2 晶體材料加工技術 156
7．2．1 斷棒 156
7．2．2 單晶棒外圓滾磨和定位麵的製作 156
7．2．3 切片 159
7．2．4 倒角 160
7．2．5 倒角後晶圓的厚度分選 160
7．2．6 晶圓的雙麵研磨或錶麵磨削 161
7．2．7 化學腐蝕 162
7．2．8 腐蝕後晶圓的厚度分選 163
7．2．9 拋光 163
7．2．10 晶圓清洗 165
7．2．11 晶圓測量與包裝 165
7．3 晶體加工設備 166
7．3．1 切片機 166
7．3．2 倒角機 166
7．3．3 磨拋設備 167
7．3．4 清洗設備 168
7．4 晶體材料加工技術發展趨勢 168
參考文獻 169
第8章 粉體材料製備技術 170
8．1 概述 170
8．1．1 粉體材料製備技術體係 170
8．1．2 粉體材料製備技術的應用現狀 170
8．2 固相法粉體製備工藝 170
8．2．1 配料、混料 171
8．2．2 預燒 171
8．2．3 磨料 172
8．3 液相法粉體製備工藝 172
8．3．1 溶膠?凝膠法 172
8．3．2 水熱閤成法 173
8．3．3 共沉澱法 173
8．4 粉體製備工藝設備 174
8．4．1 固相法粉體製備工藝設備 174
8．4．2 液相法粉體製備工藝設備 176
8．5 粉體材料製備技術發展趨勢 176
參考文獻 176
第9章 粉體材料成型技術 177
9．1 概述 177
9．1．1 粉體材料成型技術體係 177
9．1．2 粉體材料成型技術的應用現狀 177
9．2 粉體材料成型工藝 177
9．2．1 成型工藝 177
9．2．2 燒結工藝 179
9．2．3 磨加工工藝 180
9．2．4 清洗檢驗 181
9．3 粉體材料加工工藝設備 181
9．3．1 成型設備 181
9．3．2 燒結設備 182
9．3．3 磨加工設備 183
9．4 粉體材料加工工藝發展趨勢 183
參考文獻 184
第四篇 電子元器件製造工藝技術
第10章 外延工藝 186
10．1 概述 186
10．1．1 外延工藝技術體係 186
10．1．2 外延工藝的應用現狀 187
10．2 氣相外延（VPE）工藝 187
10．2．1 Si氣相外延 188
10．2．2 SiGe氣相外延 189
10．2．3 GaAs氣相外延 190
10．2．4 SiC氣相外延 192
10．3 液相外延（LPE）工藝 192
10．3．1 GaAs係液相外延 193
10．3．2 InP係液相外延 194
10．3．3 HgCdTe係液相外延 194
10．4 分子束外延（MBE）工藝 195
10．4．1 固態源分子束外延（SSMBE） 195
10．4．2 氣態源分子束外延（GSMBE） 197
10．4．3 有機源分子束外延（MOMBE） 197
10．5 金屬有機物化學氣相澱積外延（MOCVD）工藝 198
10．5．1 GaAs/InP係MOCVD 198
10．5．2 GaN係MOCVD 200
10．6 外延設備 201
10．6．1 氣相外延（VPE）爐 201
10．6．2 液相外延爐 201
10．6．3 分子束外延設備 202
10．6．4 金屬有機物化學氣相澱積外延設備 202
10．7 外延工藝發展趨勢 204
參考文獻 204
第11章 掩模製造與光刻工藝 205
11．1 概述 205
11．1．1 掩模製造與光刻工藝技術體係 205
11．1．2 掩模製造與光刻工藝的應用現狀 206
11．2 掩模製造工藝 206
11．2．1 數據處理 206
11．2．2 曝光 207
11．2．3 掩模的基闆 207
11．2．4 掩模製造工藝分類 207
11．2．5 掩模質量控製 208
11．3 光刻工藝 209
11．3．1 預處理 209
11．3．2 塗膠 210
11．3．3 曝光 210
11．3．4 顯影 214
11．3．5 光刻質量控製 215
11．4 掩模和光刻設備 217
11．4．1 塗膠顯影軌道 217
11．4．2 光刻機 217
11．4．3 電子束曝光係統 217
11．5 掩模製造與光刻工藝發展趨勢 218
參考文獻 219
第12章 摻雜工藝 220
12．1 概述 220
12．1．1 摻雜工藝技術體係 220
12．1．2 摻雜工藝的應用現狀 220
12．2 擴散工藝 221
12．2．1 擴散 221
12．2．2 常用擴散工藝 223
12．2．3 擴散層質量的檢驗 227
12．3 離子注入工藝 229
12．3．1 離子注入 229
12．3．2 離子注入係統 231
12．3．3 離子注入參數 233
12．3．4 離子注入工藝與應用 233
12．4 摻雜設備 235
12．4．1 擴散氧化爐 235
12．4．2 離子注入機 236
12．4．3 退火爐 236
12．5 摻雜工藝發展趨勢 236
參考文獻 237
第13章 刻蝕工藝 238
13．1 概述 238
13．1．1 刻蝕工藝技術體係 238
13．1．2 刻蝕工藝的應用現狀 239
13．2 濕法刻蝕工藝 239
13．2．1 矽的刻蝕 239
13．2．2 GaAs和InP的各嚮異性刻蝕 242
13．2．3 非半導體薄膜材料的刻蝕 244
13．3 乾法刻蝕工藝 246
13．3．1 乾法刻蝕 246
13．3．2 等離子刻蝕的工藝參數 247
13．3．3 等離子體刻蝕方法 249
13．4 刻蝕設備 252
13．4．1 等離子刻蝕設備 253
13．4．2 離子束刻蝕設備 253
13．4．3 反應離子刻蝕機 253
13．5 刻蝕工藝發展趨勢 254
參考文獻 254
第14章 薄膜生長工藝 255
14．1 概述 255
14．1．1 薄膜生長工藝技術體係 255
14．1．2 薄膜澱積工藝應用現狀 256
14．2 金屬薄膜生長工藝 256
14．2．1 真空鍍膜 256
14．2．2 電鍍法 261
14．2．3 CVD法 262
14．3 介質薄膜生長工藝 262
14．3．1 化學氣相澱積 262
14．3．2 射頻濺射 270
14．3．3 熱氧化生長介質膜 270
14．4 薄膜生長設備 270
14．4．1 等離子體增強化學氣相澱積設備（PECVD） 270
14．4．2 低壓化學氣相澱積設備（LPCVD） 271
14．4．3 氧化爐 272
14．5 薄膜生長工藝發展趨勢 272
參考文獻 272
第15章 清洗工藝 273
15．1 概述 273
15．1．1 半導體清洗工藝技術體係 273
15．1．2 半導體清洗工藝的應用現狀 273
15．2 微粒清洗工藝 274
15．2．1 清洗的一般流程 274
15．2．2 各類雜質的清洗方法 274
15．2．3 清洗後的處理 278
15．2．4 其他清洗方式 279
15．3 膜層清洗工藝 280
15．4 清洗設備 282
15．4．1 槽式清洗設備 282
15．4．2 鏇轉衝洗甩乾設備 283
15．4．3 單片腐蝕清洗設備 283
15．5 清洗工藝發展趨勢 283
參考文獻 284
第16章 電子元器件封裝工藝 285
16．1 概述 285
16．1．1 電子元器件封裝工藝技術體係 285
16．1．2 電子元器件封裝工藝的應用現狀 286
16．2 電子元器件封裝陶瓷外殼 286
16．3 IC封裝工藝 299
16．3．1 工藝流程 299
16．3．2 封裝工藝可靠性控製 310
16．4 紅外探測器封裝工藝 311
16．4．1 紅外探測器封裝 311
16．4．2 紅外焦平麵探測器封裝結構 311
16．4．3 紅外焦平麵探測器封裝工藝 312
16．5 MEMS封裝工藝 317
16．5．1 MEMS 封裝 317
16．5．2 MEMS常規封裝形式 317
16．5．3 MEMS封裝密封要求 318
16．5．4 晶圓級封裝和芯片級MEMS封裝 319
16．5．5 MEMS與係統集成 320
16．6 封裝工藝發展趨勢 320
參考文獻 322
第17章 微波真空電子器件製造工藝 323
17．1 概述 323
17．1．1 微波真空電子器件製造工藝技術體係 323
17．1．2 微波真空電子器件製造工藝的應用現狀 324
17．2 微波真空電子器件製造工藝 324
17．2．1 陰極製造工藝 324
17．2．2 陶瓷金屬化與封接工藝 328
17．2．3 先進連接工藝 328
17．2．4 排氣工藝 331
17．2．5 在綫檢漏工藝 332
17．2．6 老煉工藝 332
17．3 微波真空電子器件製造工藝發展趨勢 333
17．3．1 毫米波亞毫米波微細加工工藝 333
17．3．2 未來功能陶瓷 333
17．3．3 新型微波吸收、衰減陶瓷 333
參考文獻 334
第18章 物理與化學電源製造工藝 335
18．1 概述 335
18．1．1 物理與化學電源製造工藝技術體係 335
18．1．2 物理與化學電源製造工藝技術應用現狀 336
18．2 電極製備工藝 336
18．2．1 塗布工藝 337
18．2．2 極闆壓製工藝 338
18．2．3 燒結與浸漬工藝 338
18．3 隔膜製備與處理工藝 339
18．4 單體電池極組裝配工藝 340
18．4．1 捲繞工藝 340
18．4．2 疊片工藝 341
18．5 電池裝配工藝 342
18．5．1 焊接工藝 342
18．5．2 鉚接工藝 342
18．5．3 注液工藝 342
18．6 化成工藝 343
18．6．1 極闆化成工藝 343
18．6．2 單體電池化成工藝 343
18．7 電池組閤裝配工藝 344
18．7．1 儲液器裝配工藝 344
18．7．2 化學加熱器裝配工藝 345
18．8 電池封裝工藝 345
18．8．1 陶瓷金屬密封極柱製造工藝 345
18．8．2 焊接封裝工藝 346
18．9 物理與化學電源工藝發展趨勢 346
18．9．1 化學電源工藝技術發展趨勢 346
18．9．2 物理電源工藝技術發展趨勢 347
參考文獻 347
第19章 微係統集成製造工藝 348
19．1 概述 348
19．1．1 微係統集成製造工藝體係 348
19．1．2 微係統集成製造工藝的應用現狀 349
19．2 異質集成工藝 349
19．2．1 異質材料製備工藝 349
19．2．2 異質器件集

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