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张为民 编

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发表于2020-10-24

商品介绍



出版社: 电子工业出版社
ISBN:9787121303883
版次:1
商品编码:12093810
包装:平装
开本:16开
出版时间:2017-01-01
用纸:胶版纸
页数:968
字数:1587600
正文语种:中文

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书籍描述

内容简介

本书针对当前军工电子工艺技术中存在的问题,以科技创新为切入点,按照工艺技术体系框架展开,清晰地论述了军工电子各工艺之间的关系和与武器装备研制的关联。本书涵盖了系统、整机、元器件、信息功能材料工艺及相应的工艺设备,科学总结了军事电子装备研制生产有关的专业工艺技术和工艺管理方法,全面反映了军事电子工业工艺技术的现状、水平和成就。该书图文并茂,数据准确,既有机理方法的描述,又有可操作的工艺技术;既包括了现今应用的工艺技术,又面向了工艺技术的未来发展,实用性很强。该书的发行,正处于“中国制造2025”全面实施的历史进程中,对落实制造强国战略、提高电子信息工艺水平有重要意义。

作者简介

    张为民,大学毕业后分配到电子54研究所的前身-电子第17研究所从事工艺技术工作;1989年起担任电子第54研究所工艺研究室副主任;1991年起担任电子第54研究所工艺研究室主任;2004年8月起开始不担任行政工作,主要从事技术研究工作。

目录

第一篇 概 论
第1章 军用电子产品及其工艺技术 2
1.1 军用电子产品 2
1.1.1 综合电子信息系统 2
1.1.2 军事电子装备 2
1.1.3 电子元器件及信息功能材料 3
1.2 军工电子工艺技术的内涵与特点 5
1.2.1 军工电子工艺技术的内涵 5
1.2.2 军工电子工艺技术的特点 5
1.3 军工电子工艺技术的地位和作用 7
1.3.1 军工电子工艺技术的地位 7
1.3.2 军工电子工艺技术的作用 8
1.4 军工电子工艺技术的发展历程 10
参考文献 12
第2章 军工电子工艺技术体系 13
2.1 概述 13
2.1.1 军工电子工艺技术体系图 13
2.1.2 军工电子工艺技术关系 13
2.2 军工电子工艺技术体系构成 13
2.2.1 信息功能材料制造工艺技术 16
2.2.2 电子元器件制造工艺技术 16
2.2.3 电气互联技术 17
2.2.4 电子整机制造工艺技术 19
2.2.5 共用技术 22
参考文献 22
第二篇 工艺技术在军事电子典型装备中的应用
第3章 典型电子装备制造工艺应用 24
3.1 雷达制造工艺 24
3.1.1 雷达及其基本组成 24
3.1.2 雷达装备工艺技术体系 25
3.1.3 雷达关键工艺 27
3.2 电子战装备制造工艺 32
3.2.1 电子战装备及其基本组成 32
3.2.2 电子战装备工艺技术体系 33
3.2.3 电子战装备关键工艺 35
3.3 通信装备制造工艺 43
3.3.1 通信装备及其基本组成 43
3.3.2 通信装备工艺技术体系 44
3.3.3 通信装备关键工艺 44
3.4 导航装备制造工艺 50
3.4.1 导航装备及其基本组成 50
3.4.2 导航装备工艺技术体系 52
3.4.3 导航装备关键工艺 54
3.5 数据链装备制造工艺 57
3.5.1 数据链装备及其基本组成 57
3.5.2 数据链装备工艺技术体系 58
3.5.3 数据链装备关键工艺 60
3.6 综合电子信息系统制造工艺 61
3.6.1 综合电子信息系统及其基本组成 61
3.6.2 综合电子信息系统工艺技术体系 62
3.6.3 综合电子信息系统关键工艺 64
参考文献 68
第4章 典型电子元器件制造工艺应用 70
4.1 微电子器件制造工艺 70
4.1.1 微电子器件及其特点 70
4.1.2 微电子器件制造工艺流程 76
4.1.3 微电子器件制造工艺技术体系 78
4.1.4 微电子器件制造关键工艺 78
4.2 光电子器件制造工艺 85
4.2.1 光电子器件及其特点 85
4.2.2 光电子器件制造工艺流程 89
4.2.3 光电子器件制造工艺技术体系 95
4.2.4 光电子器件制造关键工艺 97
4.3 真空电子器件制造工艺 100
4.3.1 真空电子器件及其特点 100
4.3.2 真空电子器件制造工艺流程 102
4.3.3 真空电子器件制造工艺技术体系 104
4.3.4 真空电子器件制造关键工艺 106
4.4 MEMS器件制造工艺 107
4.4.1 MEMS器件及其特点 107
4.4.2 MEMS器件制造工艺流程 110
4.4.3 MEMS器件制造工艺技术体系 113
4.4.4 MEMS器件制造关键工艺 114
4.5 物理电源制造工艺 115
4.5.1 物理电源及其特点 115
4.5.2 物理电源制造工艺流程 116
4.5.3 物理电源制造工艺技术体系 117
4.5.4 物理电源制造关键工艺 118
4.6 传感器制造工艺 118
4.6.1 传感器及其特点 118
4.6.2 传感器制造工艺流程 121
4.6.3 传感器制造工艺技术体系 123
4.6.4 传感器制造关键工艺 123
4.7 微系统集成制造工艺 124
4.7.1 微系统集成制造及其特点 124
4.7.2 微系统集成制造工艺流程 127
4.7.3 微系统集成制造工艺技术体系 129
4.7.4 微系统集成制造关键工艺 130
参考文献 132
第三篇 信息功能材料制造工艺技术
第5章 信息功能材料制造工艺技术概述 134
5.1 信息功能材料的内涵及特点 134
5.2 信息功能材料制造工艺的地位及作用 134
5.3 信息功能材料工艺体系框架 135
第6章 晶体材料生长技术 136
6.1 概述 136
6.1.1 晶体材料生长技术体系 136
6.1.2 晶体材料生长技术的应用现状 137
6.2 熔体法晶体生长工艺 137
6.2.1 直拉法晶体生长工艺 137
6.2.2 区熔法晶体生长工艺 140
6.2.3 LEC晶体生长工艺 142
6.2.4 VB/VGF法晶体生长工艺 144
6.3 气相法晶体生长工艺 146
6.3.1 PVT法晶体生长工艺 146
6.3.2 HVPE法晶体生长工艺 148
6.4 晶体生长设备 149
6.4.1 直拉单晶生长炉 150
6.4.2 区熔单晶生长炉 150
6.4.3 LEC单晶生长炉 150
6.4.4 VB/VGF单晶生长炉 151
6.4.5 PVT法单晶生长炉 152
6.4.6 HVPE法单晶生长炉 153
6.5 晶体材料生长技术发展趋势 154
参考文献 154
第7章 晶体材料加工技术 155
7.1 概述 155
7.1.1 晶体材料加工技术体系 155
7.1.2 晶体材料加工技术的应用现状 156
7.2 晶体材料加工技术 156
7.2.1 断棒 156
7.2.2 单晶棒外圆滚磨和定位面的制作 156
7.2.3 切片 159
7.2.4 倒角 160
7.2.5 倒角后晶圆的厚度分选 160
7.2.6 晶圆的双面研磨或表面磨削 161
7.2.7 化学腐蚀 162
7.2.8 腐蚀后晶圆的厚度分选 163
7.2.9 抛光 163
7.2.10 晶圆清洗 165
7.2.11 晶圆测量与包装 165
7.3 晶体加工设备 166
7.3.1 切片机 166
7.3.2 倒角机 166
7.3.3 磨抛设备 167
7.3.4 清洗设备 168
7.4 晶体材料加工技术发展趋势 168
参考文献 169
第8章 粉体材料制备技术 170
8.1 概述 170
8.1.1 粉体材料制备技术体系 170
8.1.2 粉体材料制备技术的应用现状 170
8.2 固相法粉体制备工艺 170
8.2.1 配料、混料 171
8.2.2 预烧 171
8.2.3 磨料 172
8.3 液相法粉体制备工艺 172
8.3.1 溶胶?凝胶法 172
8.3.2 水热合成法 173
8.3.3 共沉淀法 173
8.4 粉体制备工艺设备 174
8.4.1 固相法粉体制备工艺设备 174
8.4.2 液相法粉体制备工艺设备 176
8.5 粉体材料制备技术发展趋势 176
参考文献 176
第9章 粉体材料成型技术 177
9.1 概述 177
9.1.1 粉体材料成型技术体系 177
9.1.2 粉体材料成型技术的应用现状 177
9.2 粉体材料成型工艺 177
9.2.1 成型工艺 177
9.2.2 烧结工艺 179
9.2.3 磨加工工艺 180
9.2.4 清洗检验 181
9.3 粉体材料加工工艺设备 181
9.3.1 成型设备 181
9.3.2 烧结设备 182
9.3.3 磨加工设备 183
9.4 粉体材料加工工艺发展趋势 183
参考文献 184
第四篇 电子元器件制造工艺技术
第10章 外延工艺 186
10.1 概述 186
10.1.1 外延工艺技术体系 186
10.1.2 外延工艺的应用现状 187
10.2 气相外延(VPE)工艺 187
10.2.1 Si气相外延 188
10.2.2 SiGe气相外延 189
10.2.3 GaAs气相外延 190
10.2.4 SiC气相外延 192
10.3 液相外延(LPE)工艺 192
10.3.1 GaAs系液相外延 193
10.3.2 InP系液相外延 194
10.3.3 HgCdTe系液相外延 194
10.4 分子束外延(MBE)工艺 195
10.4.1 固态源分子束外延(SSMBE) 195
10.4.2 气态源分子束外延(GSMBE) 197
10.4.3 有机源分子束外延(MOMBE) 197
10.5 金属有机物化学气相淀积外延(MOCVD)工艺 198
10.5.1 GaAs/InP系MOCVD 198
10.5.2 GaN系MOCVD 200
10.6 外延设备 201
10.6.1 气相外延(VPE)炉 201
10.6.2 液相外延炉 201
10.6.3 分子束外延设备 202
10.6.4 金属有机物化学气相淀积外延设备 202
10.7 外延工艺发展趋势 204
参考文献 204
第11章 掩模制造与光刻工艺 205
11.1 概述 205
11.1.1 掩模制造与光刻工艺技术体系 205
11.1.2 掩模制造与光刻工艺的应用现状 206
11.2 掩模制造工艺 206
11.2.1 数据处理 206
11.2.2 曝光 207
11.2.3 掩模的基板 207
11.2.4 掩模制造工艺分类 207
11.2.5 掩模质量控制 208
11.3 光刻工艺 209
11.3.1 预处理 209
11.3.2 涂胶 210
11.3.3 曝光 210
11.3.4 显影 214
11.3.5 光刻质量控制 215
11.4 掩模和光刻设备 217
11.4.1 涂胶显影轨道 217
11.4.2 光刻机 217
11.4.3 电子束曝光系统 217
11.5 掩模制造与光刻工艺发展趋势 218
参考文献 219
第12章 掺杂工艺 220
12.1 概述 220
12.1.1 掺杂工艺技术体系 220
12.1.2 掺杂工艺的应用现状 220
12.2 扩散工艺 221
12.2.1 扩散 221
12.2.2 常用扩散工艺 223
12.2.3 扩散层质量的检验 227
12.3 离子注入工艺 229
12.3.1 离子注入 229
12.3.2 离子注入系统 231
12.3.3 离子注入参数 233
12.3.4 离子注入工艺与应用 233
12.4 掺杂设备 235
12.4.1 扩散氧化炉 235
12.4.2 离子注入机 236
12.4.3 退火炉 236
12.5 掺杂工艺发展趋势 236
参考文献 237
第13章 刻蚀工艺 238
13.1 概述 238
13.1.1 刻蚀工艺技术体系 238
13.1.2 刻蚀工艺的应用现状 239
13.2 湿法刻蚀工艺 239
13.2.1 硅的刻蚀 239
13.2.2 GaAs和InP的各向异性刻蚀 242
13.2.3 非半导体薄膜材料的刻蚀 244
13.3 干法刻蚀工艺 246
13.3.1 干法刻蚀 246
13.3.2 等离子刻蚀的工艺参数 247
13.3.3 等离子体刻蚀方法 249
13.4 刻蚀设备 252
13.4.1 等离子刻蚀设备 253
13.4.2 离子束刻蚀设备 253
13.4.3 反应离子刻蚀机 253
13.5 刻蚀工艺发展趋势 254
参考文献 254
第14章 薄膜生长工艺 255
14.1 概述 255
14.1.1 薄膜生长工艺技术体系 255
14.1.2 薄膜淀积工艺应用现状 256
14.2 金属薄膜生长工艺 256
14.2.1 真空镀膜 256
14.2.2 电镀法 261
14.2.3 CVD法 262
14.3 介质薄膜生长工艺 262
14.3.1 化学气相淀积 262
14.3.2 射频溅射 270
14.3.3 热氧化生长介质膜 270
14.4 薄膜生长设备 270
14.4.1 等离子体增强化学气相淀积设备(PECVD) 270
14.4.2 低压化学气相淀积设备(LPCVD) 271
14.4.3 氧化炉 272
14.5 薄膜生长工艺发展趋势 272
参考文献 272
第15章 清洗工艺 273
15.1 概述 273
15.1.1 半导体清洗工艺技术体系 273
15.1.2 半导体清洗工艺的应用现状 273
15.2 微粒清洗工艺 274
15.2.1 清洗的一般流程 274
15.2.2 各类杂质的清洗方法 274
15.2.3 清洗后的处理 278
15.2.4 其他清洗方式 279
15.3 膜层清洗工艺 280
15.4 清洗设备 282
15.4.1 槽式清洗设备 282
15.4.2 旋转冲洗甩干设备 283
15.4.3 单片腐蚀清洗设备 283
15.5 清洗工艺发展趋势 283
参考文献 284
第16章 电子元器件封装工艺 285
16.1 概述 285
16.1.1 电子元器件封装工艺技术体系 285
16.1.2 电子元器件封装工艺的应用现状 286
16.2 电子元器件封装陶瓷外壳 286
16.3 IC封装工艺 299
16.3.1 工艺流程 299
16.3.2 封装工艺可靠性控制 310
16.4 红外探测器封装工艺 311
16.4.1 红外探测器封装 311
16.4.2 红外焦平面探测器封装结构 311
16.4.3 红外焦平面探测器封装工艺 312
16.5 MEMS封装工艺 317
16.5.1 MEMS 封装 317
16.5.2 MEMS常规封装形式 317
16.5.3 MEMS封装密封要求 318
16.5.4 晶圆级封装和芯片级MEMS封装 319
16.5.5 MEMS与系统集成 320
16.6 封装工艺发展趋势 320
参考文献 322
第17章 微波真空电子器件制造工艺 323
17.1 概述 323
17.1.1 微波真空电子器件制造工艺技术体系 323
17.1.2 微波真空电子器件制造工艺的应用现状 324
17.2 微波真空电子器件制造工艺 324
17.2.1 阴极制造工艺 324
17.2.2 陶瓷金属化与封接工艺 328
17.2.3 先进连接工艺 328
17.2.4 排气工艺 331
17.2.5 在线检漏工艺 332
17.2.6 老炼工艺 332
17.3 微波真空电子器件制造工艺发展趋势 333
17.3.1 毫米波亚毫米波微细加工工艺 333
17.3.2 未来功能陶瓷 333
17.3.3 新型微波吸收、衰减陶瓷 333
参考文献 334
第18章 物理与化学电源制造工艺 335
18.1 概述 335
18.1.1 物理与化学电源制造工艺技术体系 335
18.1.2 物理与化学电源制造工艺技术应用现状 336
18.2 电极制备工艺 336
18.2.1 涂布工艺 337
18.2.2 极板压制工艺 338
18.2.3 烧结与浸渍工艺 338
18.3 隔膜制备与处理工艺 339
18.4 单体电池极组装配工艺 340
18.4.1 卷绕工艺 340
18.4.2 叠片工艺 341
18.5 电池装配工艺 342
18.5.1 焊接工艺 342
18.5.2 铆接工艺 342
18.5.3 注液工艺 342
18.6 化成工艺 343
18.6.1 极板化成工艺 343
18.6.2 单体电池化成工艺 343
18.7 电池组合装配工艺 344
18.7.1 储液器装配工艺 344
18.7.2 化学加热器装配工艺 345
18.8 电池封装工艺 345
18.8.1 陶瓷金属密封极柱制造工艺 345
18.8.2 焊接封装工艺 346
18.9 物理与化学电源工艺发展趋势 346
18.9.1 化学电源工艺技术发展趋势 346
18.9.2 物理电源工艺技术发展趋势 347
参考文献 347
第19章 微系统集成制造工艺 348
19.1 概述 348
19.1.1 微系统集成制造工艺体系 348
19.1.2 微系统集成制造工艺的应用现状 349
19.2 异质集成工艺 349
19.2.1 异质材料制备工艺 349
19.2.2 异质器件集

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