Springer手册精选系列·晶体生长手册（第4册）：蒸发及外延法晶体生长技术（影印版） [Springer Handbook Crystal Growth] epub pdf mobi txt 电子书 下载 2024

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内容简介

　　《Springer手册精选系列·晶体生长手册（第4册）：蒸发及外延法晶体生长技术（影印版）》的主题是气相生长。这一部分提供了碳化硅、氮化镓、氮化铝和有机半导体的气相生长的内容。随后的PartE是关于外延生长和薄膜的，主要包括从液相的化学气相淀积到脉冲激光和脉冲电子淀积。

作者简介

　　Govindhan Dhanaraj is the Manager of Crystal Growth Technologies at Advanced Renewable Energy Company （ARC Energy） at Nashua， New Hampshire （USA） focusing on the growth of large size sapphire crystals for LED lighting applications， characterization and related crystal growth furnace development. He received his PhD from the Indian Institute of Science， Bangalore and his Master of Science from Anna University （India）. Immediately after his doctoral degree， Dr. Dhanaraj joined a National Laboratory， presently known as Rajaramanna Center for Advanced Technology in India， where he established an advanced Crystal Growth Laboratory for the growth of optical and laser crystals. Prior to joining ARC Energy， Dr. Dhanaraj served as a Research Professor at the Department of Materials Science and Engineering， Stony Brook University， NY， and also held a position of Research Assistant Professor at Hampton University， VA. During his 25 years of focused expertise in crystal growth research， he has developed optical， laser and semiconductor bulk crystals and SiC epitaxial films using solution， flux， Czochralski， Bridgeman， gel and vapor methods， and characterized them using x-ray topography， synchrotron topography， chemical etching and optical and atomic force microscopic techniques. He co-organized a symposium on Industrial Crystal Growth under the 17th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy in conjunction with the 14th US Biennial Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy held at Lake Geneva， WIin 2009. Dr. Dhanaraj has delivered invited lectures and also served as session chairman in many crystal growth and materials science meetings. He has published over 100 papers and his research articles have attracted over 250 rich citations.

内页插图

精彩书评

　　施普林格的手册，一贯全面阐述基础理论，提供可靠的研究方法和关键知识皮及大量的参考文献，介绍最新的应用实例，前瞻学科的发展方向。手册作者多为世界首席专家或知名学者。手册具有极大的实用性，其表格、图标、索引等更增加了它的使用价值。
　　——《Springer手册精选系列》推荐委员会

目录

缩略语
PartD 晶体的气相生长
23 SiC晶体的生长与表征
23.1 SiC-背景与历史
23.2 气相生长
23.3 高温溶液生长
23.4 籽晶升华的产业化体材料生长
23.5 结构缺陷及其构造
23.6 结语
参考文献

24 物理气相传输法生长体材料AIN晶体
24.1 物理气相传输法晶体生长
24.2 高温材料兼容
24.3 AIN体材料晶体的自籽晶生长
24.4 AIN体材料晶体的籽晶生长
24.5 高质量晶体表征
24.6 结论与展望
参考文献

25 单晶有机半导体的生长
25.1 基础
25.2 成核与晶体生长理论
25.3 对半导体单晶有机材料的兴趣
25.4 提纯预生长
25.5 晶体生长
25.6 有机半导体单晶的质量
25.7 有机单晶场效应晶体管
25.8 结论
参考文献

26 卤化物气相外延生长Ⅲ族氮化物
26.1 生长化学和热力学
26.2 HVPE生长设备
26.3 体材料GaN的生长衬底和模版
26.4 衬底除去技术
26.5 HVPE中GaN的掺杂方法
26.6 缺陷密度、位错和残留杂质
26.7 HVPE生长的体材料GaN的一些重要性能
26.8 通过HVPE生长AIN:一些初步的结论
26.9 通过HVPE生长InN:一些初步的结论
参考文献

27 半导体单晶的气相生长
27.1 气相生长分类
27.2 化学气相传输——传输动力学
27.3 热力学讨论
27.4 CVT法Ⅱ-Ⅵ化合物半导体的生长
27.5 纳米材料的气相生长
27.6Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ，化合物生长
27.7 VPE法生长氮化镓
27.8 结论
参考文献

PartE 外延生长和薄膜
28化学气相沉积的碳化硅外延生长
28.1 碳化硅极化类型
28.2 碳化硅的缺陷
28.3 碳化硅外延生长
28.4 图形衬底上的外延生长
28.5 结论
参考文献

29 半导体的液相电外延
29.1 背景
29.2 早期理论和模型的研究
……
30 半导体的外延横向增生
31 新材料的液相外延
32 分子束外延的HgCdTe生长
33 稀释氮化物的金属有机物气相外延和砷化物量子点
34 锗硅异质结的形成及其特性
35 脉冲激光的等离子能量和脉冲电子淀积

前言/序言

　　多年以来，有很多探索研究已经成功地描述了晶体生长的生长工艺和科学，有许多文章、专著、会议文集和手册对这一领域的前沿成果做了综合评述。这些出版物反映了人们对体材料晶体和薄膜晶体的兴趣日益增长，这是由于它们的电子、光学、机械、微结构以及不同的科学和技术应用引起的。实际上，大部分半导体和光器件的现代成果，如果没有基本的、二元的、三元的及其他不同特性和大尺寸的化合物晶体的发展则是不可能的。这些文章致力于生长机制的基本理解、缺陷形成、生长工艺和生长系统的设计，因此数量是庞大的。
　　本手册针对目前备受关注的体材料晶体和薄膜晶体的生长技术水平进行阐述。我们的目的是使读者了解经常使用的生长工艺、材料生产和缺陷产生的基本知识。为完成这一任务，我们精选了50多位顶尖科学家、学者和工程师，他们的合作者来自于22个不同国家。这些作者根据他们的专业所长，编写了关于晶体生长和缺陷形成共计52章内容：从熔体、溶液到气相体材料生长；外延生长；生长工艺和缺陷的模型；缺陷特性的技术以及一些现代的特别课题。
　　本手册分为七部分。PartA介绍基础理论：生长和表征技术综述，表面成核工艺，溶液生长晶体的形态，生长过程中成核的层错，缺陷形成的形态。
　　PartB介绍体材料晶体的熔体生长，一种生长大尺寸晶体的关键方法。这一部分阐述了直拉单晶工艺、泡生法、布里兹曼法、浮区熔融等工艺，以及这些方法的最新进展，例如应用磁场的晶体生长、生长轴的取向、增加底基和形状控制。本部分涉及材料从硅和Ⅲ-V族化合物到氧化物和氟化物的广泛内容。
　　第三部分，本书的PartC关注了溶液生长法。在前两章里讨论了水热生长法的不同方面，随后的三章介绍了非线性和激光晶体、KTP和KDP。通过在地球上和微重力环境下生长的比较给出了重力对溶液生长法的影响的知识。
　　PartD的主题是气相生长。这一部分提供了碳化硅、氮化镓、氮化铝和有机半导体的气相生长的内容。随后的PartE是关于外延生长和薄膜的，主要包括从液相的化学气相淀积到脉冲激光和脉冲电子淀积。
　　PartF介绍了生长工艺和缺陷形成的模型。这些章节验证了工艺参数和产生晶体质量问题包括缺陷形成的直接相互作用关系。随后的PartG展示了结晶材料特性和分析的发展。PartF和G说明了预测工具和分析技术在帮助高质量的大尺寸晶体生长工艺的设计和控制方面是非常好用的。
　　最后的PartH致力于精选这一领域的部分现代课题，例如蛋白质晶体生长、凝胶结晶、原位结构、单晶闪烁材料的生长、光电材料和线切割大晶体薄膜。
　　我们希望这本施普林格手册对那些学习晶体生长的研究生，那些从事或即将从事这一领域研究的来自学术界和工业领域的研究人员、科学家和工程师以及那些制备晶体的人是有帮助的。

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