普通高等教育十五國傢級規劃教材：模擬電子技術基礎（附光盤） epub pdf mobi txt 電子書 下載 2024

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內容簡介

　　 《模擬電子技術基礎》為普通高等教育“十五”國傢級規劃教材。全書共分三篇。第一篇是電子器件及基本應用，主要講述二極管、三極管、場效應管的特性，基本應用和分析方法；第二篇是基本功能電路，主要分析負反饋電路、振蕩電路、電流源電路、差分電路、功率放大電路等功能電路的特性、技術指標、實際應用；第三篇是模擬集成電路，主要講解集成運算放大器、集成穩壓電源等的原理和應用，可編程模擬器件的原理、開發與應用。
　　 全書注重電子綫路分析方法（圖解法、解析法、計算機輔助分析法）的學習和應用。書中有關PSpice的例題和習題全部經過仿真。
　　 《模擬電子技術基礎》是高等學校電子信息類學生“模擬電子綫路”、“電子技術基礎”、“低頻電子綫路”等課程的教材，也可以供從事電子技術工作的工程技術人員、非電子信息類相關課程的教師和學生參考。

作者簡介

周淑閣，天津市人，南京理工大學教授。主要研究方嚮為模擬電路計算機輔助分析和輔助設計。撰寫論文二十餘篇，編寫各種教材共一百多萬字，曾榮獲“江蘇省五一勞動奬章”、 “南京理工大學董事會基金教師特等奬”等奬勵二十餘項。

現任教育部電子信息科學與電氣信息類基礎課程教學指導分委會委員；教育部EDA教育協作組成員；全國高等學校電子技術研究會理事；蘇、魯、皖地區高校電子技術研究會副理事長；南京理工大學電氣信息類專業指導委員會委員。

目錄

第一篇 電子器件及基本應用
第一章 晶體二極管工作原理及應用
1.O 引言
1.1 半導體物理知識
1.1.1 本徵半導體
1.1.2 雜質半導體
1.1.3 載流子的運動
1.2 PN結
1.2.1 熱平衡情況下的PN結
1.2.2 PN結的伏安特性
1.2.3 PN結的電容特性
1.3 實際二極管的伏安特性
1.4 二極管的模型、參數、分析方法及基本應用
1.4.1 二極管的開關模型及應用
1.4.2 二極管的恒壓模型及應用
1.4.3 二極管的小信號模型
1.4.4 二極管電路的分析方法
1.4.5 二極管的主要參數
1.5 其它類型的二極管
1.5.1 穩壓二極管
1.5.2 光電二極管
1.5.3 發光二極管
1.5.4 光隔離器件
1.5.5 變容二極管
習題
PSpice仿真題

第二章 晶體三極管及基本放大器
2.0 引言
2.1 三極管的工作原理
2.1.1 三極管的正嚮控製作用
2.1.2 三極管各極電流錶達式
2.1.3 三極管兩個PN結均加反嚮電壓
2.1.4 三極管兩個PN結均加正嚮電壓
2.2 三極管的三種連接方式
2.2.1 共發射極接法的直流電流傳輸方程
2.2.2 共集電極接法的直流電流傳輸方程
2.3 三極管共發射極接法的伏安特性和參數
2.3.1 輸入特性
2.3.2 輸齣特性
2.3.3 三極管的極限參數
2.4 三極管組成的基本放大器
2.4.1 放大器的各項指標
2.4.2 放大器的分析方法
2.4.3 三極管放大器的偏置電路
2.4.4 發射極接RE的共發射極放大器
2.4.5 共基極放大器
2.4.6 共集電極放大器
2.5 多級放大器
2.5.1 阻容耦閤放大器
2.5.2 變壓器耦閤放大器
2.5.3 光電耦閤放大器
2.5.4 直接耦閤放大器
2.6 放大器的頻率響應
2.6.1 波特圖
2.6.2 界限頻率的求法
2.6.3 共發射極放大器的頻率響應
2.6.4 共基極放大器的高頻響應
2.6.5 共集電極放大器的高頻響應
習題
PSpiee仿真題

第三章 場效應管及其應用
3.0 引言
3.1 結型場效應管
3.1.1 結型場效應管的工作原理
3.1.2 結型場效應管的伏安特性
3.1.3 結型場效應管的主要參數
3.2 絕緣柵型場效應管
3.2.1 增強型MOS場效應管的工作原理
3.2.2 增強型MOS場效應管的伏安特性
3.2.3 耗盡型MOS場效應管
3.3 各種場效應管特性的比較
3.4 場效應管放大器
3.4.1 場效應管放大器的偏置電路
3.4.2 場效應管的小信號模型
3.4.3 場效應管放大器的解析法
3.5 場效應管的其它應用
3.5.1 場效應管有源電阻
3.5.2 場效應管模擬開關
3.5.3 場效應管有源負載放大器
習題
PSpice仿真題

第二篇 基本功能電路
第四章 負反饋放大器
4.0 概述
4.1 反饋放大器的基本概念
4.2 反饋放大器的理想閉環增益
4.3 反饋類型的判斷
4.3.1 輸齣端取樣類型的判斷
4.3.2 輸入端連接類型的判斷
4.3.3 反饋極性的判斷
4.4 負反饋對放大器性能的影響
4.4.1 負反饋對放大器輸入電阻的影響
4.4.2 負反饋對放大器輸齣電阻的影響
4.4.3 負反饋對放大器增益穩定性的影響
4.4.4 負反饋對放大器通頻帶的影響
4.4.5 負反饋對放大器非綫性失真的改善
4.5 用拆環方法求解負反饋放大器
4.5.1 拆環方法
4.5.2 負反饋放大器的電壓增益
4.6 負反饋放大器的穩定性
4.6.1 負反饋放大器的穩定性
4.6.2 增益和相位裕量
4.6.3 相位補償技術
習題
PSpice仿真題

第五章 振蕩電路
5.0 引言
5.1 振蕩器的工作原理
5.2 RCJ正弦波振蕩電路
5.2.1 文氏橋振蕩器
5.2.2 移相式振蕩電路
5.3 LC振蕩電路
5.3.1 LC並聯諧振迴路特性
5.3.2 變壓器反饋式振蕩電路
5.3.3 電感三點式振蕩電路
5.3.4 電容三點式振蕩電路
5.3.5 石英晶體振蕩器
習題
PSpiee仿真題

第六章 電流源電路
6.0 引言
6.1 三極管電流源電路
6.1.1 基本鏡像電流源電路
6.1.2 改進型電流源電路
6.1.3 微電流源電路
6.1.4 比例電流源電路
6.1.5 多個三極管的鏡像電流源電路
6.2 場效應管電流源電路
6.2.1 場效應管基本鏡像電流源
6.2.2 場效應管比例電流源
6.2.3 多個場效應管鏡像電流源
習題
PSpiee仿真題

第七章 差分放大電路
7.0 概述
7.1 差分放大電路的工作原理
7.1.1 差分放大電路的組成
7.1.2 差分放大電路的工作原理和指標分析
7.1.3 差分放大電路的傳輸特性
7.2 小信號有源負載差分放大電路
7.3 差分放大電路的失調及其溫漂
7.3.1 差分放大電路的失調
7.3.2 差分放大電路的調零
7.3.3 差分放大電路的溫漂
習題
PSpiee仿真題

第八章 功率放大器
8.0 概述
8.1 甲類功率放大器
8.1.1 靜態分析
8.1.2 動態分析
8.2 乙類功率放大器
8.2.1 工作原理
8.2.2 靜態分析
8.2.3 動態分析
8.3 甲乙類功率放大器電路
8.4 甲乙類單電源功率放大器
8.5 橋式功率放大器
習題
PSpiee仿真題

第三篇 模擬集成電路
第九章 運算放大器
第十章 集成穩壓電源
第十一章 在係統可編程模擬器件
附錄 OrCAD/PSpice的基本使用
部分習題答案
參考文獻

精彩書摘

因為雜質的原子是五價的，所以雜質的原子有五個價電子，其中四個價電子和周圍的半導體材料原子中的價電子組成共價鍵，而餘下的一個價電子很容易掙脫雜質原子的束縛，成為自由電子。理論和實驗證明，在室溫下，晶格中所有的雜質原子都能釋放齣一個電子，因此這種雜質稱為施主雜質（donorim－purity）。由於這個電子不是共價鍵中的電子，所以就沒有空穴産生。雜質原子由於釋放齣一個電子而變成瞭正離子，而這個正離子是束縛在品格中的，不能像載流子那樣運動。雜質離子帶正電而自由電子帶負電，所以整塊半導體還是電中性的。
由以上分析可知，施主雜質摻人半導體材料中，半導體中的自由電子濃度大大增加。此時空穴的濃度比相同溫度下的本徵半導體中的濃度還要少，這是因為自由電子的濃度增加後，加大瞭空穴與自由電子復閤的機會。也就是說在這種半導體中，自由電子的濃度很大而空穴的濃度很小。因此將這種半導體中的自由電子稱為多數載流子（minoritycarriers），簡稱為多子；空穴稱為少數載流子（minoritycarriers），簡稱為少子。由於這種半導體中的多子是電子，電子帶負（negative）電，因此這種半導體稱為N型半導體。
在室溫情況下，N型半導體中的每一個施主雜質都能提供一個自由電子。雖然此時N型半導體內仍然存在著由本徵激發而産生的自由電子，但是，由於摻雜濃度遠遠大於由本徵激發而産生的載流子濃度，所以N型半導體內的自由電子主要由摻人的施主雜質而産生。因此，N型半導體內的自由電子濃度就可以認為近似等於摻雜濃度。

前言/序言

本書為普通高等教育“十五”國傢級規劃教材。本書的編寫按照教育部印發的《關於“十五”期間普通高等教育教材建設與改革的意見》精神，以“把提高教材質量作為教材建設的核心”為宗旨，按照國傢教育部電氣信息類課程指導委員會分委會製定的教學大綱編寫的。
本教材是多年的教學實踐經驗的總結。本教材注重電子綫路的基本理論和分析方法的講述，對重要概念、重要的分析方法、較難理解的內容都提供瞭比較典型的例題。本教材注意吸取國內外的先進技術，加強瞭集成電路的原理和應用、計算機輔助分析、可編程邏輯器件的應用等。
全書共分三篇。第一篇是電子器件及基本應用，主要講述二極管、三極管、場效應管等電子器件的特性、基本應用和分析方法；第二篇是基本功能電路，主要分析負反饋電路、振蕩電路、電流源電路、差分放大電路、功率放大電路等功能電路的特性、技術指標、實際應用；第三篇是模擬集成電路，主要講解集成運算放大器的原理和應用、集成穩壓電源的原理和應用、可編程模擬器件的原理、開發與應用。
書中有關PSpice的例題和習題全部經過瞭OrCAD仿真。
本書的編寫組成員有：周淑閣、付文紅、碩力更、吳少琴，由周淑閣教授擔任主編。第一章 到第十章 由周淑閣編寫，第十一章 和附錄部分由碩力更編寫，全書習題由付文紅、碩力更、吳少琴編寫。
本書是立體化教材的主教材，與本書配套的有“模擬電子技術基礎學習指南和習題詳解”“CAI教學課件”“OrCADV10.0：Demo”光盤等。
OrCADCapture、OrCAD：PSpice是Cadence公司的注冊商標，感謝Cadence公司能與我們閤作，授權高等教育齣版社將OrCADV10。ODemo光盤和本書一起齣版，還要特彆感謝上海銀利電子有限公司對本書齣版的大力支持。
浙江大學的王小海教授審閱瞭本書並提齣瞭許多寶貴的意見，在此錶示衷心的感謝。
在本書的編寫過程中，宗誌園、張軍、張衛清、彭中、柳祥樂、顔瑋、陳敏等做瞭繪圖、錄入和校對工作，在這裏一並錶示感謝。
由於我們的水平有限，再加上時間倉促，書中肯定有不少錯誤和不妥之處，懇請讀者批評指正。

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