国外名校最新教材精选：电子材料与器件原理（第3版）（下册）（应用篇） [Principles of Electronic Materials and Devices/Third Edition] pdf epub mobi txt 电子书 下载 2025

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[加] 萨法·卡萨普（S.O.Kasap），汪宏 著

图书标签:

• 电子材料
• 电子器件
• 半导体
• 材料科学
• 物理学
• 应用物理
• 微电子学
• 教材
• 高等教育
• 电子工程

出版社： 西安交通大学出版社

ISBN：9787560531557

版次：1

商品编码：10036146

包装：平装

外文名称：Principles of Electronic Materials and Devices/Third Edition

开本：16开

出版时间：2009-07-01

用纸：胶版纸

页数：708

字数：63100

内容简介

　　《电子材料与器件原理(第3版)下册：应用篇》全面而系统地阐述了电子材料与器件的基础理论和各类功能材料与器件的原理和性能。全书分为上、下两册：上册为理论篇，主要阐述电子材料与器件涉及的基础理论。内容包括材料科学基础概论、固体中的电导和热导、量子物理基础和现代固体理论；下册为应用篇，主要讨论各种功能材料与器件的原理与性能，内容包括半导体、半导体器件、电介质材料与绝缘、磁性与超导性、材料的光学特性等专题。《电子材料与器件原理(第3版)下册：应用篇》适合作为高等院校电子科学与工程、电气科学与工程、材料科学、应用物理、计算机、信息处理、自动控制等相关学科的高年级本科生或研究生的专业课程教材，也可作为相关领域的科学家、工程师和高校师生的参考用书。

作者简介

　　萨法·卡萨普（S．O．Kasap），是加拿大萨斯喀彻温大学（University of Saskatchewan）电气工程系教授以及加拿大电子材料与器件首席科学家（Canada Research Chair）。他于1976年、1978年和1983年在伦敦大学帝国理工学院（Imperial College of Science。Technology and Medicine，University of London）分别获得学士、硕士和博士学位。1 996年，他因对电气工程中的材料科学的研究所做出的贡献获得伦敦大学理学（工学）博士学位。他是英国电气工程师学会（IEE）、英国物理学会和英国材料学会的会士。

内页插图

目录

译者序
前言
下册(应用篇)目录
第5章 半导体
5.1 本征半导体
5.1.1 硅晶体与能带图
5.1.2 电子与空穴
5.1.3 半导体的电导
5.1.4 电子与空穴的浓度
5.2 非本征半导体
5.2.1 n型掺杂
5.2.2 p型掺杂
5.2.3 补偿掺杂
5.3 电导率与温度的关系
5.3.1 载流子浓度与温度的关系
5.3.2 漂移迁移率及其与温度和杂质的关系
5.3.3 电导率与温度的关系
5.3.4 简并半导体与非简并半导体
5.4 复合与少数载流子注入
5.4.1 直接复合与间接复合
5.4.2 少数载流子寿命
5.5 扩散方程、电导方程与无规则运动
5.6 连续方程
5.6.1 与时间有关的连续方程
5.6.2 稳态连续方程
5.7 光吸收
5.8 压阻性
5.9 肖特基结
5.9.1 肖特基二极管
5.9.2 肖特基太阳能电池
5.10 欧姆接触与热电制冷机
5.11 直接带隙与间接带隙的半导体
5.12 间接复合
5.13 非晶态半导体

第6章 半导体器件
6.1 理想pn结
6.1.1 无偏压：开路
6.1.2 正偏：扩散电流
6.1.3 正偏：复合和总电流
6.1.4 反向偏压
6.2 pn结能带图
6.2.1 开路
6.2.2 iE偏和反偏
6.3 pn结的耗尽层电容
6.4 扩散(存储)电容和动态电阻
6.5 反向击穿：雪崩击穿和齐纳击穿
6.5.1 雪崩击穿
6.5.2 齐纳击穿
6.6 双极晶体管
6.6.1 共基极直流特性
6.6.2 共基极放大器
6.6.3 共射极直流特性
6.6.4 低频小信号模型
6.7 结型场效应晶体管
6.7.1 基本原理
6.7.2 JFET放大器
6.8 金属氧化物半导体场效应晶体管
6.8.1 场效应和反型
6.8.2 增强型MOSFET
6.8.3 阈值电压
6.8.4 离子注入M0s晶体管和多晶硅栅
6.9 光发射二极管
6.9.1 LED原理
6.9.2 异质结高亮度LED
6.9.3 LED特性
6.10 太阳能电池
6.10.1 光伏器件原理
6.10.2 串联和分流电阻
6.10.3 太阳能电池材料、器件和效率
6.11 pin二极管、光电二极管和太阳能电池
6.12 半导体光放大器和激光器

第7章 电介质材料和绝缘
7.1 物质极化和相对电容率
7.1.1 相对电容率：定义
7.1.2 电偶极矩和电子极化
7.1.3 极化矢量P
7.1.4 局域场和克劳休斯一莫索提方程
7.2 电子极化：共价固体
7.3 极化机制
7.3.1 离子极化
7.3.2 偶极取向极化
7.3.3 界面极化
7.3.4 总极化
7.4 频率依赖性：介电常数和介电损耗
7.4.1 介电损耗
7.4.2 德拜方程、科尔一科尔图和串联等效电路
7.5 高斯定律和边界条件
7.6 击穿场强和绝缘击穿
7.6.1 击穿场强：定义
7.6.2 电介质击穿和局部放电：气体
7.6.3 电介质击穿：液体
7.6.4 电介质击穿：固体
7.7 用于电容器的电介质材料
7.7.1 常用电容器结构
7.7.2 电介质：比较
7.8 压电性、铁电性和热释电性
7.8.1 压电性
7.8.2 压电性：石英谐振器和滤波器
7.8.3 铁电和热释电晶体
附加专题
7.9 电位移和去极化电场
7.10 局域电场和洛伦兹方程
7.11 偶极子极化
7.12 离子极化和介电响应
7.13 复合电介质和非均匀电介质
术语解释
习题

第8章 磁性和超导性
8.1 物质的磁化
8.1.1 磁偶极矩
8.1.2 原子磁矩
8.1.3 磁化矢量M
8.1.4 磁化场或磁场强度H
8.1.5 磁导率与磁化率
8.2 磁性材料分类
8.2.1 抗磁性
8.2.2 顺磁性
8.2.3 铁磁性
8.2.4 反铁磁性
8.2.5 亚铁磁性
8.3 铁磁性起源和交换相互作用
8.4 饱和磁化与居里温度
8.5 磁畴：铁磁材料
8.5.1 磁畴
8.5.2 磁晶各向异性
8.5.3 畴壁
8.5.4 磁致伸缩
8.5.5 畴壁运动
8.5.6 多晶材料及其M—H特性
8.5.7 去磁
8.6 软磁与硬磁材料
8.6.1 定义
8.6.2 初始和最大磁导率
8.7 软磁材料：例子和应用
8.8 硬磁材料：例子和应用
8.9 超导性
8.9.1 零电阻与迈斯纳效应
8.9.2 I类和Ⅱ类超导体
8.9.3 临界电流密度
8.10 超导性的起源
附加的专题
8.1 1能带图与磁性
8.1 1.1 泡利自旋顺磁性
8.1 1.2 铁磁性的能带模型
8.1 2各向异性磁阻效应与巨磁阻效应
8.1 3磁存储材料
8.1 4约瑟夫森效应
8.1 5磁通量子化
术语解释
习题

第9章 材料的光学特性
9.1 均匀介质中的光波
9.2 折射率
9.3 色散：波长和折射率关系
9.4 群速度和群折射率
9.5 磁场：辐射和坡印廷矢量
9.6 斯涅耳定律和全内反射
9.7 菲涅耳方程
9.7.1 振幅反射和透射系数
9.7.2 强度、反射系数和透射系数
9.8 复折射率和光吸收
9.9 晶格吸收
9.10 带一带吸收
9.11 介质的光散射
9.12 光纤中的衰减
9.13 发光、磷光体和白光LED
9.14 偏振
9.15 光学各向异性
9.15.1 单轴晶体和菲涅耳光率体
9.15.2 方解石的双折射
9.15.3 二向色性
9.16 双折射延迟片
9.17 旋光效应和圆偏振双折射
附加的专题
9.18 电光效应
术语解释
习题
附录A 布喇格衍射定律与X射线衍射
附录B 通量、光通量和辐射亮度
附录C 主要符号和缩写
附录D 元素特性(氢至铀)
附录E 一些常数和有用的资料

精彩书摘

　　下册（应用篇）目录
　　第5章 半导体
　　本章中我们将对本征与非本征半导体的性质建立基本的认识。尽管我们讨论的大部分内容和实例是基于Si材料，但其思想适用于Ge材料和GaAs，InP以及其它化合物半导体。我们所说的本征硅是指理想的、无缺陷的硅单晶，它没有任何的杂质或晶体缺陷（例如位错和晶粒边界）。因此，该晶体中的硅原子以金刚石结构的形式完整地相互键合。在温度高于绝对零度的条件下，晶格中的硅原子将按照一种能量分布产生振动。尽管这种振动的平均能量至多为3kT，振动的硅原子并不能破坏它们之间的键合，但某些区域的少数晶格振动仍然可以具有足够的能量使硅原子之间的键合断裂。一个键一旦被破坏，就会产生一个“自由电子”，它在晶体中作无规则运动，在电场的作用下能参与导电。这个破坏的键失去了一个电子，因而该处带正电；由于失去电子而在键中留下的空位被称为空穴。邻近键的电子能容易地隧穿到这个断键并填充空穴，于是有效地产生了空穴向隧穿电子原来地方的转移。因此，通过邻近键的电子的隧穿，空穴也可以自由地在晶体中作无规则运动，也可以在外加电场作用下参与电导。在本征半导体中，热激发产生的电子数等于空穴数（断裂的价键数）。在非本征半导体中，半导体添加了杂质，杂质可以提供额外的电子或空穴。例如在Si中掺砷（As），每个砷原子起施主的作用，为晶体提供一个自由电子。因为这些电子不是来自断裂的键，电子与空穴的数目在非本征半导体中是不相等的，本例中掺砷的Si将具有过量的电子。这种硅晶体称为n型Si，因为导电主要是由电子的运动产生的。如果掺杂（例如掺硼）而使空穴的浓度超过电子的浓度，也可以得到P型si。

前言/序言

　　近年来，随着电子信息技术的飞速发展，电子器件正向小型化、集成化和多功能化方向发展，新型电子材料与器件的研究因而十分活跃。电子材料与器件主要包括半导体材料与器件、功能电介质材料与器件、磁性材料与器件、光电子材料与器件等，在电子信息技术产业中占据着主导地位，对社会、经济和国防建设发展产生着巨大的影响。
　　以硅材料和硅技术为代表的半导体材料与器件自1947年第一只晶体管发明以来，取得了令人瞩目的飞速进展，为计算机和网络技术的革命与进步奠定了重要基础。目前集成电路90nm和65nm工艺已趋成熟，随着高k栅介质材料与技术的研究开发与应用，45nm工艺时代也已来临，采用45nm高k金属栅极晶体管技术生产的高端处理器芯片最大集成了8．2亿个晶体管，相比65nm工艺实现了更快的晶体管切换速度、更高的内核速度、更低的功耗和更高的集成度，未来集成电路的特征尺寸预计将达到10nm的极限。功能电介质材料具有电、磁、光、热及其耦合的机电、磁电、电光等丰富多样的功能，基于功能电介质材料的电子元器件的发展极大地促进了现代信息和电子技术的进步，例如上世纪20年代中叶，Ni-Zn、Mn-Zn铁氧体的发现，引导了电感线圈器件的变革，使电话和无线电技术进入了新的阶段；“二战”期间发明的高介电BaTiO3基陶瓷，使得电容器及相关技术产生了变革，形成了规模庞大的电子元件产业；压电陶瓷材料的发展深刻地改变了包括传感器技术、超声技术、表面波通信技术、精密定位技术等一系列工业技术；小型化的氧化物陶瓷微波元器件的出现使当今无线移动通信得以飞速增长。

《电子材料与器件原理》（第3版）（下册）（应用篇） 本书是“国外名校最新教材精选”系列中的一部，聚焦于电子材料与器件领域的核心知识及其在现代技术中的实际应用。作为该系列教材的下册，“应用篇”将理论知识与工程实践紧密结合，为读者深入理解电子器件的设计、制造、性能以及在各类电子设备中的集成奠定坚实基础。 核心内容概述： 本册教材重点阐述了各种关键电子材料的特性及其在不同器件中的具体应用。内容涵盖了从基础半导体材料到先进的功能材料，再到这些材料如何被加工成具有特定功能的电子器件，并最终应用于信息技术、能源、通信、显示等前沿领域。 主要章节内容细览： 半导体材料的深入探讨与制造工艺： 在上册介绍半导体基础理论的基础上，本册将重点深入讲解硅、砷化镓、氮化镓等主流半导体材料的物理特性，包括其能带结构、载流子输运、掺杂行为等。同时，会详细介绍先进的半导体制造工艺，如外延生长、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜沉积等，这些工艺是实现微电子器件高性能和高集成度的关键。读者将了解到从晶圆制备到最终芯片封装的完整流程，以及不同工艺对器件性能的影响。 各类电子器件的原理与设计： 本册将系统性地介绍各种重要的电子器件，并结合材料特性阐述其工作原理和设计考量。这包括但不限于： 晶体管类器件： MOS晶体管（NMOS, PMOS, CMOS），双极结型晶体管（BJT），以及新兴的场效应晶体管（FET），如FinFET、GAAFET等。教材将详细分析其结构、电学特性、开关速度、功耗等参数，以及在数字集成电路、模拟电路中的应用。 存储器器件： DRAM、SRAM、Flash存储器等。将探讨其存储机制、读写原理、可靠性以及在高速数据存储和非易失性存储中的作用。 光电子器件： 发光二极管（LED），激光二极管（LD），光电探测器（Photodetector），太阳能电池（Solar Cell）等。深入讲解半导体发光和光电转换的物理过程，材料选择对器件效率和光谱特性的影响，以及在照明、通信、能源等领域的应用。 微机电系统（MEMS）器件： 介绍MEMS器件的设计、制造以及在传感器、执行器等方面的应用，例如加速度计、陀螺仪、压力传感器等，以及它们如何与电子电路结合实现智能功能。 功率电子器件： 如功率MOSFET、IGBT、SCR等。探讨其在高电压、大电流工作下的特性，效率优化，以及在电力电子转换、电机驱动、电源管理等领域的关键作用。 先进电子材料与未来技术展望： 除了传统的半导体材料，本册还将关注近年来快速发展的先进电子材料，如： 宽禁带半导体材料： 如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），以及它们在高温、高频、高功率器件中的优势和应用。 二维材料： 如石墨烯、过渡金属硫化物（TMDs）等，探讨其独特的电子和光学性质，以及在下一代晶体管、传感器、显示等方面的潜力。 铁电材料、压电材料、热电材料等功能材料： 介绍这些材料的特性，以及在存储、传感、能量收集等新兴领域的应用。 纳米电子学与量子器件： 探讨纳米尺度下电子的量子效应，以及基于这些效应的新型器件，如量子点、量子阱、量子隧穿器件等。 器件制造中的可靠性与封装技术： 强调电子器件在实际应用中的可靠性至关重要。本册将介绍导致器件失效的常见原因，如热应力、电迁移、氧化、击穿等，并讨论如何通过材料选择、工艺优化和封装设计来提高器件的可靠性和使用寿命。同时，会介绍各种先进的封装技术，如三维集成、扇出封装等，它们对于实现高性能、高密度电子系统至关重要。 学习目标： 通过学习本书，读者将能够： 1. 深入理解 各种电子材料的物理化学性质与其在不同电子器件中的作用。 2. 掌握 关键电子器件（如晶体管、存储器、光电器件、功率器件等）的工作原理、设计原则及性能特点。 3. 了解 现代电子器件制造过程中的关键工艺技术。 4. 熟悉 电子器件的可靠性问题及其解决方案。 5. 认识 先进电子材料和新兴技术（如宽禁带半导体、二维材料、纳米电子学等）在未来电子产业中的发展趋势和应用前景。 6. 能够 将所学的理论知识应用于分析和解决实际的电子工程问题。 适用读者： 本书适合电子工程、微电子学、材料科学、物理学以及相关交叉学科的高年级本科生、研究生，以及从事电子器件研发、设计、制造的工程师和科研人员。它既是课堂教学的理想参考，也是深入理解电子材料与器件实际应用的专业指南。

评分☆☆☆☆☆

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这本书的出现，如同在电子材料与器件这片广阔的海洋中，为我点亮了一座灯塔。我之所以选择它，很大程度上是被其“国外名校最新教材精选”的标签所吸引，这暗示着内容的权威性和前瞻性。而“第3版”则进一步保证了其时效性，避免了学习过时知识的风险。特别值得一提的是“应用篇”这个定位，这对于我这样的实践导向型学习者来说，简直是福音。我期望这本书能够深入浅出地讲解各种电子材料的精妙之处，不仅仅是介绍它们的化学成分和晶体结构，更重要的是阐述它们独特的电学、光学、磁学和热学特性，以及这些特性是如何通过巧妙的设计被转化为实际的器件功能。我希望书中能够涵盖诸如半导体材料的能带理论、介电材料的击穿机制、导电材料的输运性质等基本原理，并在此基础上，深入探讨如何利用这些材料来制造各种先进的电子器件，例如高性能的晶体管、高效的光电器件、灵敏的传感器等等。更吸引我的是，作为“应用篇”，我预期书中会有大量的真实世界应用案例分析，例如在5G通信中的射频器件、人工智能芯片中的高性能计算单元、柔性显示屏中的有机发光材料、以及新能源领域中的太阳能电池和储能器件等。通过这些具体的案例，我希望能够更深刻地理解理论知识在解决实际工程问题中的重要作用，并从中学习到如何将创新性的材料和器件理念转化为实际的产品。这本书无疑为电子材料与器件领域的研究者和工程师提供了一个宝贵的高质量学习资源。

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这本书给我的第一感觉是它的“厚重感”。并非指物理上的重量，而是指其知识内容的深度和广度。作为一本“国外名校最新教材精选”，它必定汇聚了国际电子材料与器件领域的顶尖智慧，理论的严谨性和前沿性是毋庸置疑的。我尤其看重“第3版”这个标识，这通常意味着教材经过了多次修订和更新，能够反映最新的研究成果和教学理念，避免了陈旧知识的误导。而“下册（应用篇）”的定位，更是让我对这本书的实用价值充满了期待。我理解，“应用篇”意味着它将不仅仅是理论的罗列，更会深入探讨电子材料和器件在实际工程中的具体应用。我希望书中能够详细介绍各种先进的电子材料，例如纳米材料、二维材料（如石墨烯、MXenes）、有机半导体材料等等，深入剖析它们的独特性能以及如何利用这些性能来设计高性能的电子器件。同时，对于各类电子器件，如晶体管、二极管、传感器、显示器件、太阳能电池等，书中必然会有详尽的原理分析，包括它们的物理机制、电学特性、以及影响其性能的关键因素。更令我兴奋的是，我预期“应用篇”会涵盖大量最新的实际案例，比如在高速通信、人工智能计算、量子计算、柔性电子、生物电子学等前沿领域的应用。通过这些案例，我希望能够更直观地理解理论知识如何落地，以及工程师们是如何将复杂的材料和器件原理转化为实际产品的。这本书的出现，无疑为我们提供了一个学习和掌握电子材料与器件前沿知识的绝佳机会，也为解决当今和未来科技挑战提供了重要的理论支撑。

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这本《国外名校最新教材精选：电子材料与器件原理（第3版）（下册）（应用篇）》给我留下了极其深刻的印象，尽管我还没有深入到每一个细节，但其宏大的框架和前沿的视角已经让我对接下来的学习充满期待。首先，这本书的书名本身就充满了吸引力。“国外名校最新教材精选”这几个字，足以说明其内容的权威性和时效性。在信息爆炸的时代，能够接触到国际顶尖学府的最新教学成果，无疑是一种宝贵的学习资源。而“电子材料与器件原理”这个主题，更是现代科技发展的基石，无论是在微电子、光电子，还是新能源领域，都扮演着至关重要的角色。我尤其关注的是“应用篇”这个标签，这意味着它不仅仅停留在理论的讲解，更会将前沿的理论知识与实际的应用场景紧密结合，这对于我们这些希望将理论知识转化为实际技能的学习者来说，是极其重要的。我设想，这本书会详细介绍各种新型电子材料的特性，比如它们的结构、电学、光学、热学性质，以及这些特性是如何影响器件性能的。同时，对于各种电子器件，例如半导体器件、光电器件、磁性器件等，书中应该会有深入的原理分析，阐述它们的工作机制，以及如何通过材料的选择和器件结构的设计来优化性能。更重要的是，“应用篇”一定会涵盖这些材料和器件在当今科技前沿领域的实际应用案例，例如在人工智能、5G通信、物联网、可穿戴设备、新能源汽车等领域的最新进展。我很期待书中能够出现一些具体的工程案例分析，让我能够更好地理解理论知识如何解决实际工程问题，甚至能够激发我自己的创新灵感。这本书的出版，无疑为电子材料与器件领域的研究者和工程师提供了一个系统、全面的学习平台，也为想要在这个领域深耕的学生提供了一份宝贵的学习指南。我迫不及待地想要翻开它，去探索其中蕴藏的知识宝藏。

评分☆☆☆☆☆

这本书的书名本身就充满了吸引力：《国外名校最新教材精选：电子材料与器件原理（第3版）（下册）（应用篇）》。首先，“国外名校最新教材精选”几个字，就暗示了其内容的权威性和时效性，能够接触到国际顶尖学府的最新教学成果，这本身就是一种极大的学习优势。而“电子材料与器件原理”这个主题，更是现代科技发展的核心，无论是微电子、光电子，还是新能源领域，都离不开这些基础知识。我特别关注“第3版”这个标识，这意味着这本书的内容经过了多次的修订和更新，能够反映最新的研究进展和教学理念，避免了学习过时知识的风险。“下册（应用篇）”的定位，更是让我对这本书的实用价值充满了期待。我理解，“应用篇”意味着它不会仅仅停留在理论层面，而是会更侧重于将理论知识与实际应用场景相结合。我期望书中能够详细介绍各种先进的电子材料，例如半导体材料、介电材料、磁性材料、有机材料等，深入剖析它们的结构、性能以及在不同应用中的优势。同时，对于各种电子器件，如晶体管、二极管、传感器、显示器、太阳能电池等，书中必然会有详尽的原理分析，包括它们的工作机制、设计挑战以及性能优化策略。更重要的是，“应用篇”一定会涵盖大量的最新应用案例，比如在人工智能、5G通信、物联网、可穿戴设备、生物电子学等前沿领域的实际应用。通过这些案例，我希望能更直观地理解理论知识如何解决实际工程问题，并从中学习到前沿技术的发展趋势。这本书的出现，为我们提供了一个系统、全面、前沿的学习平台，是电子材料与器件领域不可多得的宝贵资源。

评分☆☆☆☆☆

这本书给我的第一感觉是它的“专业性”和“前瞻性”。“国外名校最新教材精选”这几个字，就直接奠定了其高起点和高标准，意味着这本书汇集了国际顶尖学府在电子材料与器件领域的最新教学成果和研究进展。这对于我们这些希望站在科技前沿的学习者来说，是极其宝贵的资源。“电子材料与器件原理”作为核心内容，更是现代信息技术、能源技术乃至生命科学等众多领域发展的基础。我尤其看重“第3版”这个版本信息，这代表着教材的内容是经过不断地更新和完善的，能够反映最新的科研动态和技术趋势，避免了学习陈旧知识的风险。“下册（应用篇）”的定位，则让我对其实用性和工程导向性充满了期待。我理解，“应用篇”的核心在于将抽象的理论知识转化为具体的工程实践。因此，我期望书中能够深入讲解各种先进电子材料的特性，例如它们的微观结构、宏观性能，以及如何通过材料设计来优化器件性能。同时，我希望书中能够对各种电子器件的工作原理进行详尽的剖析，从基础的半导体器件到复杂的集成电路，再到前沿的光电器件和传感器，都能够有深入的探讨。更重要的是，“应用篇”一定会涵盖大量的实际工程案例，比如在人工智能、5G通信、物联网、可穿戴设备、新能源汽车等领域的最新应用。通过这些案例，我希望能更直观地理解理论知识如何解决实际工程问题，并从中学习到前沿技术的发展趋势。这本书无疑为我们提供了一个系统、全面、前沿的学习平台，是电子材料与器件领域不可多得的宝贵资源。

评分☆☆☆☆☆

经典

评分☆☆☆☆☆

学校今年选择了这本书作为电子技术专业大三的专业课的教材。内容有层次，既有适合本科生学习的电子材料与器件的基本知识，每篇末也有适合相关专业研究生学习的附加专题。 比较特色的一点是，该书在章节末还有罗列该章节出现过的术语的解释，便于初学者形成概念性的知识框架。

评分☆☆☆☆☆

好

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电子材料与器材原很好

评分☆☆☆☆☆

经典

评分☆☆☆☆☆

今后的材料就是做器件，单纯的做材料会被淘汰的，尤其是从工业应用来讲

评分☆☆☆☆☆

供学习用，好好看看，对了解应用有帮助

评分☆☆☆☆☆

今后的材料就是做器件，单纯的做材料会被淘汰的，尤其是从工业应用来讲

评分☆☆☆☆☆

这书全面的讲解了电子材料和器件的原理，非常时候初学者，印刷的质量也不错