半導體物理學（下）（第2版） pdf epub mobi txt 電子書 下載 2025

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葉良修 著

圖書標籤:

• 半導體物理
• 固體物理
• 電子學
• 物理學
• 材料科學
• 半導體器件
• 高等教育
• 教材
• 第二版
• 物理

齣版社： 高等教育齣版社

ISBN：9787040266252

版次：2

商品編碼：10005434

包裝：精裝

開本：16開

齣版時間：2009-06-01

用紙：膠版紙

頁數：604

字數：740000

正文語種：中文

內容簡介

　　《半導體物理學(下)(精)》共十七章，分上下兩冊齣版。上冊主要涉及一些比較基本的內容，包括結構和結閤性質，半導體中的電子狀態，載流子的平衡統計，過剩載流子，接觸現象，半導體錶麵和MIs結構，微結構和趟品格，半導體的光吸收，半導體的光發射等十章。下冊則收入一些專題，包括載流子的散射，熱現象，復雜能帶輸運，熱載流子，強磁場下的輸運和磁光現象，半導體中自鏇相關的現象，非晶念半導體等七章。《半導體物理學(下)(精)》可供已學過同體物理的大學生、研究生以及有關方麵的研究人員閱讀、參考。

內頁插圖

目錄

符號錶
第11章 載流子的散射
§11.1 散射率
§11.2 屏蔽庫侖勢和電離雜質散射
§11.3 聲學波形變勢散射
§11.4 聲學波壓電散射
§11.5 光學波形變勢散射和等價榖間散射
§11.6 極性光學波及其散射
§11.7 等離子體振蕩和等離子體激元散射
§11.8 栽流子之間的散射
§11.9 其它晶格缺陷的散射
§11.10 半導體中的各種散射機製
第11章 參考文獻

第12章 半導體中的熱現象
§12.1 半導體的熱導
§12.2 熱電效應及其相互聯係
§12.3 溫差電動勢率
§12.4 熱磁效應
§12.5 聲子曳引效應
第12章 參考文獻

第13章 復雜能帶中的輸運現象
§13.1 多榖帶的電導、霍爾效應和磁阻
§13.2 半導體中的壓阻效應
§13.3 聲電效應
附錄13.1 Herring-Vogt變換
第13章 參考文獻

第14章 熱載流子和相關現象
§14.1 熱載流子和載流子溫度模型
§14.2 能量弛豫機製和能量損失率
§14.3 濛特卡羅模擬
§14.4 和榖間轉移相關的熱載流子輸運現象
§14.5 雪崩擊穿和碰撞電離
§14.6 熱載流子的擴散
§14.7 激光産生的熱載流子的弛豫
§14.8 研究載流子動態過程的超快光譜方法
§14.9 量子阱中熱載流子的弛豫
§14.1 0量子阱中熱激子的動態過程
§14.1 1量子點中電子空穴的弛豫
附錄14.1 第二類修正貝塞爾函數
第14章 參考文獻

第15章 強磁場輸運和磁光現象
§15.1 磁量子化和自鏇分裂
§15.2 縱嚮振蕩磁阻
§15.3 橫嚮振蕩磁阻
§15.4 量子霍爾效應
§15.5 迴鏇共振
§15.6 磁-聲子效應和強微波輻照場下的零磁阻
§15.7 振蕩磁吸收
§15.8 幾種其它磁光效應
第15章 參考文獻

第16章 半導體中自鏇相關的現象
§16.1 自鏇及其在磁場中的行為
§16.2 自鏇-軌道相互作用
§16.3 稀磁半導體及其鐵磁性
§16.4 電子自鏇的光取嚮及自鏇相關的光學現象
§16.5 自鏇霍爾效應和其它自鏇相關的輸運現象
§16.6 自鏇極化的電注入和探測
§16.7 自鏇極化的弛豫
§16.8 核自鏇超精細相互作用
§16.9 自鏇和量子計算
§16.10 自鏇共振和自鏇一核雙共振在半導體中的應用
第16章 參考文獻

第17章 非晶態半導體
§17.1 非晶態半導體的結構
§17.2 非晶態半導體中的電子狀態
§17.3 非晶態半導體中的輸運現象
§17.4 非晶態半導體的光吸收
§17.5 非晶態Si、Ge中的隙態和摻雜效應
§17.6 硫係非晶態半導體
第17章 參考文獻

索引
《半導體物理學(上冊)》的若乾修改
感謝

精彩書摘

　　過去30年中，對熱載流子的動態弛豫過程進行瞭大量的研究.這不僅是因為它們在物理上具有基本的重要性，而且因為載流子弛豫過程和電子器件及光電子器件的響應速度密切相關。例如，GaAs場效應晶體管和異質結雙極晶體管可達到的速度取決於電子在導帶中高速區和低速區的轉換的快慢。
　　在這一節和下一節中，我們將討論激光脈衝激發的能量較高的熱載流子的弛豫過程。實驗方法主要是超快的、時間分辨的光譜方法。這種研究載流子的非平衡現象及和品格相互作用的方法，不同於傳統的通過輸運性質進行研究的方法。輸運性質反映的是不同能量的載流子的平均性質。而采用基於亞ps和fs激光脈衝的時間分辨光譜技術，使人們可探測到載流子微觀分布及它們在亞ps和fs時間尺度上的演變。由於不同散射機製的散射時間通常分布在幾十fs到幾百fs之間，因而這類方法可展現載流子分布所經曆的變化，並可通過分析認識變化過程所涉及的主要散射機製。激發一探測光譜術和時間分辨的熒光譜是應用得很廣泛的實驗方法。
　　實驗大多在Ⅲ-V化閤物，特彆是GaAs上進行的。選擇Ⅲ-V化閤物而不是Ⅵ族元素半導體，是因為它們是直接禁帶的，其中的光吸收和光發射過程都較易於解讀。而且在實驗上，對於探測載流子的分布函數和它們的動態過程都至關重要的復閤熒光，隻有在直接禁帶材料中纔易於被觀察到。有關的實驗方法和具有典型意義的實驗結果將放在下一節介紹。我們將主要以GaAs為例來說明，適當輔以其它半導體。

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摔的角都彎瞭。。。。

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非常滿意！書內容經典，也不至於晦澀~

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沒有撕頁，挺好的，上麵還留瞭不少筆記，支持重復利用

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書本身的印刷質量不是很好。拿到的第一本，裝訂齣瞭問題。及時與京東售後溝通，發寄送瞭一本給我。京東的服務真是不能再好瞭。

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