半導體鍺材料與器件C 剋萊著 屠海令譯 epub pdf mobi txt 電子書 下載 2024

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基本信息

書名：半導體鍺材料與器件C 剋萊著 屠海令譯

定價：70.00元

作者：(比)C.剋萊E.西濛

齣版社：冶金工業齣版社

齣版日期：2010-05-01

ISBN：9787502451752

字數：

頁碼：

版次：1

裝幀：平裝

開本：16開

商品重量：0.622kg

編輯推薦

本書作者Cor Claeys博士和Eddy Simoen博士是世界知名的半導體材料和器件專傢，均任職於國際的微電子研究機構IMEC，他們在書中係統總結瞭鍺材料與工藝技術的**進展和鍺器件及其在光電子學、探測器與太陽能電池等領域的研究成果。
全書涵蓋瞭鍺晶體生長、缺陷控製、雜質影響、加工工藝、鍺器件及器件模擬，以及鍺在紅外與其他領域的應用等內容，並展望瞭未來鍺材料和器件的發展前景。其內容廣泛，數據詳實，可作為高等院校、科研院所和相關單位中從事半導體器件與材料物理學習和研究人員的參考用書。

內容提要

鍺是研發晶體管技術的基礎性半導體材料，近年來，由於其在微納電子學領域的潛在優勢，半導體鍺材料又重新受到人們的關注。
本書是全麵深入探討這一技術領域的首部著作，其內容涵蓋瞭半導體鍺技術研究的*進展，闡述瞭鍺材料科學、器件物理和加工工藝的基本原理。作者係來自科學界及工業界從事該領域前沿研究的專傢。
本書還介紹瞭鍺在光電子學、探測器以及太陽能電池領域的工業應用。它對從事半導體器件與材料物理研究的科技人員、高等院校材料專業的師生以及工業和研究領域的工程師們而言，是一部必不可少的參考書，無論是專傢還是初學者都將從本書中受益。

目錄

0 導論
0.1 引言
0.2 曆史沿革和重大事件
0.3 鍺用作新型超大規模集成電路(ULSI)襯底：機遇與挑戰
0.4 本書梗概
參考文獻
1 鍺材料
1.1 引言
1.2 體鍺片的製備
1.2.1 鍺原材料：供應及生産流程
1.2.2 鍺晶體生長
1.2.3 鍺片製造
1.3 GOI襯底
1.3.1 背麵研磨SOI
1.3.2 以薄層轉移技術製備GOI襯底
1.4 結j淪
參考文獻
2 鍺中長入缺陷
2.1 引言
2.2 鍺中本徵點缺陷
2.2.1 本徵點缺陷特性的模擬
2.2.2 有關空位特性的實驗數據
2.2.3 Voronkov模型對鍺的應用
2.3 非本徵點缺陷
2.3.1 摻雜劑
2.3.2 中性點缺陷
2.3.3 碳
2.3.4 氫
2.3.5 氧
2.3.6 氮
2.3.7 矽
2.4 直拉生長過程中位錯的形成
2.4.1 熱模擬
2.4.2 機械應力的發生
2.4.3 鍺的力學性質
2.4.4 拉晶過程中的位錯成核和增殖
2.4.5 鍺中位錯的電學影響
2.5 點缺陷團
2.5.1 空位團的實驗觀察
2.5.2 空位團形成的模型和模擬
2.6 結論
參考文獻
3 鍺中摻雜劑的擴散和溶解度
3.1 引言
3.2 半導體中的擴散
3.2.1 擴散機製
3.2.2 自擴散
3.3 鍺中的本徵點缺陷
3.3.1 淬火
3.3.2 輻照
3.4 在鍺和矽中的自擴散和Ⅳ族原子擴散
3.4.1 放射性示蹤實驗
3.4.2 鍺中同位素作用和Ⅳ族元素的擴散
3.4.3 摻雜和壓力的影響
3.4.4 鍺在矽中的擴散
3.5 鍺中雜質的溶解度
3.6 鍺中Ⅲ、Ⅴ族摻雜劑的擴散
3.6.1 Ⅲ族受主的擴散
……
4 鍺中氧
5 鍺中金屬
6 鍺中缺陷從頭計算的建模
7 鍺中輻射缺陷及行為
8 鍺器件的電學性能
9 器件模擬
10 納米尺度鍺MOS柵介質和MOS結
11 先進的鍺MOS器件
12 鍺的其他應用
13 發展趨勢與展望
附錄

作者介紹

文摘

序言

半導體鍺材料與器件C 剋萊著 屠海令譯 epub pdf mobi txt 電子書 下載 2024