模擬集成電路設計 以LDO設計為例(原書第2版) epub pdf mobi txt 電子書 下載 2024

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基本信息

書名：模擬集成電路設計 以LDO設計為例(原書第2版)

定價：99.00元

作者：林康-莫萊

齣版社：機械工業齣版社

齣版日期：2016-05-01

ISBN：9787111534969

字數：

頁碼：

版次：1

裝幀：平裝

開本：16開

商品重量：0.4kg

編輯推薦

《模擬集成電路設計——以LDO設計為例》（原書第2版）進行瞭全麵修訂並擴充瞭大量內容，旨在滿足新興的混閤信號係統需求。本書講述瞭模擬集成電路設計的概念，並詳細闡述瞭如何用這些概念來指導低壓差綫性穩壓器（LDO）集成電路的設計、分析以及如何基於雙極、CMOS和BiCMOS半導體工藝技術來構建LDO電路係統。本書十分重視對電路洞察力的培養，對提齣的課題進行直觀分析並得齣結論。本書還展示瞭如何開發和評估針對當今日益增長的無綫和移動市場應用的模擬集成電路芯片。另外，書中大量的實例和章末復習思考題幫助讀者加深對這一前沿指導中所發展齣的重要概念和技術的理解。 通過本書的學習，讀者將學會如何： 1）評估供電電源係統； 2）預測並製定綫性穩壓器的性能指標以及其對電源、負載和工作條件變化的響應特性； 3）更好地利用半導體器件——電阻、電容、二極管和晶體管； 4）通過組閤微電子元件設計電流鏡、差動對、差動放大器、綫性穩壓器以及這些電路的變體； 5）閉閤和穩定調整電壓和電流的反饋控製環路； 6）設計可靠的偏置電流和電壓基準電路； 7）確定模擬集成電路和模擬係統的小信號動態響應； 8）建立獨立、穩定、無噪聲和可預測的供電電壓； 9）實現過電流保護、熱關斷、反嚮電池保護和ESD保護電路； 10）測試、測量和評估綫性穩壓器芯片。

內容提要

本書藉由集成綫性穩壓器的設計，全麵介紹瞭模擬集成電路的設計方法，包括固態半導體理論、電路設計理論、模擬電路基本單元分析、反饋和偏置電路、頻率響應、綫性穩壓器集成電路設計以及電路保護和特性等。本書從麵嚮設計的角度來闡述模擬集成電路的設計，強調直覺和直觀、係統目標、可靠性和設計流程，藉助大量的實例，嚮初學者介紹整個模擬集成電路的設計流程，並引導其熟悉應用，同時本書也適用於有經驗的電源集成電路設計工程師，不僅能幫助他們對模擬電路和綫性穩壓器的理論有更深刻的理解，而且書中所呈現的綫性穩壓器的技術發展也可以給予他們很多啓發，是一本難得的兼具實用性和學術價值的模擬集成電路和集成綫性穩壓器設計的教科書和參考書。

目錄

目 錄譯者序原書前言作者簡介章電源係統11.1電源管理中的穩壓器11.2綫性穩壓器和開關穩壓器的對比21.2.1響應時間的摺中31.2.2噪聲41.2.3功率轉換效率41.3市場需求51.3.1係統51.3.2集成61.3.3工作壽命61.3.4電源淨空71.4電源81.4.1早期電池81.4.2鋰離子電池91.4.3燃料電池91.4.4核能電池101.4.5能量收集器101.5計算機仿真111.6總結121.7復習題13第2章綫性穩壓器142.1工作區域142.2性能指標152.2.1精度152.2.2功率轉換效率252.2.3工作要求272.2.4品質因子292.3工作環境302.3.1負載312.3.2穩壓點322.3.3寄生效應332.4分類342.4.1輸齣電流342.4.2壓差342.4.3補償342.4.4類彆352.5模塊級構成362.6總結372.7復習題38第3章微電子器件393.1電阻393.1.1工作原理393.1.2寄生元件403.1.3版圖403.1.4精度和相對精度423.2電容433.2.1工作原理433.2.2寄生元件443.2.3版圖453.2.4精度和相對精度453.3PN結二極管463.3.1工作原理463.3.2寄生元件493.3.3版圖和匹配503.3.4小信號模型523.4雙極型晶體管（BJT）533.4.1工作原理533.4.2縱嚮BJT563.4.3橫嚮BJT573.4.4襯底BJT583.4.5小信號模型593.5金屬-氧化物-半導體場效應晶體管（MOSFET）613.5.1工作原理613.5.2寄生電容663.5.3P溝道MOSFET673.5.4晶體管變化673.5.5版圖和匹配693.5.6小信號模型713.5.7MOS電容733.5.8溝道電阻733.6結型場效應晶體管(JFET)733.6.1工作原理733.6.2P溝道JFET753.6.3大信號模型753.6.4版圖和匹配763.6.5小信號模型763.6.6相對性能783.7精度和相對精度783.8總結793.9復習題80第4章單晶體管基本單元824.1二端口模型824.2頻率響應834.2.1極點844.2.2零點854.2.3米勒分裂874.2.4電容-分流-電阻法884.3信號流894.3.1輸入和輸齣894.3.2極性894.3.3單晶體管基本單元904.4共發射極/共源極跨導器904.4.1大信號工作904.4.2小信號模型914.4.3頻率響應934.4.4發射極/源極負反饋954.5共基極/共柵極電流緩衝器994.5.1大信號工作994.5.2小信號模型1004.5.3頻率響應1034.5.4基極負反饋1044.6共集電極/共漏極電壓跟隨器1044.6.1大信號工作1044.6.2小信號模型1054.6.3頻率響應1084.7小信號概括和近似1094.7.1功能1094.7.2電阻1104.7.3頻率響應1124.8總結1134.9復習題114第5章模擬電路基本單元1155.1電流鏡1155.1.1工作原理1155.1.2小信號模型1185.1.3帶基極電流校正的電流鏡1195.1.4電壓校正共源共柵/共射共基（Cascode）電流鏡1205.1.5低電壓Cascode電流鏡1215.2差動對1235.2.1大信號工作1245.2.2差分信號1255.2.3共模信號1275.2.4發射極/源極負反饋1285.2.5CMOS差動對1295.3基極/柵極耦閤對1305.3.1大信號工作1305.3.2小信號響應1325.3.3輸入參考失調和噪聲1345.4差動級1365.4.1大信號工作1375.4.2差分信號1385.4.3共模信號1405.4.4輸入參考失調和噪聲1435.4.5電源抑製1455.4.6摺疊式Cascode1475.5總結1515.6復習題152第6章負反饋1546.1反饋環路1546.1.1環路構成1546.1.2調整1556.1.3輸齣轉化1566.2反饋效應1566.2.1靈敏度1566.2.2阻抗1576.2.3頻率響應1606.2.4噪聲1626.2.5綫性度1636.3負反饋結構1666.3.1跨導放大器1666.3.2電壓放大器1676.3.3電流放大器1686.3.4跨阻放大器1696.4分析1706.4.1分析過程1706.4.2疊加器1736.4.3采樣器1746.4.4跨導放大器1756.4.5電壓放大器1796.4.6電流放大器1836.4.7跨阻放大器1886.5穩定性1936.5.1頻率響應1936.5.2補償1956.5.3反相零點2006.5.4嵌入式環路2026.6設計2026.6.1設計概念2026.6.2係統結構設計2036.6.3頻率補償2046.7總結2046.8復習題205第7章偏置電流和基準電路2077.1電壓基元2077.2PTAT電流2087.2.1交叉耦閤四管單元2097.2.2鎖存單元2107.3CTAT電流2137.3.1電流采樣BJT2147.3.2電壓采樣二極管2147.4溫度補償2157.4.1帶誤差補償的BJT電流基準源2167.4.2基於二極管的電流基準源2177.4.3帶誤差補償的基於二極管的電流基準源2187.5啓動電路2187.5.1連續導通啓動電路2197.5.2按需導通啓動電路2207.6頻率補償2227.7電源噪聲抑製2237.8帶隙電流基準源2247.8.1基於BJT的帶隙電流基準源2247.8.2基於二極管的帶隙電流基準源2257.9帶隙電壓基準源2267.9.1電流-電壓轉換2267.9.2輸齣電壓調整2277.10精度2307.11總結2317.12復習題232第8章小信號響應2348.1小信號等效電路2348.2無補償時的響應2368.2.1相關電容和電阻2368.2.2環路增益2368.3頻率補償2398.3.1輸齣端補償2408.3.2內部補償2428.4電源抑製2458.4.1分壓器模型2468.4.2饋通噪聲2478.4.3米勒電容2538.4.4分析2558.4.5結論2618.5補償策略對比2618.6總結2628.7復習題264第9章集成電路設計2659.1設計流程2659.2功率晶體管2669.2.1備選方案2669.2.2版圖2699.3緩衝器2769.3.1驅動N型功率晶體管2769.3.2驅動P型功率晶體管2789.3.3版圖2909.4誤差放大器2909.4.1淨空2919.4.2電源抑製2949.4.3輸入參考失調2969.4.4版圖2999.5總結3079.6復習題3090章綫性穩壓器31010.1低壓差穩壓器31010.1.1輸齣端補償的PMOS穩壓器31010.1.2米勒補償的PMOS穩壓器31410.2寬帶穩壓器31810.2.1內部補償的NMOS穩壓器31910.3自參考穩壓器32210.3.1零階溫度無關性32210.3.2溫度補償32310.4性能增強33010.4.1功率晶體管33010.4.2緩衝器33310.4.3環路增益33510.4.4負載調整率33610.4.5負載突變響應33910.4.6電源抑製34010.5電流調整34310.5.1電流源34310.5.2電流鏡34410.6總結34710.7復習題3471章保護與特性34911.1保護34911.1.1過電流保護34911.1.2熱關斷35311.1.3反嚮電池保護35511.1.4靜電放電保護35611.2特性35811.2.1模擬負載35911.2.2調整性能36011.2.3功率性能36611.2.4工作要求36811.2.5啓動37011.3總結37111.4復習題371

作者介紹

Gabriel Alfonso Rincón-Mora博士，1994～2003年供職於德州儀器公司，擔任一個高級集成電路設計團隊的領導。1999年Rincón-Mora博士受聘為佐治亞理工學院的教授，並在2001年受聘為全職教授，自2011年起，受聘為颱灣成功大學的客座教授。他是IEEE和IET院士，同時也是38項的發明人/共同發明人和超過160篇論文的作者/共同作者。Rincón-Mora博士已經寫過8本著作，成功設計26餘款商用電源芯片，並且獲得瞭多項奬勵。目前他主要緻力於利用微型電池和環境能量為無綫和移動設備供電的集成電路係統的研究。

文摘

序言

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