半導體物理學(第7版) epub pdf mobi txt 電子書 下載 2024

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內容介紹
本書以正確闡述物理概念為主，輔以必要的數學推導，理論分析有一定深度，但又不是把基本物理概念淹沒在繁瑣的數學運算中，使讀者通過學習，達到對半導體中的各種基本物理現象有一全麵正確的概念，建立起清晰的半導體物理圖像，為後續課程的學習，研究工作的開展，理解各種半導體器件，集成電路的工作機理打下良好的基礎。

目錄
目 錄 D1章 半導體中的電子狀態 1.1 半導體的晶格結構和結閤性質 1.1.1 金剛石型結構和共價鍵 1.1.2 閃鋅礦型結構和混閤鍵 1.1.3 縴鋅礦型結構 3 1.2 半導體中的電子狀態和能帶 4 1.2.1 原子的能級和晶體的能帶 4 1.2.2 半導體中電子的狀態和能帶 1.2.3 導體、半導體、絕緣體的能帶 1.3 半導體中電子的運動 有效質量 1.3.1 半導體中 E(k)與k 的關係［3］ 1.3.2 半導體中電子的平均速度目 錄

D1章 半導體中的電子狀態
1.1 半導體的晶格結構和結閤性質
1.1.1 金剛石型結構和共價鍵
1.1.2 閃鋅礦型結構和混閤鍵
1.1.3 縴鋅礦型結構 3
1.2 半導體中的電子狀態和能帶 4
1.2.1 原子的能級和晶體的能帶 4
1.2.2 半導體中電子的狀態和能帶
1.2.3 導體、半導體、絕緣體的能帶
1.3 半導體中電子的運動 有效質量
1.3.1 半導體中 E(k)與k 的關係［3］
1.3.2 半導體中電子的平均速度
1.3.3 半導體中電子的加速度
1.3.4 有效質量的意義
1.4 本徵半導體的導電機構空穴 ［3］
1.5 迴鏇共振［4］
1.5.1 k 空間等能麵
1.5.2 迴鏇共振
1.6 矽和鍺的能帶結構
1.6.1 矽和鍺的導帶結構
1.6.2 矽和鍺的價帶結構
1.7 Ⅲ�並踝寤�閤物半導體的能帶結構 ［7］
1.7.1 銻化銦的能帶結構
1.7.2 砷化鎵的能帶結構 ［8］
1.7.3 磷化鎵和磷化銦的能帶結構
1.7.4 混閤晶體的能帶結構
★1.8 Ⅱ�並鱟寤�閤物半導體的能帶結構
★1.8.1 二元化閤物的能帶結構
★1.8.2 混閤晶體的能帶結構
★1.9 Si 1- x Ge x 閤金的能帶
★1.10 寬禁帶半導體材料
★1.10.1 GaN、AlN的晶格結構和能帶 ［18］
★1.10.2 SiC的晶格結構與能帶
習題
參考資料
D2章 半導體中雜質和缺陷能級
2.1 矽、鍺晶體中的雜質能級
2.1.1 替位式雜質 間隙式雜質
2.1.2 施主雜質、施主能級
2.1.3 受主雜質、受主能級 39
2.1.4 淺能級雜質電離能的簡單計算 ［２，３］
2.1.5 雜質的補償作用
2.1.6 深能級雜質
2.2 Ⅲ�並踝寤�閤物中的雜質能級
★2.3 氮化鎵、氮化鋁、碳化矽中的雜質能級 0 2.4 缺陷、位錯能級
2.4.1 點缺陷
2.4.2 位錯 3
習題
參考資料 5
D3章 半導體中載流子的統計分布
3.1 狀態密度 ［1，2］
3.1.1 k空間中量子態的分布
3.1.2 狀態密度
3.2 費米能級和載流子的統計分布
3.2.1 費米分布函數
3.2.2 玻耳茲曼分布函數
3.2.3 導帶中的電子濃度和價帶中的空穴濃度
3.2.4 載流子濃度乘積n ０p ０
3.3 本徵半導體的載流子濃度
3.4 雜質半導體的載流子濃度
3.4.1 雜質能級上的電子和空穴
3.4.2 n型半導體的載流子濃度
3.5 一般情況下的載流子統計分布
3.6 簡並半導體 ［2，5］
3.6.1 簡並半導體的載流子濃度
3.6.2 簡並化條件
3.6.3 低溫載流子凍析效應
3.6.4 禁帶變窄效應
��3.7 電子占據雜質能級的概率
［2，6，7］
��3.7.1 電子占據雜質能級概率的討論
��3.7.2 求解統計分布函數
習題
參考資料
D4章 半導體的導電性
4.1 載流子的漂移運動和遷移率
4.1.1 歐姆定律
4.1.2 漂移速度和遷移率
4.1.3 半導體的電導率和遷移率
4.2 載流子的散射
4.2.1 載流子散射的概念
4.2.2 半導體的主要散射機構 ［1］
4.3 遷移率與雜質濃度和溫度的關係
4.3.1 平均自由時間和散射概率的關係
4.3.2 電導率、遷移率與平均自由時間的關係
4.3.3 遷移率與雜質和溫度的關係
4.4 電阻率及其與雜質濃度和溫度的關係
4.4.1 電阻率和雜質濃度的關係
4.4.2 電阻率隨溫度的變化
★4.5 玻耳茲曼方程 ［１１］ 、電導率的統計理論
★4.5.1 玻耳茲曼方程
★4.5.2 弛豫時間近似
★4.5.3 弱電場近似下玻耳茲曼方程的解
★4.5.4 球形等能麵半導體的電導率
4.6 強電場下的效應 ［１２］ 、熱載流子
4.6.1 歐姆定律的偏離
★4.6.2 平均漂移速度與電場強度的關係
★4.7 多能榖散射、耿氏效應
★4.7.1 多能榖散射、體內負微分電導
★4.7.2 高場疇區及耿氏振蕩
習題
參考資料
D5章 非平衡載流子
5.1 非平衡載流子的注入與復閤
5.2 非平衡載流子的壽命
5.3 準費米能級
5.4 復閤理論
5.4.1 直接復閤
5.4.2 間接復閤
5.4.3 錶麵復閤
5.4.4 俄歇復閤
5.5 陷阱效應
5.6 載流子的擴散運動
5.7 載流子的漂移擴散，愛因斯坦關係式
5.8 連續性方程式
5.9 矽的少數載流子壽命與擴散長度
參考資料
D6章 pn結
6.1 pn結及其能帶圖
6.1.1 pn結的形成和雜質分布 ［１～３］
6.1.2 空間電荷區
6.1.3 pn結能帶圖
6.1.4 pn結接觸電勢差
6.1.5 pn結的載流子分布
6.2 pn結電流電壓特性
6.2.1 非平衡狀態下的pn結
6.2.2 理想pn結模型及其電流電壓方程 ［４］
6.2.3 影響pn結電流電壓特性偏離理想方程的各種因素 ［1，2，5］
6.3 pn結電容 ［1，2，6］
6.3.1 pn結電容的來源
6.3.2 突變結的勢壘電容
6.3.3 綫性緩變結的勢壘電容
6.3.4 擴散電容
6.4 pn結擊穿 ［1，2，8，9］
6.4.1 雪崩擊穿
6.4.2 隧道擊穿(齊納擊穿) ［１0］
6.4.3 熱電擊穿
6.5 pn結隧道效應 ［1，10］
習題
參考資料
D7章 金屬和半導體的接觸
7.1 金屬半導體接觸及其能級圖
7.1.1 金屬和半導體的功函數
7.1.2 接觸電勢差
7.1.3 錶麵態對接觸勢壘的影響
7.2 金屬半導體接觸整流理論
7.2.1 擴散理論
7.2.2 熱電子發射理論
7.2.3 鏡像力和隧道效應的影響
7.2.4 肖特基勢壘二J管
7.3 少數載流子的注入和歐姆接觸
7.3.1 少數載流子的注入
7.3.2 歐姆接觸
習題
參考資料
D8章 半導體錶麵與MIS結構
8.1 錶麵態
8.2 錶麵電場效應 ［5，6］
8.2.1 空間電荷層及錶麵勢
8.2.2 錶麵空間電荷層的電場、電勢和電容
8.3 MIS結構的C�睼特性
8.3.1 理想MIS結構的C�睼特性 ［5，7］
8.3.2 金屬與半導體功函數差對MIS結構C�睼特性的影響 ［5］
8.3.3 絕緣層中電荷對MIS結構C�睼特性的影響 ［7］
8.4 矽—二氧化矽係統的性質 ［7］
8.4.1 二氧化矽中的可動離子 ［8］
8.4.2 二氧化矽層中的固定錶麵電荷 ［7］
8.4.3 在矽—二氧化矽界麵處的快界麵態 ［5］
8.4.4 二氧化矽中的陷阱電荷 ［7］
8.5 錶麵電導及遷移率
8.5.1 錶麵電導 ［1］
8.5.2 錶麵載流子的有效遷移率
★8.6 錶麵電場對pn結特性的影響 ［7］
★8.6.1 錶麵電場作用下pn結的能帶圖
★8.6.2 錶麵電場作用下pn結的反嚮電流
★8.6.3 錶麵電場對pn結擊穿特性的影響
★8.6.4 錶麵純化
習題
參考資料
D9章 半導體異質結構
9.1 半導體異質結及其能帶圖 ［7～9］
9.1.1 半導體異質結的能帶圖
��9.1.2 突變反型異質結的接觸電勢差及勢壘區寬度
��9.1.3 突變反型異質結的勢壘電容 ［4～8］
��9.1.4 突變同型異質結的若乾公式
9.2 半導體異質pn結的電流電壓特性及注入特性
9.2.1 突變異質pn結的電流—電壓特性 ［7，17］
9.2.2 異質pn結的注入特性 ［17］
9.3 半導體異質結量子阱結構及其電子能態與特性
9.3.1 半導體調製摻雜異質結構界麵量子阱
9.3.2 雙異質結間的單量子阱結構
9.3.3 雙勢壘單量子阱結構及共振隧穿效應 ［25］
★9.4 半導體應變異質結構
★9.4.1 應變異質結
★9.4.2 應變異質結構中應變層材料能帶的改性
★9.5 GaN基半導體異質結構
★9.5.1 GaN,AlGaN和InGaN的J化效應
★9.5.2 Al x Ga 1- x N/GaN異質結構中二維電子氣的形成
★9.5.3 In x Ga 1- x N/GaN異質結構
9.6 半導體超晶格
習題
參考資料
D10章 半導體的光學性質和光電與發光現象
��10.1 半導體的光學常數
��10.1.1 摺射率和吸收係數
��10.1.2 反射係數和透射係數
��10.2 半導體的光吸收 ［1，2］
��10.2.1 本徵吸收
��10.2.2 直接躍遷和間接躍遷
��10.2.3 其他吸收過程
��10.3 半導體的光電導 ［6，7］
��10.3.1 附加電導率
��10.3.2 定態光電導及其弛豫過程
��10.3.3 光電導靈敏度及光電導增益
��10.3.4 復閤和陷阱效應對光電導的影響
��10.3.5 本徵光電導的光譜分布
��10.3.6 雜質光電導
��10.4 半導體的光生伏TX應 ［8］
��10.4.1 pn結的光生伏TX應
��10.4.2 光電池的電流電壓特性
��10.5 半導體發光 ［9，10］
��10.5.1 輻射躍遷
��10.5.2 發光效率
��10.5.3 電緻發光激發機構
��10.6 半導體激光 ［11～14］
��10.6.1 自發輻射和受激輻射
��10.6.2 分布反轉
��10.6.3 pn結激光器原理
��10.6.4 激光材料
��10.7 半導體異質結在光電子器件中的應用
��10.7.1 單異質結激光器
��10.7.2 雙異質結激光器
��10.7.3 大光學腔激光器
習題
參考資料
D11章 半導體的熱電性質
��11.1 熱電效應的一般描 顯示全部信息

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