包郵 ESD揭秘：靜電防護原理和典型應用|3770243 epub pdf mobi txt 電子書下載 2024

Name: 包郵 ESD揭秘：靜電防護原理和典型應用|3770243 pdf epub mobi txt 電子書 2024
SKU: 27156804747
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美 Steven H Voldman 著，來萍恩雲飛肖慶中譯

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商品介绍

店鋪：互動創新圖書專營店

齣版社：機械工業齣版社

ISBN：9787111463658

商品編碼：27156804747

叢書名：電子與嵌入式係統設計譯叢

齣版時間：2014-06-01

頁數：159

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書籍描述

書[0名0]：	ESD揭秘：靜電防護原理和典型應用\|3770243
圖書定價：	59元
圖書作者：	(美)Steven H. Voldman
齣版社：	[1機1] 械工業齣版社
齣版日期：	2014/6/1 0:00:00
ISBN號：	9787111463658
開本：	16開
頁數：	159
版次：	1-1

作者簡介

Steven H. Voldman博士是靜電放電（ESD）[0領0]域[0首0]位IEEE[0會0]士，其主要貢獻在於CMOS、絕緣體上矽和矽鍺技術的靜電放電防護。他於1979年獲得巴[0法0]羅[0大0][0學0]工程[0學0][0學0]士[0學0]位；1981年獲得麻省理工[0學0]院電氣工程碩士[0學0]位；在IBM固定員工研究[0學0]者進修計劃的資助下，先後於1986年和1991年獲得佛濛特[0大0][0學0]工程物理[0學0]碩士[0學0]位和電氣工程博士[0學0]位。在IBM開發部門工作的25年間，Voldman一直緻力於半導體器件物理、器件設計和可靠性研究（如軟錯誤率（SER）、熱電子、漏電 [1機1] 理、閂鎖和靜電放電等）。他進行閂鎖及其抑製技術研究的時間更是長達27年。研究涉及[0[0雙0]0][0極0]SRAM、CMOS DRAM、CMOS邏輯電路、絕緣體上矽（SOI）、BiCMOS、鍺矽（SiGe）、射頻CMOS、射頻SOI、智能電源和圖像處理等。2008年，進入Qimonda DRAM研發團隊，從事70nm、58nm和48nm CMOS技術研究。同年，創辦瞭自己的公司，並作為颱積電（TSMC）45nm靜電放電與閂鎖開發團隊的一員在[親斤]竹總部工作。2009～2011年，他擔任Intersil公司靜電放電與閂鎖研發的資深高級工程師。自2011年起，他開始在自己的公司進行專職工作，提供谘詢顧問、教[0學0]和專利訴訟專傢證人的服務。 1995～2000年間，Voldman博士擔任美[0國0]半導體行業技術聯盟（SEMATECH）ESD工作組主席，[0領0]導該組建立ESD技術基準，成立傳輸綫脈衝（TLP）標準開發小組，製定長期發展規劃，與JEDEC-ESD協[0會0]協調人體模型（HBM）標準。2000～2010年，他擔任ESD協[0會0]TLP和[0超0]快TLP（VF-TLP）工作組主席，起草TLP和VF-TLP的[0第0]一份規程及標準。Voldman還是ESD協[0會0]董事[0會0]和教育委員[0會0]成員。他發起並開展瞭“ESD在校園”活動，該活動旨在將ESD課程帶入全球各[0大0]校園，並與[0學0]校教職員工和[0學0]生開展互動。如今，該活動已在美[0國0]、[親斤]加坡、中[0國0]颱灣、馬來西亞、菲律賓、泰[0國0]、印度和中[0國0]等[0國0]傢或地區40多所[0大0][0學0]校園內開展。 Voldman博士在美[0國0]、中[0國0]、[親斤]加坡、馬來西亞、中[0國0]颱灣、斯裏蘭卡和以色列等[0國0]傢或地區多次舉辦瞭有關ESD、閂鎖等方麵的短期課程或專題報告。他還獲得瞭240多個有關ESD和CMOS閂鎖效應的美[0國0]授[0[0權0]0]專利，亦是該[0領0]域專利訴訟案中的專傢證人。 Voldman博士也是《科[0學0]美[0國0]人》雜誌的撰稿人，並編寫瞭[0首0]套ESD與閂鎖係列叢書，包括《ESD物理與器件》、《ESD電路與器件》、《ESD射頻技術與電路》、《閂鎖效應》、《ESD失效 [1機1] 理與模型》和《ESD設計與綜閤》。同時，他也是《鍺矽——技術、建模及設計》和《納米電子[0學0]——納米綫、分子電子[0學0]與納米器件》等書籍的撰稿人。目前，《ESD電路與器件》和《ESD射頻技術與電路》中譯本已齣版發行。來萍，畢業於南京電子器件研究所，是工業和信息化部電子[0第0]五研究所研究員，電子[0學0][0會0][0會0]員，IEEE[0會0]員，廣東省信息技術標準化技術委員[0會0]委員。承擔過十幾項電子元件可靠性科研項目，在電子産[0品0]可靠性[0領0]域擁有豐富的經驗。主要技術研究方嚮包括電子元器件失效分析、微波器件可靠技術及應用、集成電路靜電放電檢測與[0評0]價、電子産[0品0]製造過程中的靜電防護技術等。

內容簡介

《ESD揭秘：靜電防護原理和典型應用》是Steven H．Voldman博士在半導體器件靜電放電(ESD)[0領0]域20多年研究和工作經驗的結晶，對ESD的基本原理、現實中的ESD環境、半導體器件製造、處理和組裝過程的ESD現象、半導體器件片上和片外保護技術，以及對未來納米結構中的ESD問題展望等，進行瞭係統而全麵的闡述，是幫助瞭解半導體器件ESD及其所有相關問題的一本非常好的基礎性書籍。
《ESD揭秘：靜電防護原理和典型應用》在介紹[0當0]今所麵臨的半導體芯片製造問題、ESD半導體芯片設計和係統問題，以及描述未來納米技術的ESD現象方麵是的。
《ESD揭秘：靜電防護原理和典型應用》是作者在ESD保護方麵係列書籍的補充。對剛進入這個[0領0]域的人員來說，本書是一個重要的參考，也可以幫助瞭解進入納米電子時代後現代技術所麵臨的問題。
《ESD揭秘：靜電防護原理和典型應用》主要內容
深入闡釋靜電和摩擦起電的基礎，以及與[0當0]今微納電子技術製造環境的關係；
防止ESD失效的半導體製造操作及監測工藝；
ESD、EOS、EMI、EMC及閂鎖效應的半導體器件級及係統級測試，以確定産[0品0]對人體模型(HBM)、傳輸綫模型(TLP)、放電器件模型(CDM)、人體金屬模型(HMM)、電路放電事件(CDE)到係統級IEC61000-4-2測試的抵抗力；
服務器、筆記本電腦、磁盤驅動器、手 [1機1] 、數碼相 [1機1] 、手持設備、汽車和空間應用的係統級問題；
[親斤]技術的ESD設計案例，包括CMOS、BiCMOS、SOl、[0[0雙0]0][0極0]工藝、高壓CMOS(HVCMOS)、RF CMOS、智能電源、磁記錄技術、微電 [1機1] 械(MEM)和納米結構。

《ESD揭秘：靜電防護原理和典型應用》
譯者序
前言
緻謝
作者簡介
[0第0]1章靜電[0學0]基本原理 1
1.1 引言 1
1.2 靜電[0學0] 1
1.2.1 泰勒斯和靜電引力 1
1.2.2 靜電[0學0]和摩擦生電序列 2
1.2.3 摩擦生電序列和吉爾伯特 3
1.2.4 摩擦生電序列和格雷 4
1.2.5 摩擦生電序列和達菲 4
1.2.6 摩擦生電序列和富蘭剋林 4
1.2.7 靜電[0學0]——西莫和人體模型 4
1.2.8 靜電[0學0]——庫侖和卡文迪許 5
1.2.9 靜電[0學0]——[0法0]拉[0第0]和冰桶實驗 5
1.2.10 靜電[0學0]——[0法0]拉[0第0]和麥剋斯韋 5
1.2.11 靜電[0學0]——帕邢 5
1.2.12 靜電[0學0]——斯托尼與“電子” 5
1.3 摩擦生電——它是怎麼發生的 6
1.4 導體、半導體和絕緣體 7
1.5 靜電耗散材料 7
1.6 靜電放電和材料 7
1.7 充電和庫侖定律 8
1.7.1 摩擦生電 8
1.7.2 感應生電 8
1.7.3 傳導生電 9
1.8 電磁[0學0]和電動力[0學0] 9
1.9 電擊穿 9
1.9.1 靜電放電與擊穿 9
1.9.2 擊穿與帕邢定律 10
1.9.3 擊穿和湯森德 10
1.9.4 擊穿與托普勒定律 11
1.9.5 雪崩擊穿 11
1.10 電準靜態和磁準靜態 12
1.11 電動力[0學0]與麥剋斯韋方程 13
1.12 靜電放電 13
1.13 電磁兼容 13
1.14 電磁乾擾 13
1.15 本章小結 14
參考文獻 14
[0第0]2章生産和靜電的基本原理 18
2.1 材料、工具、人為因素和靜電放電 19
2.2 製造環境和工具 19
2.3 生産設備和ESD生産問題 19
2.4 生産材料 20
2.5 測量和測試設備 20
2.6 接地及連接係統 22
2.7 工作颱麵 22
2.8 防靜電腕帶 22
2.9 在綫監測儀 23
2.10 鞋類 23
2.11 地闆 23
2.12 人員服裝接地 23
2.13 空氣離子化 24
2.14 座椅 25
2.15 推車 25
2.16 包裝和運輸 25
2.16.1 運輸包裝管 25
2.16.2 托盤 26
2.17 ESD識彆 26
2.18 ESD程序管理——12步構建ESD戰略 26
2.19 ESD程序審核 27
2.20 防靜電片上保護 27
2.21 本章小結 28
參考文獻 28
[0第0]3章 ESD、EOS、EMI、EMC和閂鎖效應 32
3.1 ESD、EOS、EMI、EMC和閂鎖效應 32
3.1.1 ESD 32
3.1.2 過電應力 33
3.1.3 電磁乾擾 33
3.1.4 電磁兼容 33
3.1.5 閂鎖效應 33
3.2 ESD模型 33
3.2.1 人體模型 34
3.2.2 [1機1] 器模型 35
3.2.3 盒式模型 36
3.2.4 充電器件模型 36
3.2.5 傳輸綫脈衝 37
3.2.6 [0超0]快傳輸綫脈衝 39
3.3 過電應力 39
3.3.1 EOS來源——雷擊 40
3.3.2 EOS來源——電磁脈衝 40
3.3.3 EOS來源—— [1機1] 械裝置 41
3.3.4 EOS來源——配電裝置 41
3.3.5 EOS來源——開關、繼電器和綫圈 41
3.3.6 EOS設計流程和産[0品0]定義 41
3.3.7 EOS來源——設計問題 42
3.3.8 EOS失效 [1機1] 理 43
3.4 電磁乾擾 45
3.5 電磁兼容 45
3.6 閂鎖 45
3.7 本章小結 46
參考文獻 47
[0第0]4章係統級ESD 52
4.1 係統級測試 52
4.1.1 係統級測試目標 52
4.1.2 係統級與元器件級測試失效判據的區彆 53
4.2 係統與芯片何時相互影響 54
4.3 ESD和係統級失效 54
4.3.1 ESD電流和係統級失效 55
4.3.2 ESD感應電場/感應磁場和係統級失效 55
4.4 電子係統 56
4.4.1 卡和闆 56
4.4.2 係統 [1機1] 架和屏蔽 56
4.5 [0當0]前的係統級問題 57
4.5.1 便攜係統 57
4.5.2 移動電話 57
4.5.3 服務器和電纜 58
4.5.4 筆記本電腦和電纜 59
4.5.5 磁盤驅動器 59
4.5.6 數碼相 [1機1] 60
4.6 汽車、ESD、EOS和EMI 61
4.6.1 汽車和ESD——點火係統 61
4.6.2 汽車和EMI——電子腳踏裝置 61
4.6.3 汽車和油箱起火 61
4.6.4 混閤動力汽車和電動汽車 62
4.6.5 未來的汽車 62
4.7 航空航天應用 63
4.7.1 飛 [1機1] 、局部放電和閃電 63
4.7.2 衛星、飛船充電和單粒子翻轉 63
4.7.3 太空登陸任務 64
4.8 ESD和係統級測試模型 65
4.9 IEC 61000-4-2 65
4.10 人體金屬模型 66
4.11 帶電闆模型 68
4.12 電纜放電事件 69
4.12.1 電纜放電事件和範圍 70
4.12.2 電纜放電事件——電纜測量設備 71
4.12.3 電纜構形——測試放置 72
4.12.4 電纜構形——移動電纜 72
4.12.5 電纜構形——手持電纜 72
4.12.6 電纜放電事件——峰值電流和充電電壓的關係 72
4.12.7 電纜放電事件——電流幅度和充電電壓的關係 72
4.13 本章小結 72
參考文獻 73
[0第0]5章元器件級問題——問題與解決方[0法0] 76
5.1 ESD芯片保護——問題與解決方[0法0] 76
5.2 ESD芯片級設計方案——設計綜閤的基本要素 76
5.2.1 ESD電路 79
5.2.2 ESD信號引腳保護網絡 79
5.2.3 ESD電源鉗位保護網絡 80
5.2.4 ESD電源域——域電路 81
5.2.5 ESD內部信號綫域——域保護電路 81
5.3 ESD芯片平麵設計——設計布局和綜閤基礎 82
5.3.1 ESD信號引腳HBM電路的布置 83
5.3.2 ESD信號引腳CDM電路布置 83
5.3.3 ESD電源鉗位電路的放置 84
5.3.4 ESD VSS-VSS電路布置 85
5.4 ESD模擬電路設計 86
5.4.1 ESD模擬電路對稱和共質心設計 86
5.4.2 模擬信號引腳到電源綫的ESD網絡 87
5.4.3 共質心模擬信號引腳到電源綫的ESD網絡 87
5.4.4 共質心模擬電路和ESD網絡的協同綜閤 88
5.4.5 信號引腳到信號

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