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黄昆,谢希德 著

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发表于2024-12-24

商品介绍



出版社: 科学出版社
ISBN:9787030346148
版次:1
商品编码:12044317
包装:平装
丛书名: 半导体科学与技术丛书
开本:16开
出版时间:1958-08-01
用纸:胶版纸
页数:352
字数:444000
正文语种:中文

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书籍描述

编辑推荐

适读人群 :物理学相关专业高年级本科生、研究生和高校教师
  《半导体科学与技术丛书:半导体物理学》为黄昆与谢希德在1958年撰写,是中国半导体领域*早的一本专门著作,也是代表当时国际上学术研究前沿水平的著作。很长一段时间内,这本著作成为中国半导体科学技术各个专业研究人员的基本参考书,也是培养半导体学科专门人才所广为使用的一本标准教材。今天重印这本50多年前写的书,是因为这本经典著作在当前依然有科学价值。半导体科学技术近年来飞速发展,但其基本原理是不变的。《半导体科学与技术丛书:半导体物理学》是两位当年zui优秀的固体物理学家在深入研究的基础上写出的,对半导体物理的各种基本问题有独特的见解和深入的阐述,这是一般的著作所不具备的。重新出版这本书也是为了纪念这两位中国半导体事业的开拓者和奠基者。他们不仅在科学研究和教学工作中取得了很高的成就,其崇高品德也值得我们每个人学习。

内容简介

  《半导体科学与技术丛书:半导体物理学》比较全面地介绍了有关半导体物理原理的基础知识。内容包括:半导体中电子的运动状态,统计原理,在电磁场以及在有温差时的各种输运过程,光吸收和光电导的现象,非平衡载流子的运动,表面和接触的现象,pn结的原理。
  虽然《半导体科学与技术丛书:半导体物理学》的主要对象是综合大学物理专业的学生,但是在内容的具体选择和叙述上都力求做到能供更为广泛的半导体技术工作者参考。只要是有相当于一般理工科大学基础的读者,《半导体科学与技术丛书:半导体物理学》的绝大部分内容就可以阅读。

内页插图

目录

《半导体科学与技术丛书》出版说明
重印前言


第一章 半导体中的电子状态
1.能带的形成
2.电子在外力下的运动和有效质量
3.导带、满带和空穴
4.杂质和缺陷能级
第一章参考文献

第二章 电子和空穴的统计分布
5.费米能级和电子的统计分布
6.本征激发和杂质电离
7.普遍情况下统计分布的分析
8.载流子的简并化
9.化学势和质量作用定律
第二章参考文献

第三章 电磁场中的迁移现象
10.载流子的散射
11.电导的简单分析
12.霍尔效应的简单分析
13.简单分析的局限性和结果的修正
14.电导率的统计理论
15.迁移率
16.一种载流子霍尔效应的统计理论
17.两种载流子的霍尔系数
18.半导体的磁阻
19.实验结果与半导体某些物理量的测定
20.低温的霍尔效应和电导
第三章参考文献

第四章 半导体的热导率、温差电现象和热磁效应
21.热传导
22.温差电现象的一般描述和热力学关系
23.半导体的温差电动势率
24.电能与热能的转换,温差电发电机,制冷器与发热器
25.热磁效应
第四章参考文献

第五章 非平衡载流子
26.少数载流子的注入和检验
27.寿命和测量方法
28.非平衡载流子的扩散
29.光扩散电势差和光磁效应
30.表面对寿命的影响
31.非平衡载流子的漂移和扩散
32.复合过程的性质和直接复合的理论
33.复合中心理论
34.陷阱效应
第五章参考文献

第六章 半导体表面
35.外电场(或附着电荷)和表面势
36.功函数和接触电势
37.表面电导和场效应
38.表面能级
39.表面结构和表面过程的弛豫现象
第六章参考文献

第七章 半导体和金属的接触
40.接触势垒
41.扩散理论和伏安特性曲线
42.两极管理论
43.理论的检验和修正
44.阻挡层中非平衡载流子效应
第七章参考文献

第八章 pn结
45.pn结的势垒和伏安特性
46.pn结的电容
47.电击穿现象
第八章参考文献

第九章 半导体中光的吸收
48.本征吸收
49.其他的吸收过程
50.晶格振动对电子跃迁的影响
第九章参考文献

第十章 光电导
51.半导体的光电导
52.直线性和抛物线性光电导
53.复合和陷阱作用
54.本征光电导的光谱分布
55.杂质光电导
第十章参考文献

附录
Ⅰ.元素周期表
Ⅱ.物理常数
Ⅲ.半导体数据
Ⅳ.各种能量及其相应温度、相应波长的数量级
Ⅴ.单位变换
《半导体科学与技术丛书》已出版书目

前言/序言

  今天我们重印我们尊敬的导师黄昆先生和谢希德先生在50多年前写的《半导体物理学》,不仅仅是为了纪念他们,更重要的是这本书的科学价值,半导体科学技术在50多年来飞速发展,但它的基本原理是不变的,目前市场上,中外文版的《半导体物理学》很多,各有自己的特点.黄先生和谢先生的这本《半导体物理学》是两位当年最优秀的固体物理学家在自己深入研究的基础上写出的,对半导体物理的各种基本问题有自己独特的见解和深入的阐述,这是一般的《半导体物理学》所不具备的。
  当时的形势是全国刚解放,百废待兴,西方国家对中国实行经济和科技的封锁.北京大学陈辰嘉教授回忆当时所情形是:1956年3月,我国集中了600多位科学家,制定了12年科学技术发展规划,确定了多项重要科学技术任务.当时提出了“发展计算技术、半导体技术、无线电电子学、自动学和远距离操纵技术的紧急措施方案”。周恩来总理亲自过问审议,立即批准,当时高等教育部决定,将北京大学、复旦大学、南京大学、厦门大学和东北人民大学(后改为吉林大学)有关专业的教师和学生集中到北京大学物理系,创办中国第一个五校联合专门化,由北京大学黄昆教授担任半导体教研室主任,复旦大学谢希德教授担任副主任。
  半导体物理学是半导体科学与技术的学科基础,由于这是一门新兴学科,直到20世纪50年代,国际上还没有专门的教科书。再加上中国当时封闭的国际环境,黄先生和谢先生只能根据自己过去在国外学到的东西,自学俄语参考当时苏联的文献,自己编写教材,主讲“半导体物理”课程.他们在整理教材的基础上,合作撰写了一部专著《半导体物理学》,最后由黄昆统一修改定稿,于1958年由科学出版社出版。
  这是当时国际上学术水平很高的一部著作.他们借助于过去科学研究工作中的经验,将教材建设当作科研工作来对待,潜心研究,使其趋于完美。这本书系统地阐述了正在迅速发展的半导体物理学科的基本物理现象和理论,是中国半导体领域最早的一本专门著作,在国际上也是属于学术研究前沿水平上的著作,在很长的一段时间内,这本著作成为中国半导体科学技术各个专业的研究人员的基本参考书,也是培养半导体学科专门人才所广为使用的一本标准教材。

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