电子技术实验教程/高等学校电子信息系列 pdf epub mobi txt 电子书 下载 2025

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禹永植 著

图书标签:

• 电子技术
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• 高等学校
• 电路
• 模拟电路
• 数字电路
• 实践
• 教学
• 高等教育

出版社： 哈尔滨工程大学出版社

ISBN：9787566107770

版次：1

商品编码：11473230

包装：平装

丛书名： 高等学校电子信息系列

开本：16开

出版时间：2014-03-01

用纸：胶版纸

页数：150

正文语种：中文

内容简介

　　《电子技术实验教程/高等学校电子信息系列》为了适应近年来电子技术的飞速发展，满足当前教学改革的需要。在以往的实验教材基础上，结合多年的教学成果和教学经验编写而成。全书共7章分为两部分，第一部分为1～4章，介绍电子技术实验的基础知识、常用仪器的操作、Multisim仿真软件以及QuartusⅡ仿真软件的使用；第二部分为5～7章，包含了电子技术基础、综合及创新性的实验内容。
　　《电子技术实验教程/高等学校电子信息系列》与理论教学紧密结合，实验内容包含电子技术的主要理论知识，提供了大量基础实验、综合及创新性实验，不仅使学生易于学习、掌握理论知识，而且能够更快地提高学生对电子电路设计及操作能力。基础实验以验证性实验为主，方便学生自主学习研究；综合性实验帮助学生拓展设计思路。创新性实验激发学生的学习热情，提高工程实践能力。《电子技术实验教程/高等学校电子信息系列》借助Multisim及QuanusⅡ仿真软件进行实验设计，为学生今后的学习、适应技术发展和社会的需要打下良好的基础。
　　《电子技术实验教程/高等学校电子信息系列》可作为高等学校通信、电子信息等专业课程的实验教材，也可供教师及工程技术人员参考。

目录

第1章 电子技术实验基本理论
1.1 电子技术实验的目的与要求
1.2 测量误差基本知识
1.3 测量数据的处理

第2章 常用电子仪器及使用
2.1 DSll02E数字示波器
2.2 TFG3150L DDS函数信号发生器
2.3 HYl71-3S直流稳压电源
2.4 SM2030数字交流毫伏表
2.5万用表

第3章 Multisim 10基本功能及操作
3.1 Multisim 10基本界面
3.2 Multisim 10电路创建及分析
3.3 Multisim 10常用虚拟仪器

第4章 QuartusⅡ基本功能及操作
4.1 Quartus Ⅱ基本界面
4.2 Quartus Ⅱ基本操作

第5章 电子技术基础实验
5.1 共发射级单管放大电路
5.2 多级放大电路与负反馈
5.3 功率放大电路
5.4 集成运算放大器的线性运算
5.5 门电路与组合逻辑 电路
5.6 编码器和译码器
5.7 触发器
5.8 计数器
5.9 555集成定时器及应用
5.10 模数转换

第6章 电子技术综合性实验
6.1 单管交流放大电路的设计与实现
6.2 集成直流稳压电源的设计与实现
6.3 集成运算放大器的非线性应用
6.4 有源滤波器的设计与实现
6.5 正弦波振荡电路的设计与实现
6.6 组合、时序逻辑 电路的设计与实现
6.7 红外报警器电路
6.8 定时报警电路的设计与实现
6.9 AD转换与温度传感器

第7章 电子技术设计性实验
7.1 心电信号放大器
7.2 函数信号发生器
7.3 8路智力竞赛抢答器
7.4 多功能数字钟
7.5 实用的家用电器定时插座
参考文献

《微纳电子器件的物理机制与工艺优化》 内容梗概 本书深入剖析了当前微纳电子器件领域的核心物理机制，并在此基础上探讨了先进的工艺制造技术如何对器件性能进行精细化优化。全书旨在为读者构建一个系统、前沿的知识体系，理解从基本的半导体物理到复杂的量子效应如何在微观尺度上影响着电子器件的功能与可靠性。 第一篇 基础理论与器件模型 第一章 半导体物理基础回顾 本章旨在梳理并巩固读者在半导体物理领域的基础知识，为后续深入理解微纳器件的物理行为奠定坚实基础。内容涵盖： 能带理论： 详细阐述晶体中电子的能带结构，包括价带、导带、禁带以及费米能级。着重讲解本征半导体和掺杂半导体的能带差异，以及温度、应力等因素对能带结构的影响。 载流子统计： 深入分析在不同温度和掺杂浓度下，电子和空穴的分布统计规律，包括麦克斯韦-玻尔兹曼分布、费米-狄拉克分布等。推导本征载流子浓度、杂质电离、以及外延层掺杂浓度与载流子浓度的关系。 导电机制： 重点讲解半导体中的电导率来源，包括漂移电流和扩散电流。分析载流子迁移率的温度依赖性、浓度依赖性以及散射机制（如声子散射、杂质散射、表面散射等）对迁移率的影响。 PN结理论： 系统介绍PN结的形成、内建电场、耗尽区宽度、以及在外加电压下的行为。详细推导PN结的正向导通、反向截止特性，并分析其与载流子扩散和复合的关系。 第二章 经典MOSFET工作原理 本章将聚焦于金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET），这是现代集成电路中最基本的构建模块。 MOS结构及其电容特性： 详细分析MOS电容器的结构，包括金属栅极、绝缘层（通常是二氧化硅或高介电常数材料）和半导体基底。深入讲解在不同栅电压下，半导体表面出现的积累、平带和反型等状态，并推导MOS电容-电压（C-V）特性曲线。 NMOS与PMOS器件结构与沟道形成： 详细介绍NMOS和PMOS的结构差异，以及其工作原理。重点阐述在栅电压作用下，如何形成导电沟道，以及沟道电荷的产生和运动。 MOSFET的伏安特性： 详细分析MOSFET的输出特性曲线（漏极电流$I_D$与漏源电压$V_{DS}$的关系）和转移特性曲线（$I_D$与栅源电压$V_{GS}$的关系）。区分亚阈值区、线性区和饱和区的物理机制，并推导相应的电流方程。 短沟道效应与二维效应： 随着器件尺寸的不断缩小，传统的二维模型已不足以准确描述器件行为。本章将引入短沟道效应（如阈值电压降低、沟道长度调制）和二维效应（如垂直电场对横向电场的影响），为后续更复杂的器件模型打下基础。 第三章 先进MOSFET结构与工作机制 为了克服短沟道效应和提高器件性能，研究人员开发了多种先进的MOSFET结构。 多栅器件（FinFET, Tri-gate）： 详细介绍FinFET和Tri-gate等三维栅极结构的原理，分析其相对于平面MOSFET在栅控能力、漏电流抑制、亚阈值摆幅方面的优势。 体硅CMOS与SOI CMOS： 对比体硅（Bulk Silicon）工艺和绝缘体上硅（Silicon-on-Insulator, SOI）工艺在器件性能、寄生效应、功耗等方面的差异，并分析SOI器件在高性能计算和射频应用中的优势。 高迁移率沟道材料（SiGe, Ge）： 探讨引入SiGe（硅锗）或Ge（锗）作为沟道材料对提高空穴或电子迁移率的机理。分析合金掺杂、应力工程等对能带结构和载流子输运的影响。 高介电常数栅介质（High-k）与金属栅： 解释使用高介电常数材料替代SiO2作为栅介质的必要性，分析其在高栅极漏电流和等效氧化层厚度（EOT）方面的优势。同时，讨论金属栅的引入如何解决多晶硅栅的Fermi-level pinning问题。 第四章 存储器器件物理 本章将重点关注构成现代数字信息存储基石的各类存储器器件。 DRAM（动态随机存取存储器）： 阐述DRAM的基本存储单元（电容器与MOSFET开关）的工作原理，包括电荷存储、读出和刷新机制。分析电容器的漏电、读出干扰等限制因素。 SRAM（静态随机存取存储器）： 介绍SRAM的基本存储单元（通常是六晶体管交叉耦合的锁存器）工作原理，分析其读写操作的逻辑。探讨SRAM的功耗特性和阵列设计。 NAND Flash与NOR Flash： 详细讲解浮栅（Floating Gate）或电荷陷阱（Charge Trap）作为存储节点的原理。分析NAND Flash的页操作（写入、擦除、读取）和NOR Flash的串行/并行读写机制，以及它们的优缺点和应用场景。 相变存储器（PCM）与磁阻随机存取存储器（MRAM）： 介绍新兴存储器技术，如PCM利用材料相变（晶态与非晶态）进行存储，MRAM利用磁隧穿结（MTJ）的磁阻效应存储信息。分析它们的存储机制、速度、功耗和耐久性。 第五章 量子效应在微纳器件中的体现 随着器件尺寸进入纳尺度，量子力学效应变得愈发显著，不可忽视。 量子囚禁效应（Quantum Confinement）： 讲解当器件尺寸小于载流子的德布罗意波长时，载流子在特定方向上的运动会被限制，导致能级离散化。分析其对量子阱、量子线、量子点器件的影响。 隧穿效应（Tunneling）： 详细阐述量子隧穿现象，即载流子能够穿过经典力学不允许的势垒。分析其在隧道二极管、闪存器件（ Fowler-Nordheim 隧穿）、以及未来隧道FET（TFET）中的关键作用。 量子干涉与相干输运： 探讨载流子在纳米尺度下表现出的波动性，以及由此产生的干涉效应。介绍相干输运在某些新型器件概念中的应用潜力。 量子退相干与器件性能： 分析环境因素（如声子、杂质、表面缺陷）如何导致量子态的退相干，从而影响器件的量子性能。 第二篇 工艺技术与性能优化 第六章 关键微纳电子器件制造工艺 本章将系统介绍构成现代集成电路的系列核心制造工艺。 硅片制备与外延生长： 详细介绍单晶硅生长（直拉法）、晶圆切割、抛光等制备过程。阐述化学气相沉积（CVD）、分子束外延（MBE）等外延生长技术，以及如何控制薄膜的厚度、组分和晶体质量。 光刻技术（Photolithography）： 深入分析光刻技术是微电子制造中最核心的图形转移技术。介绍其发展历程，从紫外光刻到深紫外（DUV）光刻，再到极紫外（EUV）光刻。详细讲解掩模版制作、光刻胶涂覆、曝光、显影等步骤，以及关键参数如分辨率、套刻精度、景深等。 刻蚀技术（Etching）： 讲解干法刻蚀（等离子体刻蚀，如RIE、DRIE）和湿法刻蚀的原理、优缺点。分析它们在图形转移、材料去除、器件结构形成中的作用，以及对器件侧壁形貌、刻蚀速率、选择性等关键指标的要求。 薄膜沉积技术（Thin Film Deposition）： 介绍物理气相沉积（PVD，如溅射）、化学气相沉积（CVD，如 LPCVD、PECVD）、原子层沉积（ALD）等技术。分析它们在制备金属、介质、半导体薄膜中的应用，以及如何控制薄膜的均匀性、密度、附着力等。 掺杂技术（Doping）： 详细介绍离子注入（Ion Implantation）和扩散（Diffusion）两种掺杂方式。分析它们在精确控制杂质浓度、分布深度、掺杂均匀性方面的能力。介绍退火（Annealing）过程在激活杂质、修复损伤、改善界面质量中的作用。 第七章 互连技术与可靠性 高质量的互连是实现复杂集成电路功能和保证长期可靠性的关键。 金属互连材料： 介绍从铝互连到铜互连的发展历程。分析铜互连的高导电性、低电阻率优势，以及在化学机械抛光（CMP）技术中的应用。讨论阻挡层（如TaN/Ta）和扩散阻挡层的重要性。 介质层（Interlayer Dielectrics, ILD）： 阐述低介电常数（Low-k）材料在降低互连线电容、提高信号传输速度方面的作用。介绍各种Low-k材料的种类、制备方法及其挑战。 3D互连技术（TSV）： 讲解硅通孔（Through-Silicon Via, TSV）技术在构建三维集成电路中的重要性。分析TSV的制作工艺、电性能影响以及散热挑战。 互连可靠性问题： 深入探讨互连线中的金属迁移（Electromigration, EM）、应力迁移（Stress Migration, SM）等可靠性失效机制。分析提高互连可靠性的工艺和设计策略。 第八章 工艺集成与器件性能优化 将不同的制造工艺巧妙地集成起来，才能制造出高性能、高密度的集成电路。 CMOS工艺集成流程： 详细介绍从硅片到最终芯片的完整CMOS工艺流程，包括前端工艺（器件制造）和后端工艺（互连）。 应力工程（Stress Engineering）： 分析在器件沟道中引入应力（拉伸或压缩）如何提高载流子迁移率，从而提升器件的速度。介绍应力工程的实现方法，如SiGe应变源极区、SiN应力层等。 表面处理与界面控制： 强调界面质量对MOSFET性能的决定性影响。介绍各种表面处理技术（如化学清洗、退火）和界面钝化技术（如氮化、氧化）如何减少界面陷阱密度，提高载流子复合率。 先进封装技术： 简述先进封装技术（如晶圆级封装、倒装焊、扇出封装）在提高集成度、改善散热、降低封装成本方面的作用。 第九章 器件建模与仿真 精确的器件模型和仿真工具是设计和优化微纳电子器件不可或缺的环节。 半经验模型与物理模型： 介绍用于电路仿真的半经验模型（如BSIM系列模型）的构建原理，以及基于物理定律的器件仿真方法。 TCAD（Technology Computer-Aided Design）工具： 介绍TCAD工具在模拟器件结构、材料特性、工艺步骤和电学性能方面的应用。分析TCAD在预测器件行为、指导工艺开发、优化设计参数中的作用。 量子效应建模： 讨论在TCAD工具中如何引入量子力学效应，以实现对纳米尺度器件的精确模拟。 多物理场仿真： 强调在设计复杂器件时，需要考虑电、热、应力等多物理场的耦合效应，以及相应的仿真方法。 第十章 未来微纳电子器件发展趋势 展望微纳电子器件的未来发展方向，探索新的材料、新的结构和新的原理。 超越CMOS的器件： 讨论现有CMOS技术面临的物理极限，以及可能替代CMOS的新型器件，如忆阻器（Memristor）、新型量子器件等。 新材料的应用： 探讨二维材料（如石墨烯、过渡金属硫化物）在下一代电子器件中的应用潜力，以及它们独特的物理性质。 人工智能与AI硬件： 分析当前人工智能技术对电子器件提出的新需求，以及如何设计专门的AI硬件加速器。 可持续电子学（Sustainable Electronics）： 关注电子器件的环境影响，探索低功耗、可回收、环保的电子材料和制造工艺。 本书内容广泛，紧密结合了半导体物理、材料科学、工艺工程以及器件设计等多个学科的最新进展，旨在为读者提供一个全面深入的视角，理解微纳电子器件的奥秘，并为相关领域的研究与开发提供坚实的理论基础和技术指导。

评分☆☆☆☆☆

拿到这本《电子技术实验教程/高等学校电子信息系列》的时候，我抱着一种既期待又有些忐忑的心情。毕竟，电子技术这门学科，在很多人眼中都显得尤为抽象和枯燥。然而，翻开书的第一页，我就被它吸引住了。它并没有像我预想的那样，上来就抛出大量复杂的理论公式或者晦涩难懂的术语。相反，它以一种循序渐进、由浅入深的方式，巧妙地引导着我进入电子世界的奇妙旅程。 我尤其欣赏书中对基础概念的解释。那些在课堂上可能一笔带过，或者让我听得云里雾里的概念，在这里却被拆解得淋漓尽致。作者似乎非常有耐心，总是能找到最恰当的比喻和最生动的例子，将抽象的电子元件和电路行为形象化。比如，在讲解电阻的作用时，它用自来水龙头来比喻，将电流比作水流，电压比作水压，而电阻则是水龙头开的大小。这样的类比，一下子就让我在脑海中建立起了清晰的物理模型，不再感到概念上的生疏和困惑。 这本书的另一大亮点，在于它对实验环节的重视。它不仅仅是理论的罗列，更强调动手实践的重要性。每一个实验都被设计得既具有启发性，又能够有效地巩固所学的理论知识。从简单的电阻串并联电路，到稍微复杂一些的放大电路，每一个实验步骤都写得非常详细，配以清晰的电路图和必要的注意事项。这对于我这样的初学者来说，简直是福音。我再也不用担心在动手操作时会因为疏忽而导致实验失败，甚至损坏设备。 而且，它在实验设计上，也充分考虑到了实际应用的可能。很多实验并非停留在理论层面，而是会模拟一些实际应用场景，让我能够感受到电子技术在生活中的实际意义。比如，在学习到滤波器的时候，它设计了一个简单的音频滤波实验，让我亲手制作了一个能够滤除部分噪音的装置。那一刻，我仿佛看到了理论知识转化为实际产品的过程，内心充满了成就感和学习的动力。 总而言之，这本《电子技术实验教程》给我的感觉是，它是一本真正懂学生、懂学习的书。它没有故作高深，也没有敷衍了事，而是用一种负责任的态度，带领我们一步步深入电子技术的世界。它的语言通俗易懂，逻辑清晰，实践性强，是所有想要学习电子技术的朋友们的理想选择。即使是那些之前对电子技术感到畏惧的人，我相信在阅读这本书之后，也会重新燃起学习的热情，发现电子世界的乐趣。

评分☆☆☆☆☆

拿到这本《电子技术实验教程/高等学校电子信息系列》的时候，我第一眼就被它厚重的封面和整齐的排版所吸引。我一直认为，一本好的技术书籍，不仅要有扎实的理论内容，还要有清晰的结构和良好的阅读体验。《电子技术实验教程》在这方面做得相当出色。它将庞杂的电子技术知识，通过精心设计的章节划分，变得井然有序，易于检索和理解。 在我看来，这本书最值得称赞的地方在于它对实验设计的科学性与实用性的平衡。它没有为了追求实验的“有趣”而牺牲掉对基础原理的严谨性，也没有因为强调理论的“深度”而忽略了实践操作的便利性。每一个实验都仿佛经过了反复的推敲和优化，既能够帮助我们理解抽象的电路概念，又能让我们通过亲手搭建和测量，获得直观的感受。 特别是书中对实验所需器件的详细说明，以及操作过程中可能遇到的问题和解决方案的提示，都体现了作者对读者的细致关怀。我曾经在做其他实验的时候，因为不了解某个器件的特殊性而浪费了很多时间，但在这本书里，这类情况出现的概率大大降低。它就像一位经验丰富的老教授，总能在你犯错之前，给你一些善意的提醒，让你少走弯路。 此外，它对实验数据的分析和讨论部分，也给我留下了深刻的印象。不仅仅是简单地给出实验结果，而是引导我们思考实验结果的意义，并与理论值进行比较，分析误差产生的原因。这种训练，对于培养我们的科学思维和分析能力，有着至关重要的作用。它让我明白，电子实验不仅仅是“搭起来能用”，更重要的是“理解它为什么能用，以及如何做得更好”。 总的来说，《电子技术实验教程》是一本非常优秀的教材。它以一种严谨又不失灵活的方式，为我打开了电子技术的大门。它不仅教会了我如何去“做”，更重要的是教会了我如何去“想”。我相信，无论是对于专业课学生，还是对于对电子技术感兴趣的业余爱好者，这本书都能提供宝贵的指导和帮助。它就像一座坚实的桥梁，连接着理论与实践，让我们能够真正地掌握这门学科。

评分☆☆☆☆☆

收到《电子技术实验教程/高等学校电子信息系列》这本书时，我的第一感受是它非常“实在”。没有华丽的辞藻，没有故弄玄虚的理论，而是以一种朴实无华的姿态，将电子技术的精髓呈现在读者面前。这对于我这样希望踏踏实实学习一门技术的人来说，无疑是一剂强心剂。 这本书最让我感到欣慰的是，它对基础概念的讲解非常到位。很多时候，我们学习一门新的学科，都会被那些听起来高深莫测的术语所困扰。而这本书，却用一种非常平易近人的方式，将这些概念一一破解。比如，在讲解“场效应管”时，作者并没有上来就谈论半导体物理，而是用一个“水龙头”的比喻，形象地说明了栅极电压是如何控制漏极电流的。这样的类比，一下子就让我在脑海中建立了清晰的物理模型，从而能够更好地理解后面的内容。 在实验设计方面，这本书可以说做到了极致的严谨和细致。每一个实验都包含详细的原理介绍、元器件列表、实验步骤以及注意事项。而且，它还针对实验过程中可能出现的常见问题，给出了相应的解决方案，这极大地降低了我们动手实验的门槛。我曾经在做其他电子实验的时候，因为不熟悉某个操作而导致实验失败，但在这本书里，我几乎很少遇到这种情况，因为作者已经把所有可能遇到的坑都帮我们填好了。 更重要的是，本书的实验设计，充分体现了“学以致用”的原则。很多实验都与实际应用紧密结合，让我们能够真切地感受到电子技术在生活中的重要性。比如，在学习到数字电路时，它设计了一个简单的交通灯控制器的实验，让我能够亲手制作出一个模拟的交通信号灯系统。那一刻，我不仅巩固了课堂上的知识，更体会到了理论与实践相结合的乐趣。 总而言之，《电子技术实验教程》是一本非常优秀的技术教材。它内容详实，讲解清晰，实践性强，并且充满了对读者的关怀。它不仅能够帮助我们掌握电子技术的基本知识和操作技能，更能培养我们严谨的科学态度和解决问题的能力。我相信，这本书将成为我在电子技术学习道路上不可或缺的伙伴。

评分☆☆☆☆☆

拿到这本《电子技术实验教程/高等学校电子信息系列》的时候，我第一眼就被它厚重的质感和精美的印刷所吸引。翻开书页，一股严谨的学术气息扑面而来，但随之而来的，却是一种意想不到的亲切感。我一直认为，好的技术书籍，应该在保证科学严谨性的前提下，能够让读者感到轻松和愉悦，而这本书，恰恰做到了这一点。 书中对基础概念的梳理，可谓是匠心独运。作者并没有将大量的公式堆砌在读者面前，而是通过深入浅出的讲解，将复杂的理论概念转化为易于理解的知识点。我尤其欣赏它对一些关键原理的阐释，比如在解释基尔霍夫定律时，作者并没有仅仅给出数学表达式，而是用一个生动的“电流分配”的比喻，让我们能够直观地理解电流和电压在电路中的流动规律。 本书的实验部分，是我最看重的一环。它不仅仅是简单地罗列一些实验项目，而是将每一个实验都设计得富有条理和逻辑性。从实验目的、实验原理，到实验器材、实验步骤，再到实验现象和数据分析，都写得非常详尽。我曾经尝试过许多电子实验，但往往因为细节的缺失而倍感困惑。然而，在这本书中，我几乎找不到这样的情况。它就像一位经验丰富的工程师，详细地指导你完成每一个操作，让你能够事半功倍。 更让我感到惊喜的是，本书的实验设计，非常注重实践性和探索性。它不仅能够帮助我们巩固课本上的理论知识，还能引导我们去思考和探索一些新的可能性。比如，在学习放大电路时，它设计了一个能够通过调整元器件参数来观察输出信号变化的实验，这让我能够直观地理解不同参数对电路性能的影响，从而培养了我的创新思维。 总而言之，《电子技术实验教程》是一本真正意义上的“教程”。它不仅仅是一本知识的堆砌，更是一本引导读者进行学习和探索的宝典。它的内容全面，讲解清晰，实践性强，能够帮助我们建立起扎实的电子技术基础，并且培养我们科学的思维方式。对于所有想要深入了解电子技术的朋友们来说，这绝对是一本不可多得的优秀教材。

评分☆☆☆☆☆

说实话，拿到《电子技术实验教程/高等学校电子信息系列》时，我内心是有些许压力的。毕竟，“电子技术”这四个字，对我而言，常常伴随着复杂的公式和令人望而生畏的电路图。然而，这本书却用一种令人惊喜的方式，颠覆了我过去的认知。它并没有给我一种“高高在上”的学术感，而是像一位循循善诱的良师益友，耐心地引导我一步步探索电子世界的奥秘。 我特别欣赏它在讲解理论知识时的“可视化”处理。很多枯燥的概念，通过图示、流程图甚至是简单的类比，变得生动有趣起来。比如，在讲解二极管的单向导电性时，作者并没有仅仅给出P-N结的能带图，而是用一个“单行道”的比喻，形象地说明了电子只能朝一个方向流动。这种巧妙的解释方式，让我能够迅速抓住核心要点，并且深刻理解其物理意义，而不是死记硬背。 更让我感到惊喜的是，本书在实验部分的设计上，充分考虑到了循序渐进的原则。它不会一开始就抛出过于复杂的电路，而是从最基础的元器件和电路入手，逐步增加难度。每一个实验都附有详细的步骤说明、器件清单以及操作注意事项，这对于像我这样动手能力相对较弱的学生来说，无疑是极大的福音。我不再担心因为操作失误而导致实验的失败，而是可以更加自信地去尝试。 书中的实验设计，也充满了实际应用的导向性。很多实验并不是为了做实验而做实验，而是能够模拟一些实际工程中的典型应用场景，让我能够直观地感受到电子技术在生活中的重要性和广泛性。例如，在学习到稳压电路时，它设计了一个简单的可调稳压电源实验，让我能够亲手制作出一个能够稳定输出电压的装置。那一刻，我体会到了理论知识转化为实际价值的成就感。 总而言之，《电子技术实验教程》是一本真正能够帮助读者建立起扎实电子技术基础的宝藏。它的内容丰富，讲解清晰，实践性强，并且充满了人文关怀。它让我从最初的畏惧，转变为现在的热爱，并且对未来的学习充满了信心。它不仅仅是一本教程，更像是一把钥匙，为我打开了通往电子技术广阔世界的大门。