全國高等職業教育規劃教材：半導體器件物理 epub pdf mobi txt 電子書 下載 2024

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編輯推薦

　　《全國高等職業教育規劃教材：半導體器件物理》根據高等職業教育的特點來編寫，在內容敘述上力求重點突齣、條理分明、深入淺齣、圖文並茂，簡化和刪除瞭數學推導，側重於物理概念與物理過程的描述。同時在前5章編寫瞭實驗，方便選用。 本書首先介紹瞭必要的半導體材料和半導體物理方麵的基礎知識，然後依次闡述瞭PN結、半導體的錶麵特性、雙極型晶體管及其特性、MOS型場效應晶體管和一些常用的其他半導體器件的基本原理及其物理特性。這些內容的學習將為後續課程（如“半導體製造工藝”、“集成電路版圖設計”等課程）奠定必要的基礎。

內容簡介

　　《全國高等職業教育規劃教材：半導體器件物理》綜閤瞭半導體物理和晶體管原理兩部分的內容，第1至3章介紹瞭半導體特性、PN結、半導體的錶麵特性，第4 至第5章係統闡述瞭雙極型晶體管及其特性、MOS型場效應晶體管的結構和工作原理，第6章簡要介紹瞭其他幾種半導體器件。全書根據高等職業教育的特點來編寫，在內容上側重於物理概念與物理過程的描述，並注意與生産實踐相結閤，適當配置瞭工藝和版圖方麵的知識，同時在前5章編寫瞭實驗，方便選用。《全國高等職業教育規劃教材：半導體器件物理》可作為高職高專微電子技術及相關專業的教材，也可供半導體行業工程技術人員參考。

目錄

齣版說明
前言
第1章 半導體特性
1.1 半導體的晶體結構
1.1.1 晶體的結構
1.1.2 晶嚮與晶麵
1.2 半導體中的電子狀態
1.2.1 能級與能帶
1.2.2 本徵半導體的導電機製
1.3 雜質與缺陷
1.3.1 雜質與雜質能級
1.3.2 缺陷與缺陷能級
1.4 熱平衡載流子
1.4.1 費米能級與載流子濃度
1.4.2 本徵半導體的載流子濃度
1.4.3 雜質半導體的載流子濃度
1.5 非平衡載流子
1.5.1 非平衡載流子的注入
1.5.2 非平衡載流子的復閤
1.5.3 復閤機製
1.6 載流子的運動
1.6.1 載流子的漂移運動與遷移率
1.6.2 載流子的擴散運動與愛因斯坦關係
實驗一 晶體缺陷的觀測
實驗二 少數載流子壽命的測量
思考與習題

第2章 PN結
2.1 平衡PN結
2.1.1 PN結的形成與雜質分布
2.1.2 PN結的能帶圖
2.1.3 PN結的接觸電勢差與載流子分布
2.2 PN結的直流特性
2.2.1 PN結的正嚮特性
2.2.2 PN結的反嚮特性
2.2.3 影響PN結伏安特性的因素
2.3 PN結電容
2.3.1 PN結電容的成因及影響
2.3.2 突變結的勢壘電容
2.3.3 擴散電容
2.4 PN結的擊穿特性
2.4.1 擊穿機理
2.4.2 雪崩擊穿電壓
2.4.3 影響雪崩擊穿電壓的因素
2.5 PN結的開關特性
2.5.1 PN結的開關作用
2.5.2 PN結的反嚮恢復時間
實驗三 PN結伏安特性與溫度特性的測量
實驗四 PN結勢壘電容的測量
思考與習題

第3章 半導體的錶麵特性
3.1 半導體錶麵與Si-SiO2係統
3.1.1 理想的半導體錶麵
3.1.2 Si-SiO2係統及其特性
3.1.3 半導體製造工藝中對錶麵的處理——清洗與鈍化
3.2 錶麵空間電荷區與錶麵勢
3.2.1 錶麵空間電荷區
3.2.2 錶麵勢φS
3.3 MOS結構的閾值電壓
3.3.1 理想MOS結構的閾值電壓
3.3.2 實際MOS結構的閾值電壓
3.3.3 MOS結構的應用——電荷耦閤器件
3.4 MOS結構的C-U特性
3.4.1 MOS電容
3.4.2 理想MOS電容的C-U特性
3.4.3 實際MOS電容的C-U特性
3.4.4 MOS電容在集成電路中的應用
3.5 金屬與半導體接觸
3.5.1 金屬-半導體接觸
3.5.2 肖特基勢壘與整流接觸
3.5.3 歐姆接觸
3.5.4 金屬-半導體接觸的應用——肖特基勢壘二極管
實驗五 MOS電容的測量
實驗六 肖特基勢壘二極管伏安特性的測量
思考與習題

第4章 雙極型晶體管及其特性
4.1 晶體管結構與工作原理
4.1.1 晶體管的基本結構與雜質分布
4.1.2 晶體管的電流傳輸
4.1.3 晶體管的直流電流放大係數
4.2 晶體管的直流特性
4.2.1 晶體管的伏安特性麯綫
4.2.2 晶體管的反嚮電流
4.2.3 晶體管的擊穿電壓
4.2.4 晶體管的穿通電壓
4.3 晶體管的頻率特性
4.3.1 晶體管的頻率特性和高頻等效電路
4.3.2 高頻時晶體管電流放大係數下降的原因
4.3.3 晶體管的電流放大係數
4.3.4 晶體管的極限頻率參數
4.4 晶體管的功率特性
4.4.1 大電流工作時産生的3個效應
4.4.2 晶體管的最大耗散功率和熱阻
4.4.3 功率晶體管的安全工作區
4.5 晶體管的開關特性
4.5.1 晶體管的開關作用
4.5.2 開關晶體管的工作狀態
4.5.3 晶體管的開關過程
4.5.4 提高晶體管開關速度的途徑
4.6 晶體管的版圖與工藝流程
4.6.1 晶體管的圖形結構
4.6.2 雙極型晶體管的工藝流程
實驗七 用圖示儀測試晶體管的特性麯綫
實驗八 晶體管直流參數的測量
思考與習題

第5章 MOS型場效應晶體管
5.1 MOS型晶體管的結構與分類
5.1.1 MOS型晶體管的結構與工作原理
5.1.2 MOS型晶體管的分類
5.1.3 MOS型晶體管的基本特徵
5.1.4 集成MOS型晶體管與分立器件MOS型晶體管的異同
5.2 MOS型晶體管的閾值電壓
5.2.1 MOS型晶體管閾值電壓的定義
5.2.2 理想情況下MOS型晶體管閾值電壓的錶達式
5.2.3 影響MOS型晶體管閾值電壓的各種因素
5.3 MOS型晶體管的輸齣伏安特性與直流參數
5.3.1 MOS型晶體管的輸齣伏安特性
5.3.2 MOS型晶體管的輸齣伏安特性方程
5.3.3 影響MOS型晶體管輸齣伏安特性的一些因素
5.3.4 MOS型晶體管的直流參數
5.3.5 MOS型晶體管的溫度特性與柵保護
5.4 MOS型晶體管頻率特性與交流小信號參數
5.4.1 MOS型晶體管的交流小信號等效電路
5.4.2 MOS型晶體管的交流小信號參數
5.4.3 MOS型晶體管的最高工作頻率fm
5.4.4 MOS型晶體管開關
5.5 MOS型晶體管版圖及其結構特徵
5.5.1 小尺寸集成MOS型晶體管的版圖（橫嚮結構）
5.5.2 小尺寸集成MOS型晶體管的剖麵（縱嚮結構）
5.5.3 按比例縮小的設計規則
5.6 小尺寸集成MOS型晶體管的幾個效應
5.6.1 短溝道效應
5.6.2 窄溝道效應
5.6.3 熱電子效應
實驗九 MOS型晶體管閾值電壓UT的測量
實驗十 MOS型晶體管輸齣伏安特性麯綫的測量
思考與習題

第6章 其他常用半導體器件
6.1 達林頓晶體管
6.2 功率MOS型晶體管
6.2.1 功率MOS型晶體管的種類
6.2.2 功率MOS型晶體管的版圖結構與製造工藝
6.3 絕緣柵雙極晶體管
6.3.1 IGBT的結構與伏安特性
6.3.2 IGBT的工作原理
6.4 發光二極管
6.4.1 LED的發光原理
6.4.2 LED的結構與種類
6.4.3 LED的量子效率
6.5 太陽電池
6.5.1 PN結的光生伏特效應
6.5.2 太陽電池的I-U特性與效率
6.5.3 非晶矽太陽電池
思考與習題
附錄 XJ4810型半導體管特性圖示儀麵闆的功能
參考文獻

前言/序言

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