透明導電氧化物薄膜 epub pdf mobi txt 電子書 下載 2024

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編輯推薦

　　《透明導電氧化物薄膜》全書共七章，包括瞭透明導電氧化物薄膜的基本特徵、沉積製備、性能分析檢測、微細結構、電學性能、光學性能及應用等內容。書中不僅包含作者近年來在國內外的最新研究成果，還概括瞭國內外很多學者在透明導電氧化物薄膜研究上的主要成就，是本比較係統全麵的透明導電氧化物薄膜論著。

內容簡介

　　本書主要論述透明導電薄膜的性能與技術，比較係統全麵地介紹瞭透明導電氧化物薄膜的結構、性能、製備、錶徵與應用，反映瞭當前透明導電氧化物薄膜性能與技術研究、發展的前沿信息。全書共七章，包括瞭透明導電氧化物薄膜的基本特徵、沉積製備、性能分析檢測、微細結構、電學性能、光學性能及應用等內容。書中不僅包含作者近年來在國內外的最新研究成果，還概括瞭國內外很多學者在透明導電氧化物薄膜研究上的主要成就，是本比較係統全麵的透明導電氧化物薄膜論著。

作者簡介

　　薑辛，德國夫琅和費薄膜與錶麵工程研究所高級研究員，材料學專傢。
　　1983年畢業於吉林大學物理係，獲學士學位；1992年在世界上首先獲得金剛石在Si上的異質外延生長，該方法在全世界被廣泛采用來製備高質量金剛石膜。在15年的科學研究中，在薄膜技術領域，尤其在金剛石外延領域多年處於世界領先地位，成為世界著名學者之一，其發錶文章100餘篇，引用總次數1000餘次，國際特邀報告10餘次。作為華人，首次在德國獲得教授資格及第二學位（Dr.rer.nat.habil.），並在布倫瑞剋大學任教授。目前主要從事薄膜太陽能電池，外延膜的生長，納米復閤梯度膜的製備，納米材料等方麵的研究。2002年同時受到德國Clausthal技術大學及濟根大學終身教授聘請。

內頁插圖

目錄

第一章 透明導電薄膜概述
1.1 概述
1.2 透明導電薄膜的分類
1.3 透明導電薄膜的基本特性
1.3.1 透明導電金屬薄膜
1.3.2 透明導電氧化物薄膜
1.4 透明導電氧化物薄膜的研究現狀
1.4.1 SnO2薄膜及其摻雜體係
1.4.2 Cd2SnO4薄膜體係
1.4.3 In2O3薄膜及其摻雜體係
1.4.4 ZnO薄膜及其摻雜體係
1.5 透明導電氧化物薄膜的應用
1.5.1 ITO薄膜的主要應用
1.5.2 ZnO薄膜的主要應用
1.5.3 透明導電薄膜的其他應用
參考文獻

第二章 透明導電氧化物薄膜的製備技術
2.1 概述
2.2 真空蒸發鍍膜
2.2.1 真空蒸發鍍膜原理
2.2.2 真空蒸發的方式和設備
2.3 濺射鍍膜
2.3.1 概述
2.3.2 濺射鍍膜原理
2.3.3 濺射鍍膜的特點
2.3.4 濺射鍍膜裝置
2.3.5 磁控濺射沉積ITO薄膜
2.3.6 ITO鍍膜生産實例
2.3.7 磁控濺射沉積ZnO薄膜
2.4 化學氣相沉積
2.4.1 化學氣相沉積的原理
2.4.2 化學氣相沉積的分類與特點
2.4.3 化學氣相沉積ITO薄膜工藝
2.4.4 化學氣相沉積的ZnO薄膜製備工藝
2.5 其他化學沉積方法
2.5.1 溶膠-凝膠法製備透明導電薄膜
2.5.2 噴塗熱分解法製備透明導電薄膜
2.6 透明導電薄膜製備技術的比較
2.6.1 不同技術沉積的ITO薄膜的性能比較
2.6.2 不同技術沉積的ZnO薄膜的性能比較
2.6.3 其他透明導電薄膜的製備技術
參考文獻

第三章 薄膜的分析和性能檢測技術
3.1 概述
3.2 薄膜形貌分析
3.2.1 掃描電子顯微鏡
3.2.2 透射電子顯微鏡
3.2.3 掃描探針顯微鏡
3.3薄 膜相結構分析
3.3.1 X射綫衍射
3.3.2 電子衍射
3.4 薄膜成分分析
3.4.1 概述
3.4.2 電子探針X射綫顯微分析
3.4.3 電子能譜分析
3.4.4 二次離子質譜(SIMS)
3.5 錶麵電子態分析
3.6 錶麵原子態分析
3.7 薄膜厚度測量
3.7.1 薄膜厚度的概念
3.7.2 薄膜厚度的測量方法
3.8 薄膜電學性能測量
3.8.1 四點探針法
3.8.2 霍爾效應
3.9 薄膜光學性能測量
3.9.1 透射率和反射率測量
3.9.2 橢圓偏振測量技術
參考文獻

第四章 透明導電薄膜的結構特性
4.1 概述
4.2 ITO薄膜的結構特性
4.2.1 ITO薄膜的相結構
4.2.2 ITO薄膜的成分分布及化學態
4.2.3 ITO薄膜的組織形貌
4.3 ZnO：Al薄膜的結構特性
4.3.1 ZnO薄膜的相結構
4.3.2 ZnO薄膜的晶體生長模式
4.3.3 ZnO薄膜的成分分布及化學態
4.3.4 ZnO薄膜的能帶結構及錶麵功函數
參考文獻

第五章 透明導電薄膜的電學性能
5.1 概述
5.2 半導體薄膜中的電荷輸運現象
5.2.1 單晶半導體材料中的電傳導
5.2.2 多晶材料中的電傳導
5.2.3 非晶材料中的傳導機製
5.3 未摻雜透明導電薄膜的電學性能
5.3.1 沉積工藝參數的影響
5.3.2 薄膜厚度的影響
5.3.3 沉積後退火處理的影響
5.4 摻雜透明導電膜的電學性能
5.4.1 摻雜量的影響
5.4.2 沉積工藝參數的影響
5.4.3 沉積後退火處理的影響
5.5 透明導電薄膜導電機製的實驗研究
5.6 透明導電氧化物薄膜電學性能的幾個值得關注的問題
參考文獻

第六章 透明導電薄膜的光學性能
6.1 概述
6.2 光學常數

6.2.1 摺射係數和消光係數
6.2.2 禁帶寬度
6.3 光學和電學性質的關聯性
6.4 半導體氧化物薄膜的光學性質
6.4.1 禁帶寬度
6.4.2 摺射係數和消光係數
6.4.3 透射、反射和吸收
6.5 提高透明導電氧化物薄膜光學性能值得關注的技術
參考文獻

第七章 透明導電薄膜的應用研究
7.1 概述
7.2 透明導電薄膜的性能指數
7.3 波長(頻率)選擇特性應用
7.3.1 波長(頻率)選擇特性
7.3.2 摻雜對光學性能的影響
7.4 在薄膜太陽能電池上的應用
7.4.1 薄膜太陽能電池結構
7.4.2 透明導電氧化物薄膜太陽能電池
7.4.3 透明導電薄膜用於太陽能電池的麵電極
7.5 在顯示器件上的應用
7.5.1 透明導電薄膜在發光二極管上的應用
7.5.2 ITO透明導電薄膜在長壽命電緻發光器件上的應用
7.5.3 SnO2、ITO透明薄膜電極在PbO光電導靶上的應用
7.5.4 SnO2、ITO透明導電薄膜電極在液晶顯示器上的應用
7.6 在氣敏元件上的應用
7.6.1 甲烷和丙烷氣敏元件
7.6.2 一氧化碳探測器
7.6.3 氫氣敏元件
7.6.4 乙醇探測器
7.6.5 氮氧化物氣敏元件
7.6.6 其他氣體的氣敏元件
7.7 ZnO薄膜在壓電器件中的應用
7.7.1 ZnO壓電薄膜的製備
7.7.2 壓電性能
7.7.3 壓電薄膜的應用
7.8 其他應用
7.8.1 In2O3、ITO透明導電薄膜在航空航天、汽車、高速列車上的應用
7.8.2 透明導電薄膜在電子器件上的應用
7.8.3 在防護塗層方麵的應用
7.9 透明導電薄膜今後應著力研究解決的重要科學技術
參考文獻

前言/序言

　　半導體物理學在最近幾十年取得瞭驚人的進展，其動力源於半導體材料及其廣闊的應用背景與理論和應用的有機結閤。這一方麵推動瞭基礎理論的進步，另一方麵促進瞭新型實用材料體係和先進工藝製備技術的不斷湧現。充分體現新材料是支撐現代文明社會的基礎和促進高技術發展的先導。
　　微電子技術特彆是顯示技術和太陽能光電轉換技術等熱點領域的巨大需求，使得無論從基礎研究還是應用開發方麵，推動瞭一個很重要的領域——氧化物半導體透明導電薄膜體係——的蓬勃發展。

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